Thông tin tài liệu:
5.Hệ số ổn định nhiệt SKhi nhiệt độ thay đổi, các thông số transistor thay đổi như sau: ICBO tăng gaáp đôi khi nhiệt độ tăng lên 10oC.[ 8oC ( Si); 12oC(Ge)]. tăng gắp đôi khi nhiệt độ tăng 50oC ( Si) ; 80oC ( Ge). VBE giảm theo – 2,2mV / oC [ -2,5mV / oC (Si); - 1,6mV / oC ( Ge) ]. Vậy dòng thu là hàm số: IC = f ( ICBO, , VCE )
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Điện tử học : Mạch phân cực Transistor lưỡng cực nối part 4 5.Hệ số ổn định nhiệt SKhi nhiệt độ thay đổi, các thông số transistor thay đổi như sau: ICBO tăng gaáp đôi khi nhiệt độ tăng lên 10oC.[ 8oC ( Si); 12oC(Ge)]. tăng gắp đôi khi nhiệt độ tăng 50oC ( Si) ; 80oC ( Ge). VBE giảm theo – 2,2mV / oC [ -2,5mV / oC (Si); - 1,6mV / oC ( Ge) ]. Vậy dòng thu là hàm số: IC = f ( ICBO, , VCE )• Sự thay đổi dòng thu cho bởi: , ,V BE I C dI CBO I C d I C d VBE dI C I CBO I CBO V BE • Các hệ số ổn định nhiệt: I C S I I CBO I C S I C S V V BE Hệ số ổn định nhiệt trong mạch phân cực bằng cầu phân thế và RE.• Ta có:VBB = RBIB + VBE + REIE= RBIB + VBE + RE(IB+IC) = = VBE+ RBIB+REIC+REIB= VBE+ (RB+RI B B+R IC (1) I CBO E)I E 1 IC = + (2). I C 1 Thay (2) vào (1): V BB RB RE I CBO V BE REI C RB RE I C RB RE 1 ICBO REIC Hay:V BB V BE• Sắp xếp lại: V BB V BE R B 1 R E I C R B R E 1 I CBOHay: V V BE 1 R R B E BB I I C CBO 1 R E 1 R R R B B ETính được: 1 R B R E I C SI R B 1 R E I CBO 1 RDo : nên: ? R E B R B R E 1 RB SI RE RE SI càng nhoû mạch càng ổn định ( 1- 11), SI = 11 là trị số tối ưu.• Tương tự: 1 S V 1 R E R RE B R B R E V B B V B E R B I C B O IC S 2 R B 1R E• Vì trong công thức vẫn còn chứa cả ICBO, VCE, nên ta có thể tính theo cách sau: RB 1 RE V BB V BE RB RE 1 I CBO IC Suy ra: R B 2 1 R E R B 1 1 R E I C1 I C2 2 1 I C2 R B 2 1 R E 2 R B 1 1 R E 1 I C1