Danh mục

Fabrication, electrical characterization and device simulation of vertical P3HT field-effect transistors

Số trang: 14      Loại file: pdf      Dung lượng: 5.50 MB      Lượt xem: 8      Lượt tải: 0    
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Vertical organic field-effect transistors (VOFETs) provide an advantage over lateral ones with respect to the possibility to conveniently reduce the channel length. This is beneficial for increasing both the cut-off frequency and current density in organic field-effect transistor devices.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Fabrication, electrical characterization and device simulation of vertical P3HT field-effect transistors

Tài liệu được xem nhiều: