Danh mục

Bài giảng VẬT LIỆU BÁN DẪN

Số trang: 81      Loại file: pdf      Dung lượng: 5.38 MB      Lượt xem: 10      Lượt tải: 0    
Thư viện của tui

Xem trước 9 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Diode chỉnh lưu : có mặt tiếp xúc lớn chịu dòng tải cao thường dùng nắn dòng AC ? DCDiode tách sóng : sử dụng tiếp xúc điểm để điện dung bé ? làm việc ở tần số caoDiode Zener : thường bằng vật liệu Si chịu nhiệt và tỏa nhiệt tốt họat động chủ yếu vùng zener từ (1,8 ÷ 200)VDiode biến dung : có lớp tiếp xúc đặc biệt để diện dung khá tuyến tính với điện áp ngược ? tạo sóng điều tần dể điều chỉnh tần số cộng hưởngDiode phát quang : thường dùng bán dẫn...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng VẬT LIỆU BÁN DẪN BOÄ GIAÙO DUÏC VAØ ÑAØO TAÏO KHOA ÑIEÄN TÖÛÑH Sö Phaïm Kyõ Thuaät TP.HCM Boä Moân KYÕ Thuaät Ñieän Töû VAÄT LIEÄU ÑIEÄN - ÑIEÄN TÖÛ (VAÄT LIEÄU BAÙN DAÃN) Thöïc hieän: ThS. Phaïm Xuaân Hoå KHAÙÍ QUAÙT VEÀ BAÙN DAÃN Phaân bieät caùc chaát baùn daãn, daãn ñieän vaø caùch ñieän : Caáu truùc nguyeân töû cuûa Taàng daãn germanium ; silicon. Wg Wg Vuøng caám Chaát baùn daãn Chaát daãn ñieänChaát caùch ñieänTaàng hoùa trò Ñôn chaát Hôïp chaát Baùn Nguyeân toá Ng/toá nhoùm daãn nhoùm IV AIIIBV GaAsthuaàn Ge vaø Si AIIBVI CdS KHAÙI QUAÙT VEÀ BAÙN DAÃN Caáu truùc maïng tinh theå baùn daãn thuaàn : Lieân keátNGUYEÂN TÖÛ hoùa hoïc OÂ cô baûn trong caáu truùc maïng tinh theå OÂ cô sôû Ge vaø Si OÂ cô sôû cuûa GaAs Maïng baùn daãn thuaàn Si coù a = 5,43 A0 coù a= 5,65A0 KHAÙI QUAÙT VEÀ BAÙN DAÃN Nguyeân lyù daãn ñieän cuûa vaät lieäu baùn daãn thuaàn : E Electron töï doLoã troáng σ = ni .e.(μ N + μ P ) Ñieän daãn suaát :KHAÙI QUAÙT VEÀ BAÙN DAÃN KHAÙI QUAÙT VEÀ BAÙN DAÃN Maät ñoä ñieän tích ni phuï thuoäc raát nhieàu vaøo nhieät ñoä → Aûnh höôûng ñeán tính chaát daãn ñieän cuûa baùn daãn : 3 Wg Wg 2 ⎛2.π .k. ⎞ . m#.mP .e 3 ( 3 T ) − # 4 − 2k.T 2 ni= ⎜ = AT .e . 2⎟ 2.k .T 2 ⎝h⎠ Nk : Haèng soá Boltzmann = 1,38.10- 23 (J/0K) ; e = 1,602.10-19Ch ; Haèng soá Planck = 6,625.10- 34 (Js) ; m = 9,108.10- 31 Kg mN# : Si = 0,98m ; Ge = 1,64m ; GaAs = 0,067m mP# : Si = 0.49m ; Ge = 0,28m ; GaAs = 0,45m α (eV/0K) β (0K) Wg(0) (eV) α .T 2 4,37.10 - 4 Wg (T ) = Wg (0 ) − 1,17 636 Si T +β 4,77.10 - 4 0,74 235 Ge 5,40.10 - 4 1,519 204 GaAs KHAÙI QUAÙT VEÀ BAÙN DAÃN Nguyeân lyù daãn ñieän cuûa vaät lieäu baùn daãn loaïi N : E P Electron töï doLoã troáng P P P σ = nd .e.μ N Ñieän daãn suaát : KHAÙI QUAÙT VEÀ BAÙN DAÃN Nguyeân lyù daãn ñieän cuûa vaät lieäu baùn daãn loaïi P : E Electron töï do B BLoã troáng B B B σ = na .e.μ P Ñieän daãn suaát : TIEÁP XUÙC P/N Haït taûi ña soá Haït taûi ña soá Haït Haït taûi taûi E thieåu thieåu soá soá Baùn daãn loaïi N ...

Tài liệu được xem nhiều: