Giáo trình linh kiện_Phần 5

Dưới tác dụng của điện trường, các điện tử và lỗ trống di chuyển với vận tốc trung bình vn=µn.E và vp=µp.E. Số điện tử và lỗ trống di chuyển thay đổi theo mỗi thời điểm, vì tại mỗi thời điểm có một số điện tử và lỗ trống được sinh ra dưới tác dụng của nhiệt năng. Số điện tử sinh ra trong mỗi đơn vị thời gian gọi là tốc độ sinh tạo g. Những điện tử này có đời sống trung bình τn vì trong khi di chuyển điện tử có thể gặp một lỗ trống có...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình linh kiện_Phần 5Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Trong chất bán dẫn loại N, ta có n>>p nên σ ≅ σn = n.µn.e Trong chất bán dẫn loại P, ta có p>>n nên σ ≅ σp = n.µp.e IV. CƠ CHẾ DẪN ĐIỆN TRONG CHẤT BÁN DẪN: Dưới tác dụng của điện trường, các điện tử và lỗ trống di chuyển với vận tốc trung bình vn=µn.E và vp=µp.E. Số điện tử và lỗ trống di chuyển thay đổi theo mỗi thời điểm, vì tại mỗi thời điểm có một số điện tử và lỗ trống được sinh ra dưới tác dụng của nhiệt năng. Số điện tử sinh ra trong mỗi đơn vị thời gian gọi là tốc độ sinh tạo g. Những điện tử này có đời sống trung bình τn vì trong khi di chuyển điện tử có thể gặp một lỗ trống có cùng năng lượng và tái hợp với lỗ trống này. Nếu gọi n là mật độ điện tử, trong một đơn vị thời gian số điện tử bị mất đi vì sự tái hợp là n/τn. Ngoài ra, trong chất bán dẫn, sự phân bố của mật độ điện tử và lỗ trống có thể không đều, do đó có sự khuếch tán của điện tử từ vùng có nhiều điện tử sang vùng có ít điện tử. Xét một mẫu bán dẫn không đều có mật độ điện tử được phân bố như hình vẽ. Tại một điểm M trên tiết diện A, số điện tử đi ngang qua tiết diện này (do sự khuếch tán) tỉ lệ với dn/dx, với diện tích của điện tử và với tiết diện A. M vkt x Hình 12 dn In kt = D n .e. A 0 dx Và mật độ dòng điện khuếch tán của lỗ trống là: Trang 29 Biên soạn: Trương Văn TámSimpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình dp Jp kt = e.D p . dx Người ta chứng minh được rằng: D p D n KT T = = = VT = µp µn e 11.600 Với: K là hằng số Boltzman = 1,382.10-23J/0K T là nhiệt độ tuyệt đối. Hệ thức này được gọi là hệ thức Einstein. Ở nhiệt độ bình thường (3000K): VT=0,026V=26mV V. PHƯƠNG TRÌNH LIÊN TỤC: Xét một hình hộp có tiết diện A, chiều dài dx đặt trong một mẩu bán dẫn có dòng điện lỗ trống Ip đi qua. Tại một điểm có hoành độ x, cường độ dòng điện là Ip. Tại mặt có hoành độ là x+dx, cường độ dòng điện là Ip+dIp. Gọi P là mật độ lỗ trống trong hình p hộp, τp là đời sống trung bình của lỗ trống. Trong mỗi giây có lỗ trống bị mất đi do sự τp tái hợp. Vậy mỗi giây, điện tích bên trong hộp giảm đi một lượng là: p G 1 = e.A.dx. (do tái hợp) τp Đồng thời điện tích trong hộp cũng mất đi một lượng: G2=dIp (do khuếch tán). dx A Ip Ip+dIp x+dx x x Ip Gọi g là mật độ lỗ trống được sinh ra do tác dụng nhiệt, trong mỗi giây, điện tích trong hộp Hình 13 tăng lên một lượng là: T1=e.A.dx.g Vậy điện tích trong hộp đã biến thiên một lượng là: p T1 − (G 1 + G 2 ) = e.A.dx.g − e.A.dx. − dIp τp dp Độ biến thiên đó bằng: e.A.dx. dt Vậy ta có phương trình: dp p dIp 1 =g− − . (1) τ p dx e.A dt Nếu mẩu bán dẫn ở trạng thái cân bằng nhiệt và không có dòng điện đi qua, ta có: Trang 30 Biên soạn: Trương Văn TámSimpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình d ...