Danh mục

Conversion of bipolar resistive switching and threshold switching by controlling conductivity behavior and porous volumes of UiO-66 thin films

Số trang: 13      Loại file: pdf      Dung lượng: 4.02 MB      Lượt xem: 14      Lượt tải: 0    
tailieu_vip

Hỗ trợ phí lưu trữ khi tải xuống: 3,000 VND Tải xuống file đầy đủ (13 trang) 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

In the age of big data, a memory with cross-bar array architecture is urgently required to facilitate highdensity data storage. To eliminate the sneak path current of integrated circuits, threshold switchingbased selectors have been utilized simultaneously with resistive switching memories.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Conversion of bipolar resistive switching and threshold switching by controlling conductivity behavior and porous volumes of UiO-66 thin films

Tài liệu được xem nhiều: