Electronic principles - Chapter 8
Số trang: 28
Loại file: ppt
Dung lượng: 339.50 KB
Lượt xem: 11
Lượt tải: 0
Xem trước 3 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Tham khảo tài liệu electronic principles - chapter 8, kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Electronic principles - Chapter 8 Chương 8Phân cực BJT Từ Vựng (1)• Collector-feedback bias = phân cực hồi tiếp cực thu• Emitter-feedback bias = phân cực hồi tiếp cực phát• Firm voltage divider = cầu chia áp• PNP transistor• Prototype = [sản phẩm] mẫu• Q point = điểm [tĩnh] Q• Self-bias = tự phân cực• Stage = tầng Từ Vựng (2)• Stiff voltage divider = mạch chia áp hằng• Two-supply emitter bias (TSEB) = phân cực phát với 2 nguồn cấp điện• Voltage-divider bias = phân cực bằng mạch chia áp Nội dung chương 8 Phân cực bằng mạch chia áp (VDB)1.2. Phân tích VDB chính xác Đường tải VDB và điểm Q3. Phân cực dòng phát hằng với 24. nguồn cấp điện5. Các kiểu phân cực khác6. Troubleshooting7. Transistor PNP8-1 Phân cực bằng mạch chia áp (VDB)Phân cực bằng mạch chia áp (VDB) +VCC { RC R1 R1 and R2 tạo thành mạch chia áp R2 RE H.8-1 a) Mạch phân cực VDB +VCCPhân tích mạch chia áp R1 R2 VBB = VCC +VBB R1 + R2 R2 GIẢ THIẾT: Dòng nền nhỏ hơn nhiều dòng qua mạch chia áp Mạch VDB đơn giản hóa +VCCHoàn tất phân tích: VBB - VBE RC IE = RE IC ≅ IE VC = VCC - ICRC VCE = VC - VE VBB RE Quá trình 6 bước1. Tính điện áp nền 4. Xác định sụt áp trên VB bằng phương điện trở ở cực thu RC. trình mạch chia áp.2. Trừ 0.7 V để có 5. Trừ vào VCC có được điện áp phát VE. điện áp thu VC.3. Chia cho điện trở 6. Tính sụt áp C-E: phát RE để có được VCE = VC – VE . dòng phát IE.8-2 Phân tích VDB chính xác Mạch chia áp có phải là +VCC nguồn hằng không? { RC R1Tìm điện trở Thevenin RTH = R1 R2 R2 REMô hình Thevenincủa mạch phân cực: +VCC RC RTH VBB REÁp dụng qui tắc 100:1vào mạch phân cực: +VCC RC RTH < 0.01 RIN RTH RIN VBB RE Khi đạt quy tắc này, mạch chia áp không đổiĐôi khi mạch chia áp không đổi +VCCđược chọn theo: R1 R2 < 0.1 β dcRE RC R1Xấp xỉ gần hơn: VBB - VBE IE = R2 RE R1 R2 RE + β dc8-3 Đường tải VDB và điểm Q• Vì VDB xuất phát từ phân cực phát nên Q không bị ảnh hưởng bởi độ lợi dòng.• Thay đổi điểm Q bằng cách thay đổi điện trở phát RE.8-4 Phân cực [dòng] phát [hằng] với 2 nguồn cấp điện (TSEB) Mạch TSEB 3.6 kΩ 10 V VEE - 0.7 V IE = RE Giả sử VB=0 V 2.7 kΩ 1 kΩ 2 V - 0.7 V 2VIE = = 1.3 mA 1 kΩ Tìm các điện áp: 3.6 kΩ 10 VVC = 10 V - (1.3 mA)(3.6 kΩ ) = 5.32 VVCE = 5.32 V - (-0.7 V) = 6.02 V 2.7 kΩ 1 kΩ 2V8-5 Các kiểu phân cực khác +VCCPhân cực [dòng] nền [hằng] RC RB• Khó biết trước• Điểm Q di chuyển khi thay BJT• Điểm Q di chuyển theo nhiệt độ• Không thực tế
