Danh mục

Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 10

Số trang: 6      Loại file: pdf      Dung lượng: 497.55 KB      Lượt xem: 14      Lượt tải: 0    
10.10.2023

Hỗ trợ phí lưu trữ khi tải xuống: 3,000 VND Tải xuống file đầy đủ (6 trang) 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

4. Mạch phân cực MOSFET  DMOSFET ( kênh n) hoạt động khi phân cực VGS 0 phân cực giống như EMOSFET.  EMOSFET (kênh n) hoạt dộng khiVGS VTH dương, nên áp dụng cách phân cực : -bằng cầu chia thế và -hồi tiếp thoát - cổng. Dưới đây ta chỉ xét 2 cách phân cực nói trên, các cách khác xem lại ở JFET.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 10So sánh đặc tuyến của EMOSFET vàDMOSFETDMOSFET kênh n4. Mạch phân cực MOSFET DMOSFET ( kênh n) hoạt động khi phân cực VGS < O nên các mạch phân cực đều giống như mạch phân cực JFET , khi VGS > 0 phân cực giống như EMOSFET. EMOSFET (kênh n) hoạt dộng khi VGS >VTH dương, nên áp dụng cách phân cực : -bằng cầu chia thế và -hồi tiếp thoát - cổng. Dưới đây ta chỉ xét 2 cách phân cực nói trên, các cách khác xem lại ở JFET.a.a. Phân cực bằng cầu chia thế và RS • Xác định điểm tĩnh điều hành Q:  R2 V DD VG + VDD R1  R2 V S  RS I D ID RD R1 1 V GSQ  V G V S  0 + 2 Q I DQ  k V GSQ V TH   2 VDS - + VGS V DS  V DD   RD  RS  I D  3 - ID R2 RS • Đường tải tĩnh: V DS  V DD  4  ID RD  RS RD  RS• Mạch có thể bỏ điện trở RS vì FET ổn định đối với nhiệt độ Các phép tính giống như trên nhưng cho Rs = 0b.Phânb.Phân cực bằng điện trở hồi tiếp RG • Xác định điểm tĩnh điều hành Q: + VDD 1 V GSQ  V ds  V TH 2 I DQ  k V GSQ V TH   2 RD RG  3 V DS  V DD  RD I D + ID Q VDS • Đường tải tĩnh: + - VGS - V DS V DD  4 ID   RD RD

Tài liệu được xem nhiều: