Danh mục

Bài giảng Mạch điện tử nâng cao: Chương 4 - ThS. Nguyễn Thanh Tuấn

Số trang: 23      Loại file: pdf      Dung lượng: 640.87 KB      Lượt xem: 15      Lượt tải: 0    
Thu Hiền

Hỗ trợ phí lưu trữ khi tải xuống: 11,000 VND Tải xuống file đầy đủ (23 trang) 0
Xem trước 3 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Bài giảng "Mạch điện tử nâng cao - Chương 4: Mạch dao động" cung cấp cho người học các kiến thức: Mạch dao động hình sin tần số thấp (Mạch dao động dịch pha RC, mạch dao động cầu Wien), thiết kế mạch dao động tần số thấp. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Mạch điện tử nâng cao: Chương 4 - ThS. Nguyễn Thanh TuấnChương 4: Mạch dao độngTh.S. Nguyễn Thanh TuấnBộ môn Viễn thông (B3)nttbk97@yahoo.com 1 Nội dung• Mạch dao động hình sin tần số thấp: MKĐ hồi tiếp có độ lợi vòng T=1 (hồi tiếp dương) tại 1 tần số và |T| Nguyên lý dao động• Tiêu chuẩn Barkhausen: 3Tiêu chuẩn Barkhausen 4 Mạch dao động dịch pha RC• Trễ hay sớm pha?• Cần tối thiểu bao nhiêu tầng RC? 5• Tính chính xác 6• Rf = 29Ri 7891011Mạch dao động cầu Wien 121314• Tín hiệu nhỏ: D1 và D2 tắt  GAIN>3.• Tín hiệu lớn: D1 hoặc D2 dẫn  điện trở dẫn của diode mắc song song làm giảm R12 tương đương  GAIN=3. 15• Nếu độ lợi vòng hở (AC) bằng 1 V/V thì mạch dao động tại tần số đó. 16Chỉnh tần số dao động 171819 Bài tập 1• Vẽ 1 sơ đồ mạch dao động (dạng sóng sin) tần số 1KHz, biết rằng chỉ có 1 Op-Amp lý tưởng, các điện trở (xác định giá trị) vàa) 3 tụ điện C1 = 0.1uF, C2 = 0.2uF, C3 = 0.3uF.b) 3 tụ điện C1 = 0.16uF, C2 = 0.2uF, C3 = 0.8uF. 20

Tài liệu được xem nhiều: