Danh mục

Giáo trình linh kiện_Phần 14

Số trang: 7      Loại file: pdf      Dung lượng: 513.91 KB      Lượt xem: 11      Lượt tải: 0    
Jamona

Phí tải xuống: 3,000 VND Tải xuống file đầy đủ (7 trang) 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Tham khảo tài liệu giáo trình linh kiện_phần 14, kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình linh kiện_Phần 14Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Thông lộ (kênh) N- Vùng Vùng Vùng cổng nguồn thoát P N+ N+ Thân p- (được nối với cổng) Hình 1 JFET Kênh P Ký hiệu n S D D p+ p+ G n- S Kênh p- G Tiếp xúc kim loại JFET Kênh N p S D D n+ n+ G p- S Kênh n- G S (Source): cực nguồn Tiếp xúc kim loại D (Drain): cực thoát G (Gate): cưc cổng Hình 2 Nếu so sánh với BJT, ta thấy: cực thoát D tương đương với cực thu C, cực nguồn S tương đương với cực phát E và cực cổng G tương đương với cực nền B. Trang 92 Biên soạn: Trương Văn TámSimpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình − JFET kênh N tương đương với transistor NPN. − JFET kênh P tương đương với transistor PNP. Thoát ≈ Thu D C G B JFET BJT ≈ Kênh N NPN Nguồn ≈ Phát S E C D B BJT ≈ G JFET PNP Kênh P E S Cổng ≈ Nền Hình 3 Cũng giống như transistor NPN được sử dụng thông dụng hơn transistor PNP do dùng tốt hơn ở tần số cao. JFET kênh N cũng thông dụng hơn JFET kênh P với cùng một lý do. Phần sau, ta khảo sát ở JFET kênh N, với JFET kênh P, các tính chất cũng tương tự. II. CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG CỦA JFET: Khi chưa phân cực, do nồng độ chất pha không đồng đều trong JFET kênh N nên ta thấy vùng hiếm rộng ở thông lộ n- và thân p-, vùng hiếm hẹp ở vùng thoát và nguồn n+. Vùng hiếm Gate p n+ n+ Kênh n- S D Thân p- Hình 4 Trang 93 Biên soạn: Trương Văn TámSimpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Bây giờ, nếu ta mắc cực nguồn S và cực cổng G xuống mass, nghĩa là điện thế VGS=0V. Điều chỉnh điện thế VDS giữa cực thoát và cực nguồn, chúng ta sẽ khảo sát dòng điện qua JFET khi điện thế VDS thay đổi. Vì vùng thoát n+ nối với cực dương và vùng cổng G nối với cực âm của nguồn điện VDS nên nối PN ở vùng thoát được phân cực nghịch, do đó vùng hiếm ở đây rộng ra (xem hình vẽ) VDS Nối P-N ở vùng thoát được phân VGS = 0V S G D ...

Tài liệu được xem nhiều:

Gợi ý tài liệu liên quan: