Danh mục

Ability of a hydrogen atom to be adsorbed on the 2D silicon carbide

Số trang: 8      Loại file: pdf      Dung lượng: 1.10 MB      Lượt xem: 15      Lượt tải: 0    
tailieu_vip

Xem trước 1 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Hydrogen bonding on two-dimensional silicon carbide (2D SiC) was studied using molecular dynamics and ab initio calculations. By investigating a converged density functional theory (DFT) calculation, the stable bonding sites of a hydrogen atom on the 2D SiC were found at the top sites (TSi and TC, of which TSi is a more stable adsorption site).
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Ability of a hydrogen atom to be adsorbed on the 2D silicon carbide

Tài liệu được xem nhiều: