Fabrication of Cs2TeI6 film by annealing CsI film in TeI4 vapour: Effect of annealing temperature
Số trang: 11
Loại file: pdf
Dung lượng: 797.50 KB
Lượt xem: 11
Lượt tải: 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Halide perovskites are now considered promising materials in the field of optoelectronic devices. Recently, the double halide-perovskite cesium tellurium iodine Cs2TeI6 has shown its potential application due to its strong stability, high absorption coefficient, suitable bandgap and composition of non-toxic elements.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Fabrication of Cs2TeI6 film by annealing CsI film in TeI4 vapour: Effect of annealing temperature
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Fabrication of Cs2TeI6 film by annealing CsI film in TeI4 vapour: Effect of annealing temperature
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Halide perovskite Cesium tellurium iodide Chemical vapor deposition method Absorbing layer Thin filmTài liệu liên quan:
-
7 trang 13 0 0
-
CuAlS2 thin films - Dip coating deposition and characterization
10 trang 12 0 0 -
6 trang 12 0 0
-
7 trang 11 0 0
-
Phase transition in magnetic ultra-thin films
7 trang 10 0 0 -
7 trang 5 0 0