Đáp án đề thi tốt nghiệp cao đẳng nghề khóa 3 (2009-2012) - Nghề: Điện tử công nghiệp - Môn thi: Lý thuyết chuyên môn nghề - Mã đề thi: ĐA ĐTCN-LT45

Để chuẩn bị tốt cho kì thi tốt nghiệp cao đẳng nghề Điện tử công nghiệp, mời các bạn sinh viên tham khảo Đáp án đề thi tốt nghiệp cao đẳng nghề khóa 3 (2009-2012) - Nghề: Điện tử công nghiệp - Môn thi: Lý thuyết chuyên môn nghề - Mã đề thi: ĐA ĐTCN-LT45 sau đây. Hi vọng tài liệu sẽ giúp các bạn ôn thi hiệu quả.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Đáp án đề thi tốt nghiệp cao đẳng nghề khóa 3 (2009-2012) - Nghề: Điện tử công nghiệp - Môn thi: Lý thuyết chuyên môn nghề - Mã đề thi: ĐA ĐTCN-LT45 CỘNGHOÀXÃHỘICHỦNGHĨAVIỆTNAM ĐộclậpTựdoHạnhphúc ĐÁPÁN ĐỀTHITỐTNGHIỆPCAOĐẲNGNGHỀKHÓA3(20092012) NGHỀ:ĐIỆNTỬCÔNGNGHIỆP MÔNTHI:LÝTHUYẾTCHUYÊNMÔNNGHỀ Mãđềthi:ĐAĐTCNLT45Câu Đápán Điểm 1 PhântíchloạimạchvàsốFFcầndùng. Modul16tươngứngvớibộđếmđầyđủ4bittừ15lùivềđến0rồilặp 0,5 lại. Sơđồmạchđếm A B C D 1 1 1 1 T Q T Q T Q T Q CK C LK Q C LK Q C LK Q C LK Q 0,5 SốđếmlàDCBA 0,5 Giảnđồxungcủamạchđếm CK A B C D 0,5 2 Cấutạo 0,5 Thysistorlàlinhkiệnchuyểnmạchcóđiềukhiểnlàmộtcấutrúcbándẫn Silíccó4lớp,tạothành3lớptiếpgiápPN. TừlớpbándẫnP1nốirangoàitạothànhcựcAnốt; TừlớpbándẫnN2nốirangoàitạothànhcựcKatốt; TừlớpbándẫnP2nốirangoàitạothànhcựcđiềukhiểnG. A A P1 Xungđ.khiển N1 P2 G N2 K K CấutrúcThysistor CấutạovàhìnhdángbênngoàicủaThysistorcórấtnhiềuloạikhácnhauvớidòngđiệntừmiliampeđếnhàngngànampevàcóthểchịuđựngđượcđiệnáptớihàngngànvôn.Dovậykíchthướccủachúngcũngnhưsựphatạotrong4vùngsilíccũngrấtkhácnhau. n(nồngđộ) Kíchthước P1 N1 P2 N2 SựphânbốnốngđộtạpchấttrongcácmiềncủaThysistorNguyênlýhoạtđộngcủaThysistorGiảithíchtheosơđồmắc02transistorvớinhau ĐểxétnguyênlýlàmviệccủaThysistortacóthểtưởngtượngchia 0,5linhkiệnnàyralàmhaiphầntươngtựnhưhaitransistorP1N1P2vàN1P2N2ghépvớinhaunhưhìnhvẽ: A Ia Ia P1 Ra α1.Ia RaGE2 T2,α2 N1 N1GC α2.Ia Ea P2 P2 T1,α1 GE1 N2 K SơđồdiễngiảicủaThysistor KhiđóchuyểntiếpGE1vàGE2phâncựcthuậncònchuyểntiếpGCphâncựcngược.QuatiếpgiápGE1sẽcóhệsốtruyềnđạtα1quatiếpgiápGE2sẽ cóhệsố truyềnđạtα2nhưvậydòngđiệnchạyquacáctransistorsẽlà: IC1=α1Ia+ICO1; IC2=α2Ia+ICO2 Nhưvậydòngđiệnmạchngoài: Ia=α1Ia+α2Ia+ICO; I CO Ia 1 ( 1 2 ) TrongđóICO=ICO1+ICO2cógiátrị rấtnhỏ làdòngngượcchạyquatransistorT1vàT2. GiảsửcựcđiềukhiểnGđượcnốivàoP2vàIG>0. I1 G I CO Ia 1 ( 1 2 ) KhicódòngđiệnIGmặttiếpgiápGE1càngphâncựcthuậndovậyhệ số truyềnđạtα1cũngtăngmạnhsẽ gópphầnlàmchotăng( ...