Đánh giá hiệu suất của sơ đồ chỉnh lưu VIENNA 3 mức với van bán dẫn SiC gan và khả năng chịu lỗi của mạch
Số trang: 14
Loại file: pdf
Dung lượng: 2.54 MB
Lượt xem: 17
Lượt tải: 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Bài viết Đánh giá hiệu suất của sơ đồ chỉnh lưu VIENNA 3 mức với van bán dẫn SiC gan và khả năng chịu lỗi của mạch đánh giá sơ đồ VIENNA 3 Mức tần số cao điều khiển PWM sử dụng van bán dẫn SiC và GaN trong đó MOSFET SiC sẽ được coi là ưu tiên.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Đánh giá hiệu suất của sơ đồ chỉnh lưu VIENNA 3 mức với van bán dẫn SiC gan và khả năng chịu lỗi của mạch TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) ĐÁNH GIÁ HIỆU SUẤT CỦA SƠ ĐỒ CHỈNH LƯU VIENNA 3 MỨC VỚI VAN BÁN DẪN SIC/GAN VÀ KHẢ NĂNG CHỊU LỖI CỦA MẠCH PERFORMANCE EVALUATION OF 3-LEVEL VIENNA RECTIFIER WITH SIC/GAN SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUIT FAULT TOLERANCE Phạm Thị Thùy Linh Trường Đại học Điện lực Ngày nhận bài: 27/05/2022, Ngày chấp nhận đăng: 22/7/2022, Phản biện: PGS.TS. Phạm Tuấn Thành Tóm tắt: Các van bán dẫn sử dụng vật liệu wide-gap như SiC và GaN, hiện đang rất phổ biến với các thiết kế bộ biến đổi hiệu suất cao. Trên thực tế, việc tích hợp các van bán dẫn này có thể đạt được mức mật độ và hiệu suất năng lượng cao hơn nhiều so với sử dụng các van bán dẫn của thế hệ trước theo công nghệ silicon. Bài báo này đánh giá sơ đồ VIENNA 3 Mức tần số cao điều khiển PWM sử dụng van bán dẫn SiC và GaN trong đó MOSFET SiC sẽ được coi là ưu tiên. Hơn nữa, kết quả nghiên cứu về khả năng chịu lỗi của mạch điện cũng như giải pháp để bảo vệ mạch điện cũng được đề xuất và trình bày. Các tính toán và mô phỏng bằng phần mềm PSIM xác nhận tính hiệu quả của bộ biến đổi cũng như giải pháp bảo vệ được đề xuất. Từ khóa: Bộ biến đổi đa mức, VIENNA, hiệu chỉnh hệ số công suất, điều chế độ rộng xung, khả năng chịu lỗi. Abstract: The Wide-gap semiconductor materials, such as SiC and GaN, are now very popular with high efficiency converter designs. In fact, the integration of these semiconductor devices can achieve a much higher level of density and energy efficiency than using the previous generation of silicon- based semiconductor devices. This paper evaluates the 3-Level VIENNA high frequency PWM control using SiC and GaN semiconductor in which MOSFET SiC will be considered as the priority. Furthermore, research results on fault tolerance of converter as well as solutions to protect circuits are also proposed and presented. Calculations and simulations using PSIM software confirm the effectiveness of the converter as well as the proposed protection solution. Keywords: Multi-level converter, VIENNA, power factor correction, pulse width modulation, fault tolerant capability. 1. MỞ ĐẦU điện áp phía đầu ra tốt hơn [1-2]. Xu Các bộ AC/DC tích cực đã trở nên nổi hướng chung trong điện tử công suất là tiếng trong thập kỷ qua so với các bộ tăng tần số chuyển mạch van bán dẫn chỉnh lưu điôt và chỉnh lưu đa xung, vì có nhằm giảm thiểu sóng hài và qua đó giảm chất lượng dòng điện phía xoay chiều và kích thước bộ lọc. Tuy nhiên, việc tăng 6 Số 30 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) tần số chuyển mạch làm tổn thất chuyển sánh với sơ đồ có tính chất tương đương mạch tăng đáng kể ở mức công suất lớn. cụ thể là sơ đồ Double- Boost 3 mức Một số phương pháp để giảm tổn thất (hình 2). Tác giả cũng đã phân tích khả chuyển mạch, đồng thời cải thiện chất năng chịu lỗi của mạch, đưa ra giải pháp lượng điện năng, đã được đề xuất là thiết bảo vệ mạch và kiểm chứng hoạt động kế bộ biến đổi cộng hưởng và bộ biến đổi của sơ đồ bằng phần mềm mô phỏng đa mức. Trong số đó, bộ biến đổi PSIM. VIENNA ba mức đã được nghiên cứu 2. SƠ ĐỒ VIENNA AC/DC 3 MỨC MỘT trong một số bài báo và được áp dụng PHA rộng rãi trong các ngành công nghiệp khác nhau như UPS (cung cấp điện liên Sơ đồ VIENNA 3 mức một pha một chiều tục), viễn thông [1], hệ thống tuabin gió công suất như thể hiện ở hình 1. Trong đó [2] [3] và các hệ thống hiệu chỉnh hệ số chỉ có một van có điều khiển được sử công suất [4]. dụng chỉ bằng một nửa số van có điều khiển so với sơ đồ DOUBLE- BOOST 3 mức. Giả thiết rằng chế độ dẫn liên tục, điện áp đầu vào của bộ chỉnh lưu Vinput có trạng thái định nghĩa được xác định bởi các trạng thái ON / OFF của van bán dẫn có điều khiển và phân cực của dòng điện xoay chiều tại bất kỳ thời điểm hoạt động nào. Ví dụ, nếu dòng điện iAC (iL) dương và van bán dẫn có điều khiển Tr khóa, điện áp giữa cực A của bộ biến đổi và Hình 1. Bộ biến đổi AC/DC VIENNA 3 mức 1 pha điểm giữa O của bus một chiều, tương đương điện áp van là Vs. Đường đi của dòng điện trong trường hợp này được minh họa ở hình 3a. Nếu dòng điện iAC là dương và van bán dẫn Tr là dẫn, thì điện áp van bằng 0 và trong trường hợp đó đường đi của dòng điện được minh họa trong hình 3b. Tương tự như vậy, nếu dòng điện iAC là âm, điện áp van mang là Hình 2. Bộ biến đổi AC/DC DOUBLE BOOST -Vs nếu van bán dẫn Tr là khóa hoặc bằng ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Đánh giá hiệu suất của sơ đồ chỉnh lưu VIENNA 3 mức với van bán dẫn SiC gan và khả năng chịu lỗi của mạch TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) ĐÁNH GIÁ HIỆU SUẤT CỦA SƠ ĐỒ CHỈNH LƯU VIENNA 3 MỨC VỚI VAN BÁN DẪN SIC/GAN VÀ KHẢ NĂNG CHỊU LỖI CỦA MẠCH PERFORMANCE EVALUATION OF 3-LEVEL VIENNA RECTIFIER WITH SIC/GAN SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUIT FAULT TOLERANCE Phạm Thị Thùy Linh Trường Đại học Điện lực Ngày nhận bài: 27/05/2022, Ngày chấp nhận đăng: 22/7/2022, Phản biện: PGS.TS. Phạm Tuấn Thành Tóm tắt: Các van bán dẫn sử dụng vật liệu wide-gap như SiC và GaN, hiện đang rất phổ biến với các thiết kế bộ biến đổi hiệu suất cao. Trên thực tế, việc tích hợp các van bán dẫn này có thể đạt được mức mật độ và hiệu suất năng lượng cao hơn nhiều so với sử dụng các van bán dẫn của thế hệ trước theo công nghệ silicon. Bài báo này đánh giá sơ đồ VIENNA 3 Mức tần số cao điều khiển PWM sử dụng van bán dẫn SiC và GaN trong đó MOSFET SiC sẽ được coi là ưu tiên. Hơn nữa, kết quả nghiên cứu về khả năng chịu lỗi của mạch điện cũng như giải pháp để bảo vệ mạch điện cũng được đề xuất và trình bày. Các tính toán và mô phỏng bằng phần mềm PSIM xác nhận tính hiệu quả của bộ biến đổi cũng như giải pháp bảo vệ được đề xuất. Từ khóa: Bộ biến đổi đa mức, VIENNA, hiệu chỉnh hệ số công suất, điều chế độ rộng xung, khả năng chịu lỗi. Abstract: The Wide-gap semiconductor materials, such as SiC and GaN, are now very popular with high efficiency converter designs. In fact, the integration of these semiconductor devices can achieve a much higher level of density and energy efficiency than using the previous generation of silicon- based semiconductor devices. This paper evaluates the 3-Level VIENNA high frequency PWM control using SiC and GaN semiconductor in which MOSFET SiC will be considered as the priority. Furthermore, research results on fault tolerance of converter as well as solutions to protect circuits are also proposed and presented. Calculations and simulations using PSIM software confirm the effectiveness of the converter as well as the proposed protection solution. Keywords: Multi-level converter, VIENNA, power factor correction, pulse width modulation, fault tolerant capability. 1. MỞ ĐẦU điện áp phía đầu ra tốt hơn [1-2]. Xu Các bộ AC/DC tích cực đã trở nên nổi hướng chung trong điện tử công suất là tiếng trong thập kỷ qua so với các bộ tăng tần số chuyển mạch van bán dẫn chỉnh lưu điôt và chỉnh lưu đa xung, vì có nhằm giảm thiểu sóng hài và qua đó giảm chất lượng dòng điện phía xoay chiều và kích thước bộ lọc. Tuy nhiên, việc tăng 6 Số 30 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC (ISSN: 1859 - 4557) tần số chuyển mạch làm tổn thất chuyển sánh với sơ đồ có tính chất tương đương mạch tăng đáng kể ở mức công suất lớn. cụ thể là sơ đồ Double- Boost 3 mức Một số phương pháp để giảm tổn thất (hình 2). Tác giả cũng đã phân tích khả chuyển mạch, đồng thời cải thiện chất năng chịu lỗi của mạch, đưa ra giải pháp lượng điện năng, đã được đề xuất là thiết bảo vệ mạch và kiểm chứng hoạt động kế bộ biến đổi cộng hưởng và bộ biến đổi của sơ đồ bằng phần mềm mô phỏng đa mức. Trong số đó, bộ biến đổi PSIM. VIENNA ba mức đã được nghiên cứu 2. SƠ ĐỒ VIENNA AC/DC 3 MỨC MỘT trong một số bài báo và được áp dụng PHA rộng rãi trong các ngành công nghiệp khác nhau như UPS (cung cấp điện liên Sơ đồ VIENNA 3 mức một pha một chiều tục), viễn thông [1], hệ thống tuabin gió công suất như thể hiện ở hình 1. Trong đó [2] [3] và các hệ thống hiệu chỉnh hệ số chỉ có một van có điều khiển được sử công suất [4]. dụng chỉ bằng một nửa số van có điều khiển so với sơ đồ DOUBLE- BOOST 3 mức. Giả thiết rằng chế độ dẫn liên tục, điện áp đầu vào của bộ chỉnh lưu Vinput có trạng thái định nghĩa được xác định bởi các trạng thái ON / OFF của van bán dẫn có điều khiển và phân cực của dòng điện xoay chiều tại bất kỳ thời điểm hoạt động nào. Ví dụ, nếu dòng điện iAC (iL) dương và van bán dẫn có điều khiển Tr khóa, điện áp giữa cực A của bộ biến đổi và Hình 1. Bộ biến đổi AC/DC VIENNA 3 mức 1 pha điểm giữa O của bus một chiều, tương đương điện áp van là Vs. Đường đi của dòng điện trong trường hợp này được minh họa ở hình 3a. Nếu dòng điện iAC là dương và van bán dẫn Tr là dẫn, thì điện áp van bằng 0 và trong trường hợp đó đường đi của dòng điện được minh họa trong hình 3b. Tương tự như vậy, nếu dòng điện iAC là âm, điện áp van mang là Hình 2. Bộ biến đổi AC/DC DOUBLE BOOST -Vs nếu van bán dẫn Tr là khóa hoặc bằng ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Công nghệ năng lượng Sơ đồ chỉnh lưu VIENNA 3 mức Bộ biến đổi đa mức Hiệu chỉnh hệ số công suất Điều chế độ rộng xung Điều khiển PWMGợi ý tài liệu liên quan:
-
Sử dụng R trong phân tích hồi quy áp dụng cho dự án điện mặt trời áp mái
10 trang 394 0 0 -
Nghiên cứu đánh giá hiện trạng công nghệ điện mặt trời ở Việt Nam
4 trang 239 0 0 -
Làm chủ thiết kế và công nghệ chế tạo LED Driver công suất cao
7 trang 155 0 0 -
Xây dựng bộ điều khiển tốc độ cho hệ nhiều động cơ bằng phương pháp điều khiển cuốn chiếu
7 trang 102 0 0 -
10 trang 92 0 0
-
92 trang 90 0 0
-
Đánh giá tác động của biểu giá bán lẻ điện tới phát triển điện mặt trời mái nhà tại Việt Nam
12 trang 73 0 0 -
Khai thác năng lượng áp điện từ rung động của dầm cầu chịu tác dụng của tải trọng di động
9 trang 72 0 0 -
Giáo trình Mạch điện: Phần 2 - CĐ Giao thông Vận tải
27 trang 71 0 0 -
7 trang 44 0 0