Bài tập ôn thi môn Dụng cụ bán dẫn – AY1213-S1

1. Với các trường hợp sau BJT hoạt động ở miền nào? a) NPN: VCB = 0.7V, VCE = 0.2V d) PNP: VEB = 0.6V, VCE = –4V b) NPN: VBE = 0.7V, VCE = 0.3V e) PNP: VCB = –0.6V, VCE = –5.4V c) NPN: VCB = 1.4V, VCE = 2.1V f) PNP: VCB = 0.9V, VCE=0.4V 2. Với hình 1 cho trước VCC = 12V và BJT có  = 100, hãy tìm RB và RC để cho BJT ở miền tích cực thuận có điểm hoạt động DC (điểm tĩnh Q) là ICQ = 3mA và VCEQ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài tập ôn thi môn Dụng cụ bán dẫn – AY1213-S1ĐHBK TpHCM–Khoa ĐĐT–BMĐTGVPT: Hồ Trung Mỹ Bài tập ôn thi môn Dụng cụ bán dẫn – AY1213-S1 (Ngoài các bài tập ở các chương BJT, JFET và MOSFET, SV làm thêm các BT sau)1. Với các trường hợp sau BJT hoạt động ở miền nào? a) NPN: VCB = 0.7V, VCE = 0.2V d) PNP: VEB = 0.6V, VCE = –4V b) NPN: VBE = 0.7V, VCE = 0.3V e) PNP: VCB = –0.6V, VCE = –5.4V c) NPN: VCB = 1.4V, VCE = 2.1V f) PNP: VCB = 0.9V, VCE=0.4V2. Với hình 1 cho trước VCC = 12V và BJT có  = 100, hãy tìm RB và RC để cho BJT ở miền tích cực thuận cóđiểm hoạt động DC (điểm tĩnh Q) là ICQ = 3mA và VCEQ = 6V. Giả sử giữ RB với giá trị vừa tìm được, hãy tìmgiá trị RC để mạch vẫn ở miền tích cực thuận. Hình 1 Hình 2 Hình 3 Hình 43. Với hình 2, hãy tìm RB, RC và RE để cho BJT ở miền tích cực thuận có điểm hoạt động DC (điểm tĩnh Q) làICQ = 4 mA và VCEQ = 4V. Biết VCC = 12V, VE = 4V và BJT có  = 100.4. Với hình 3, hãy tìm RB và RC để cho BJT ở miền tích cực thuận có điểm hoạt động DC (điểm tĩnh Q) là ICQ= 2 mA và VCEQ = 4V. Biết VCC = 10V và BJT có  = 100.5. Với hình 4, hãy tìm các giá trị của RC và RE để cho BJT ở chế độ tích cực thuận (biết β=100) với IC = 2mAvà VC = 4.3 V.6. Hãy tìm điểm làm việc DC (ICQ và VCEQ) của BJT trong các mạch sau và cho biết nó đang ở chế độ nào.Giả sử các BJT có β = 50 và biết BJT nếu ở chế độ tích cực thuận có |VBE| = 0.7 V.. Hình 57. Xét BJT loại NPN ở chế độ tích cực thuận. a) Hãy xác định IE,  và  cho BJT có IB = 5 µA và IC =0.62 mA b) Hãy xác định IB, IC, và  cho BJT có IE = 1.2 mA và  =0.99158. Hãy xác định miền làm việc của BJT loại NPN có  = 100 cho các trường hợp sau: a) IB = 50 µA và IC = 3 mA. b) IB = 50 µA và VCE = 5 V. c) VBE = –2 V và VCE = –1 V. DCBD–BTOT–AY1213-S1–trang 1/69. Hãy tìm hiệu suất phát e, hệ số vận chuyển miền nền B và  của BJT NPN với các tham số sau: NDE =1x1017cm–3, NAB = 1x1015cm–3, Dn = Dp, WB = 120nm, và Lp= Ln = 2µm. (a) (b) Hình 6 Hình 7 Hình 810. Cho mạch ở hình 6 với BJT có  =100, người ta muốn LED tắt khi VI = 0V và LED sáng với ILED = 20mAvà VLED = 2 V khi VI=5V. Hãy tính các giá trị linh kiện RB1 và R1 để cho LED sáng với BJT ở chế độ bão hòa.11. Cho mạch ở hình 7 với BJT có  =100, hãy xác định VI để có VCEQ = 6V.12. Cho mạch ở hình 8.(a) với BJT có IS = 5 x 10–16A và  >> 1 (để có IE  IC), hãy tìm VX trong trường hợp: a) không dùng xấp xỉ VBE ; b) dùng xấp xỉ VBE =0.7V.13. Cho mạch ở hình 8.(b) với BJT có IS = 5 x 10–17A , hãy tìm VX trong trường hợp: a) VA = ; b) VA =5V. Hình 9 Hình 1014. Cho mạch ở hình 9 với VCC = 5V, RE = 600, RC = 5.6K, R1 = 250K, R2 = 75K,  = 120 và VA =.Các tụ CC và CE đóng vai trò ghép và bypass tín hiệu AC, nghĩa là khi vẽ mô hình tín hiệu nhỏ ta sẽ nốt tắtchúng và khi phân tích DC sẽ hở mạch chúng. a) Tính điểm tĩnh Q của BJT (ICQ và VCEQ). b) Tính các tham số h của mô hình tín hiệu nhỏ. c) Tính hỗ dẫn gm và độ lợi áp AC AV = Vout/Vin d) Điện trở vào nhìn ở cực nền của BJT.15. Mạch gương dòng điện ở hình 10 với VCC = VEE = 6V và các BJT có cùng VBEQ = 0.7V, VA= ,  = 100.Giả sử cả 2 BJT có cùng đặc tính. a) Muốn có dòng điện chuẩn IR = 1mA thì R = ? b) Nếu IR = 2 mA thì điện trở tải RL phải thỏa điều kiện gì đễ mạch trên vẫn là nguồn dòng? c) Muốn có dòng ra IOUT có sai số so với IR không vượt quá 4% (nghĩa là (IR–IOUT)/IR  4%) thì  của BJT phải thỏa điều kiện gì? d) Trường hợp 2 BJT không có cùng đặc tính thì IOUT = ? Nếu IR = 1mA và diện tích miền phát của Q2 gấp 2 lần diện tích miền phát của Q1. DCBD–BTOT–AY1213-S1–trang 2/616. N-JFET có IDSS = 10mA và VTH = –4V. Hãy cho biết miền hoạt động của JFET này nếu người ta đo đượccác điện thế tại D, G và S so với đất trong các trường hợp sau: a) VD = 5V, VG = 3.5V, và VS = 4V. b) VD = 4V, VG = 1V, và VS = 5V. c) VD = 5.5V, VG = 1V, và VS = 5V.17. P-JFET có IDSS = 10mA và VTH = 4V. Hãy cho biết miền hoạt động của JFET này nếu người ta đo đượccác điện thế tại D, G và S so với đất trong các trường hợp sau: a) VD = –4V, VG = 3V, và VS = 2V. b) VD = –4V, VG = 2V, và VS = 1V. c) VD = –5V, VG = 1V, và VS = –2V.18. N-JFET có VTH = –4 V, IDSS = 10 mA và VA = ∞. a) Với VGS = –2 V, hãy tìm VDS tối thiểu để dụng cụ hoạt động ở miền bão hòa. Tính ID với VGS = –2 V và VDS = 3 V. b) Cho VDS = 3 V, hãy tìm sự t ...