Danh mục

Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện: Chương 5 - Trường ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM

Số trang: 10      Loại file: pdf      Dung lượng: 463.21 KB      Lượt xem: 11      Lượt tải: 0    
tailieu_vip

Hỗ trợ phí lưu trữ khi tải xuống: 4,000 VND Tải xuống file đầy đủ (10 trang) 0

Báo xấu

Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện: Chương 5 Đại cương về transistor trường FET cung cấp cho người học những kiến thức như: Transistor trường JFET; Nguyên lý hoạt động Transistor trường JFET; Các thông số của JFEET. Mời các bạn cùng tham khảo!
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện: Chương 5 - Trường ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCMBỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM Bộ Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện Chương 5 : ĐẠI CƯƠNG VỀ TRANSISTOR TRƯỜNG FET 5.1. Transistor trường JFET 5.1.1. Cấu tạo, kí hiệu Drain(D) Drain(D) Kênh P Kênh N N P N P N P Gate (G)Gate (G) Vùng Vùng nghèo Source(S) Source(S) nghèo D D G ID G ID VGS VGS S S JFET kênh N JFET kênh P 2 5.1. Transistor trường JFET 5.1.2. Nguyên lý hoạt động Để JFET làm việc, phải cung cấp điện áp 1 chiều tới các cực của nó, gọi là phâncực cho JFET (phân cực cho mối nối GS và DS DS) IG= 0 Vùng điện trở ID= IS D Vùng thắt kênh ID ID(mA) IDSS 8 VGS = 0V + VDD G P e P VGS = -1V eVGS 3 N 2 VGS = -2V VP VGS = -3V IS 1 S VGS = -4V VGS -4 -3 -2 -1 0 |VP | VDS 3 5.1. Transistor trường JFET 5.1.2. Nguyên lý hoạt động ID(mA)IDSS: dòng điện ID khi ngắn mạch GS(short) IDSS 8 VGS = 0VVP: điện áp nghẽn (thắt kênh)r0: điện trở cực máng nguồn khi VGS= 0 VGS = -1V 3 2 VGS = -2V VP 1 VGS = -3V VGS = -4V VGS -4 -3 -2 -1 0 |VP | VDS r 0 r d Vùng điện trở: 2  V G S   1    V P  2Vùng thắt kênh:  VGS  0  ID  IDSS IID =0 I DSS 1   ID= IS G  VP  VP  VGS  0 45.1.3. Các thông số của JFEET 55.3.MOSFET5.3.1. D-MOSFET – Depletion Mosfeta. Cấu tạo SiO2 SiO2 D D P Keânh Daãn P N Keânh Daãn N G G ...

Tài liệu được xem nhiều: