Bài giảng Cấu kiện điện tử: Chương 3 - ĐH Nha trang

Bài giảng "Cấu kiện điện tử - Chương 3: Điốt bán dẫn" cung cấp cho người học các kiến thức: Tiếp giáp p-n và điốt bán dẫn, các tham số của điốt bán dẫn, sơ đồ tương đương của điốt bán dẫn, phân loại và một số ứng dụng của điốt. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Cấu kiện điện tử: Chương 3 - ĐH Nha trangNHATRANG UNIVERSITYChương 3:Điốt bán dẫn••••Tiếp giáp p-n và điốt bán dẫnCác tham số của điốt bán dẫnSơ đồ tương đương của Điốt bán dẫnPhân loại và một số ứng dụng của điốtNHATRANG UNIVERSITYTiếp giáp p-n• Trên một miếng tinh thể bán dẫn, bằng các phươngpháp công nghệ, tạo ra hai vùng bán dẫn loại N và loạiP, thì tại ranh giới giữa hai vùng bán dẫn xuất hiện mộtvùng, gọi là lớp tiếp giáp p-n (p-n junction)Điốt bán dẫnNHATRANG UNIVERSITY• Linh kiện chỉ có một lớp tiếp giáp p-n gọi là điôt(diode) bán dẫn.Hình dạng, kýhiệu, cấu tạo:NHATRANG UNIVERSITYSự hình thành tiếp giáp p-n• Vùng bán dẫn loại N có hạt dẫn đa số là electron tự do(NA=1016cm-3); vùng bán dẫn loại P hạt dẫn đa số là lỗtrống (ND=1017cm-3).• Do sự chênh lệch nồng độ electron và lỗ trống giữa haivùng bán dẫn nên các electron ở gần tiếp giáp p-nkhuếch tán từ vùng N sang vùng P và lỗ trống khuếchtán từ vùng P sang N. Kết quả là ở tiếp giáp p-n chỉ còncác ion tạp chất: ion dương ở phía tạp chất n, ion âm ởphía tạp chất p. Vùng giữa các ion này rất nghèo hạt dẫnđiện (electron, lỗ trống), nên được gọi là vùng nghèo(depletion region) hay vùng điện tích không gian• Các ion này tạo thành một điện trường hướng từ n sangp gọi là điện trường tiếp xúc. Điện thế tạo bởi điệntrường này gọi là hàng rào thế năng (barrier potential)NHATRANG UNIVERSITYSự hình thành tiếp giáp p-npn junction: tiếp giáp p-ndepletion region: Vùng nghèobarrier potential: Hàng rào thế năng