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Electronic principles - Chapter 8 Chương 8Phân cực BJT Từ Vựng (1)• Collector-feedback bias = phân cực hồi tiếp cực thu• Emitter-feedback bias = phân cực hồi tiếp cực phát• Firm voltage divider = cầu chia áp• PNP transistor• Prototype = [sản phẩm] mẫu• Q point = điểm [tĩnh] Q• Self-bias = tự phân cực• Stage = tầng Từ Vựng (2)• Stiff voltage divider = mạch chia áp hằng• Two-supply emitter bias (TSEB) = phân cực phát với 2 nguồn cấp điện• Voltage-divider bias = phân cực bằng mạch chia áp Nội dung chương 8 Phân cực bằng mạch chia áp (VDB)1.2. Phân tích VDB chính xác Đường tải VDB và điểm Q3. Phân cực dòng phát hằng với 24. nguồn cấp điện5. Các kiểu phân cực khác6. Troubleshooting7. Transistor PNP8-1 Phân cực bằng mạch chia áp (VDB)Phân cực bằng mạch chia áp (VDB) +VCC { RC R1 R1 and R2 tạo thành mạch chia áp R2 RE H.8-1 a) Mạch phân cực VDB +VCCPhân tích mạch chia áp R1 R2 VBB = VCC +VBB R1 + R2 R2 GIẢ THIẾT: Dòng nền nhỏ hơn nhiều dòng qua mạch chia áp Mạch VDB đơn giản hóa +VCCHoàn tất phân tích: VBB - VBE RC IE = RE IC ≅ IE VC = VCC - ICRC VCE = VC - VE VBB RE Quá trình 6 bước1. Tính điện áp nền 4. Xác định sụt áp trên VB bằng phương điện trở ở cực thu RC. trình mạch chia áp.2. Trừ 0.7 V để có 5. Trừ vào VCC có được điện áp phát VE. điện áp thu VC.3. Chia cho điện trở 6. Tính sụt áp C-E: phát RE để có được VCE = VC – VE . dòng phát IE.8-2 Phân tích VDB chính xác Mạch chia áp có phải là +VCC nguồn hằng không? { RC R1Tìm điện trở Thevenin RTH = R1 R2 R2 REMô hình Thevenincủa mạch phân cực: +VCC RC RTH VBB REÁp dụng qui tắc 100:1vào mạch phân cực: +VCC RC RTH < 0.01 RIN RTH RIN VBB RE Khi đạt quy tắc này, mạch chia áp không đổiĐôi khi mạch chia áp không đổi +VCCđược chọn theo: R1 R2 < 0.1 β dcRE RC R1Xấp xỉ gần hơn: VBB - VBE IE = R2 RE R1 R2 RE + β dc8-3 Đường tải VDB và điểm Q• Vì VDB xuất phát từ phân cực phát nên Q không bị ảnh hưởng bởi độ lợi dòng.• Thay đổi điểm Q bằng cách thay đổi điện trở phát RE.8-4 Phân cực [dòng] phát [hằng] với 2 nguồn cấp điện (TSEB) Mạch TSEB 3.6 kΩ 10 V VEE - 0.7 V IE = RE Giả sử VB=0 V 2.7 kΩ 1 kΩ 2 V - 0.7 V 2VIE = = 1.3 mA 1 kΩ Tìm các điện áp: 3.6 kΩ 10 VVC = 10 V - (1.3 mA)(3.6 kΩ ) = 5.32 VVCE = 5.32 V - (-0.7 V) = 6.02 V 2.7 kΩ 1 kΩ 2V8-5 Các kiểu phân cực khác +VCCPhân cực [dòng] nền [hằng] RC RB• Khó biết trước• Điểm Q di chuyển khi thay BJT• Điểm Q di chuyển theo nhiệt độ• Không thực tế
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
phân cực BJT nguyên tắc điện tử kỹ thuật điện tử vi mạch điện tử thiết kế mạch giáo án điện tửGợi ý tài liệu liên quan:
-
58 trang 330 2 0
-
Kỹ Thuật Đo Lường - TS. Nguyễn Hữu Công phần 6
18 trang 304 0 0 -
Giáo án Tin học lớp 8 bài 16: Tin học với nghề nghiệp
3 trang 272 0 0 -
Giáo án Tin học lớp 8 bài 5: Sử dụng bảng tính giải quyết bài toán thực tế
5 trang 243 0 0 -
Giáo trình Kỹ thuật điện (Nghề: Điện tử công nghiệp - Trung cấp) - Trường Cao đẳng Cơ giới
124 trang 236 2 0 -
Đồ án môn Điện tử công suất: Thiết kế mạch DC - DC boost converter
14 trang 236 0 0 -
Báo cáo thưc hành: Thiết kế mạch bằng phần mềm altium
9 trang 232 0 0 -
ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP: THIẾT KẾ HỆ THỐNG CUNG CẤP ĐIỆN CHO NHÀ MÁY SẢN XUẤT GẠCH MEN SHIJAR
63 trang 229 0 0 -
79 trang 226 0 0
-
Đồ án: Kỹ thuật xử lý ảnh sử dụng biến đổi Wavelet
41 trang 218 0 0