Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 3

b.Khi cho VDS = h.s và VGS
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 3regions further widen near the drain end, eventually pinching off the channel. This corresponds to the saturation region saturation Gate Source Drain p n Channel p Pinched-off channel b.Khi b.Khi cho VDS = h.s và VGS VGS = 5 V G p+ SCL n S D VDSF ig . 6 .3 2 : W h e n V G S = 5 V th e d e p le tio n la y e r s c lo se t h ew h o le c h a n n e l f r o m th e s ta r t, a t V D S = 0 . A s V D S is in c r e a s e dt h e r e is a v e r y s m a l l d r a i n c u r r e n t w h i c h is t h e s m a l l r e v e r s ele a k a g e c u r r e n t d u e to th e r m a l g e n e r a tio n o f c a r r ie r s in th ed e p le tio n la y e r s .F r o m P r i n c i p l e s o f E l e c t r o n i c M a t e r i a l s a n d D e v i c e s , S e c o n d E d i t i o n , S . O . K a s a p ( © M c G r a w - H il l , 2 0 0 2 )h t t p : / / M a t e ria l s . U s a s k . C aII.II. Đặc tuyến và công thức dòng thoát ID1.Đặc tuyến ngõ ra ID = f(VDS) tạiVGS=h,s.Có 3 vùng: Vùng điện trở Vùng bão hoà Vùng ngưng Figure 9.41 JFET characteristic characteristic curves 4m 0V 3m – 0.5 V 2m – 1.0 V 2m – 1.5 V800 u – 2.0 V – 2.5 V VGS = – 3 V 0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 Drain-source voltage, V