Giáo trình linh kiện_Phần 12
Số trang: 7
Loại file: pdf
Dung lượng: 505.97 KB
Lượt xem: 18
Lượt tải: 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Tham khảo tài liệu giáo trình linh kiện_phần 12, kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình linh kiện_Phần 12Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Như vậy, VCB(off) = VOC = VCC. Vùng bảo hoà và vùng ngưng là vùng hoạt động không tuyến tính của BJT. Đối với mạch cực phát chung, ta cũng có thể khảo sát tương tự. VIII. KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT. Qua khảo sát ở phần trước, người ta có thể dùng kiểu mẫu gần đúng sau đây của transistor trong mạch điện một chiều: E C E C IC=αDCIE≈IE IE ≈ αDCIE B Transistor N P N B E C E C IC=αDCIE≈IE IE ≈ αDCIE B Transistor PNP B Hình 26 Tuy nhiên, khi tính các thành phần dòng điện và điện thế một chiều của transistor, người ta thường tính trực tiếp trên mạch điện với chú ý là điện thế thềm VBE khi phân cực thuận là 0,3V đối với Ge và 0,7V đối với Si. Thí dụ 1: tính IE, IC và VCB của mạch cực nền chung như sau: Trang 78 Biên soạn: Trương Văn TámSimpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Si RE RC - + IE IC 0,7V VCB +- VEE VCC Si RE RC - + IE IC 0,7V VCB -+ VEE VCC Hình 27 Ta dùng 3 bước: VEE − 0,7 ; IC # αDC # IE Mạch nền phát (ngõ vào): I E = RE Áp dụng định luật kirchoff (ngõ ra), ta có: − Với transistor NPN: VCB = VCC - RC.IC; VCB > 0 − Với transistor PNP: VCB = -VCC + RC.IC; VCB Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình − Với transistor NPN: VCE = VCC -RC IC >0 − Với transistor PNP: VCE = -VCC + RC.IC Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình vBE(t) = VBE + vbe(t) Thành phần tức thời = thành phần DC + thành phần xoay chiều. Trong mô hình các dòng điện chạy trong transistor ta thấy: điểm B’ nằm trong vùng nền được xem như trung tâm giao lưu của các dòng điện. Do nối nền phát phân cực thuận nên giữa B’ và E cũng có một điện trở động re giống như điện trở động rd trong nối P-N 26mV khi phân cực thuận nên: re = p n+ n- IE B’ E C ie ic ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình linh kiện_Phần 12Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Như vậy, VCB(off) = VOC = VCC. Vùng bảo hoà và vùng ngưng là vùng hoạt động không tuyến tính của BJT. Đối với mạch cực phát chung, ta cũng có thể khảo sát tương tự. VIII. KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT. Qua khảo sát ở phần trước, người ta có thể dùng kiểu mẫu gần đúng sau đây của transistor trong mạch điện một chiều: E C E C IC=αDCIE≈IE IE ≈ αDCIE B Transistor N P N B E C E C IC=αDCIE≈IE IE ≈ αDCIE B Transistor PNP B Hình 26 Tuy nhiên, khi tính các thành phần dòng điện và điện thế một chiều của transistor, người ta thường tính trực tiếp trên mạch điện với chú ý là điện thế thềm VBE khi phân cực thuận là 0,3V đối với Ge và 0,7V đối với Si. Thí dụ 1: tính IE, IC và VCB của mạch cực nền chung như sau: Trang 78 Biên soạn: Trương Văn TámSimpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Si RE RC - + IE IC 0,7V VCB +- VEE VCC Si RE RC - + IE IC 0,7V VCB -+ VEE VCC Hình 27 Ta dùng 3 bước: VEE − 0,7 ; IC # αDC # IE Mạch nền phát (ngõ vào): I E = RE Áp dụng định luật kirchoff (ngõ ra), ta có: − Với transistor NPN: VCB = VCC - RC.IC; VCB > 0 − Với transistor PNP: VCB = -VCC + RC.IC; VCB Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình − Với transistor NPN: VCE = VCC -RC IC >0 − Với transistor PNP: VCE = -VCC + RC.IC Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình vBE(t) = VBE + vbe(t) Thành phần tức thời = thành phần DC + thành phần xoay chiều. Trong mô hình các dòng điện chạy trong transistor ta thấy: điểm B’ nằm trong vùng nền được xem như trung tâm giao lưu của các dòng điện. Do nối nền phát phân cực thuận nên giữa B’ và E cũng có một điện trở động re giống như điện trở động rd trong nối P-N 26mV khi phân cực thuận nên: re = p n+ n- IE B’ E C ie ic ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
giáo trình mạch điện tử bài giảng điện tử giáo trình thiết kế điện Trang bị điện điện tử công nghiệpTài liệu liên quan:
-
BÀI GIẢNG LẬP TRÌNH GHÉP NỐI THIẾT BỊ NGOẠI VI
42 trang 262 2 0 -
Giáo trình Kỹ thuật điện (Nghề: Điện tử công nghiệp - Trung cấp) - Trường Cao đẳng Cơ giới
124 trang 237 2 0 -
ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP: THIẾT KẾ HỆ THỐNG CUNG CẤP ĐIỆN CHO NHÀ MÁY SẢN XUẤT GẠCH MEN SHIJAR
63 trang 233 0 0 -
82 trang 227 0 0
-
71 trang 184 0 0
-
Đồ án tốt nghiệp Điện tự động công nghiệp: Thiết kế bộ đo tần số đa năng
50 trang 176 0 0 -
78 trang 175 0 0
-
Giáo trình Mạch điện tử - Trường Cao đẳng nghề Số 20
97 trang 170 0 0 -
49 trang 157 0 0
-
HƯỚNG DẪN THIẾT KẾ BÀI GIẢNG BẰNG LECTURE MAKER
24 trang 149 0 0