Danh mục

Đề thi học kỳ I năm học 2018-2019 môn Vật liệu bán dẫn - ĐH Sư phạm Kỹ thuật

Số trang: 1      Loại file: pdf      Dung lượng: 118.87 KB      Lượt xem: 19      Lượt tải: 0    
Thư viện của tui

Phí lưu trữ: miễn phí Tải xuống file đầy đủ (1 trang) 0
Xem trước 1 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Đề thi học kỳ I năm học 2018-2019 môn Vật liệu bán dẫn gồm 4 câu hỏi hệ thống lại kiến thức học phần và giúp các bạn sinh viên ôn tập kiến thức đã học, chuẩn bị cho kỳ thi sắp tới. Tài liệu hữu ích cho các các bạn sinh viên đang theo học và những ai quan tâm đến môn học này dùng làm tài liệu tham khảo.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Đề thi học kỳ I năm học 2018-2019 môn Vật liệu bán dẫn - ĐH Sư phạm Kỹ thuậtTRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT ĐỀ THI HỌC KỲINĂM HỌC 2018-2019 THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH Môn: Vật liệu bán dẫn KHOAKHOA HỌC ỨNG DỤNG Mã môn học: SEMA320712 Đề thi có 01 trang. Bộ môn Công nghệ Vật liệu Ngày thi: 28/12/2018 Thời gian: 60 phút ------------------------- SV được phép sử dụng tài liệu in hoặc viết trên giấyCâu 1:(2.5 điểm) Dựa vào kiến thức đã học, hãy giải thích tại sao nồng độ hạt tải điện củabán dẫn thuần (ni) rất nhạy cảm với độ rộng vùng cấm (Eg) và nhiệt độ của chất bán dẫn điện.Câu 2: (2.0 điểm) Tính nồng độ hạt tải điện của chất bán dẫn điện thuần (intrinsic) Silic ởđiều kiện nhiệt độ phòng (300 K). Cho biết Nc = 2.86  1019 (cm-3), NV = 3.10  1019 (cm-3),đọ rộng vùng cấm của Silic (Eg-Si) = 1.1242 (eV).Câu 3:(3.5 điểm) Chất bán dẫn điện GaAs được pha tạp với nồng độ pha tạp NA = 1016 (cm-3)ở nhiệt độ phòng. Cho biết độ rộng vùng cấm của GaAs (Eg-GaAs) = 1.43 (eV), NC = 4.4 1017 (cm-3), NV = 8.3  1018 (cm-3) a) Tính nồng độ hạt tải điện của bán dẫn thuần GaAs (ni); nồng độ hạt tải điện tử (no) và hạt tải điện lỗ trống (po) khi được pha tạp. b) Tìm vị trí mức Fermi khi GaAs được pha tạp? c) Vẽ giản đồ vùng năng lượng (vùng dẫn, vùng hóa trị, mức Fermi, ….)Câu 4:(2 điểm) a)Tính độ dẫn điện () của bán dẫn điện thuần Silic ở điều kiện nhiệt độ phòng (300K). Cho biết n = 1.41  1016 (m-3), e = 0.145 m2/Vs, p = 0.05 m2/Vs. b)Từ đó suy ra sự đóng góp vào độ dẫn điện của từng thành phần (điện tử và lỗ trống).Ghi chú:Cán bộ coi thi không được giải thích đề thi. Chuẩn đầu ra của học phần Nội dung kiểmtra[CĐR 3.1] Trình bày hiểu biết của mình thông qua năng lực giải quyết vấn Câu 1, 3(a)đề và trả lời các câu hỏi liên quan đến các khái niệm đã học.[CĐR 1.1] Trình bày hiểu biết của mình thông qua năng lực giải quyết vấnđề và trả lời các câu hỏi liên quan đến các khái niệm đã học.[CĐR 2.1.1] Vận dụng kiến thức về cơ học để giải bài tập có liên quan Câu 2, 3(a), 3(b)[CĐR 2.1.1] Vận dụng kiến thức về cơ chế dẫn, các phương trình cơ bản Câu 4của bán dẫn để giải thích các hiện tượng liên quan đến linh kiện bán dẫn vàgiải bài tập về linh kiện bán dẫn. Ngày 26 tháng 12 năm 2018 Thông qua Trưởng Bộ môn Trang1

Tài liệu được xem nhiều: