Chương 6: BỘ NHỚ VÀ THIẾT BỊ LƯU TRỮ DỮ LIỆU

A. Cấu trúc vật lý B. Cấu trúc logic và cách truy nhập3Cấu trúc vật lýI. Bộ nhớ trong.• Đơn vị nhỏ nhất của bộ nhớ là một tế bào nhớ, mỗi một tế bào nhớ được sử dụng để lưu trữ một bit thông tin. • Nhiều bit thông tin gộp lại để biểu diễn cho một từ nhớ (từ nhớ có thể là 8 bit hoặc 16 bit), máy tính sử dụng từ nhớ là 8 bit (1 byte), mỗi byte có địa chỉ riêng gọi là địa chỉ vật lý và vi xử lý sẽ truy nhập...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Chương 6:BỘ NHỚ VÀ THIẾT BỊ LƯU TRỮ DỮ LIỆU 5/14/2013 Chương 6:BỘ NHỚ VÀ THIẾT BỊ LƯU TRỮ DỮ LIỆU Phạm Văn Thành Nội dungI. Bộ nhớ trong.II. Đĩa từ.III. Đĩa quang. 2 1 5/14/2013 I. Bộ nhớ trong.A. Cấu trúc vật lýB. Cấu trúc logic và cách truy nhập 3 Cấu trúc vật lý I. Bộ nhớ trong.• Đơn vị nhỏ nhất của bộ nhớ là một tế bào nhớ, mỗi một tế bào nhớ được sử dụng để lưu trữ một bit thông tin.• Nhiều bit thông tin gộp lại để biểu diễn cho một từ nhớ (từ nhớ có thể là 8 bit hoặc 16 bit), máy tính sử dụng từ nhớ là 8 bit (1 byte), mỗi byte có địa chỉ riêng gọi là địa chỉ vật lý và vi xử lý sẽ truy nhập dữ liệu theo địa chỉ vật lý này.• Quá trình truy nhập bộ nhớ trong được chia làm 2 chu kỳ: chu kỳ ghi và chu kỳ đọc.• Gồm có ba loại: 1. Bộ nhớ truy nhập bất kỳ RAM (random access memory) 2. Bộ nhớ chỉ đọc ROM (read only memory), 3. Bộ nhớ đệm Cache 4 2 5/14/2013 Cấu trúc vật lý I. Bộ nhớ trong.1. Bộ nhớ truy nhập bất kỳ RAM (random access memory) – Là bộ nhớ có khả năng đọc và ghi dữ liệu. – Bộ nhớ chính trong máy vi tính, được sử dụng để lưu trữ tất cả các lệnh và dữ liệu cho vi xử lý trong quá trình xử lý. – Truy nhập bất kỳ có nghĩa là dữ liệu được lưu trữ trong các từ (các byte) ở bộ nhớ và được đọc/ghi theo địa chỉ vật lý một cách bất kỳ. 5 Cấu trúc vật lý I. Bộ nhớ trong.1. Bộ nhớ truy nhập bất kỳ RAM (random access memory) – Là bộ nhớ bị mất dữ liệu khi bị máy tính bị ngắt nguồn điện vì vậy việc sử dụng thêm bộ nhớ ngoài (thiết bị lưu trữ) là rất cần thiết. – có 2 loại là: Bộ nhớ truy nhập bất kỳ tĩnh SRAM (static random access memory) Bộ nhớ truy nhập bất kỳ động DRAM (dynamic random access memory) 6 3 5/14/2013 Cấu trúc vật lý I. Bộ nhớ trong.1. Bộ nhớ truy nhập bất kỳ RAM Bộ nhớ truy nhập bất kỳ tĩnh SRAM (static random access memory): o Là loại RAM được cấu tạo từ các mạch Flip-Flop o Mỗi mạch flip-flop là một tế bào RAM tĩnh và được cấu tạo bởi 8 transistot hiệu ứng trường FET (field effect transistor). o Tĩnh chỉ ra rằng khi nguồn nuôi chưa bị cắt thì nội dung của ô nhớ vẫn được giữ nguyên mà không cần làm tươi như RAM động 7 Cấu trúc vật lý I. Bộ nhớ trong. Cấu tạo SRAM CS READ/WRITE C O LUM N ADDRESS S U P PO R T C IR C U IT R Y ROW SUPPORT CIRCUITRY Đ/c hàng RAS DATA I/O SRAM Chip Vcc BL BL W 8 4 5/14/2013 Cấu trúc vật lý I. Bộ nhớ trong.1. Bộ nhớ truy nhập bất kỳ RAM Bộ nhớ truy nhập bất kỳ tĩnh SRAM (static random access memory): o Các chân vi mạch SRAM được chia thành 4 nhóm chính: Chân địa chỉ (tín hiệu địa chỉ sẽ chọn ra từ nhớ cần truy nhập). Chân dữ liệu (nơi dữ liệu được đưa vào và ra khỏi bộ nhớ). Các chân tín hiệu điều khiển (/S chọn vi mạch, /G cho phép chọn bộ nhớ ra, /W cho phép ghi/đọc dữ liệu (khi ...