Giáo trình linh kiện_Phần 7

Ở nhiệt độ bình thường, nếu IQ = 100mA thì rd = 0,26Ω. Trong một nối P-N thực, vì có tiếp trở giữa các mối nối, điện trở giữa hai vùng bán dẫn P và N nên điện trở động thực sự lớn hơn nhiều so với trị số tính được, thông thường khoảng vài chục Ω.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình linh kiện_Phần 7Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình ⎡ 1 ηV ⎤ V dI = I0 ⎢ .e T ⎥ ηVT dV ⎢ ⎥ ⎣ ⎦ Ngoài ra, ⎡ ηV ⎤ V ηVT I = I0 .⎢e − 1⎥ = I0 .e − I0 VT ⎢ ⎥ ⎣ ⎦ V Hay I + I0 = I0 .e ηVT dI I + I0 = Do đó, dV ηVT Và điện trở động là: ηVT dI rd = = dV I + I0 ηVT Thông thường, I >> I0 nên rd = I 0 Ở nhiệt độ bình thường (25 C), VT = 26mV, điện trở động là: η.26mV rd = I(mA) Với dòng điện I khá lớn, η=1, điện trở động rd có thể được tính theo công thức: 26mV rd = I(mA) Ở nhiệt độ bình thường, nếu IQ = 100mA thì rd = 0,26Ω. Trong một nối P-N thực, vì có tiếp trở giữa các mối nối, điện trở giữa hai vùng bán dẫn P và N nên điện trở động thực sự lớn hơn nhiều so với trị số tính được, thông thường khoảng vài chục Ω. Điện trở nối rp rd rn rac=ro = rac = rp+rn+rd Điện trở vùng P Điện trở vùng N = rb+rd Hình 11 Đây cũng chính là kiểu mẫu của Diode với tín hiệu nhỏ. Người ta cũng định nghĩa điện trở động khi phân cực nghịch dV rr = dI Q Trang 43 Biên soạn: Trương Văn TámSimpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Vì độ dốc của tiếp tuyến tại Q khi nối P-N phân cực nghịch rất nhỏ nên điện trở động rr rất lớn, hàng MΩ. V. ĐIỆN DUNG CỦA NỐI P-N. 1. Điện dung chuyển tiếp (Điện dung nối) Khi nối P-N được phân cực nghịch, vùng hiếm được nới rộng do có sự gia tăng điện tích trong vùng này. Với một sự biến thiên ∆V của hiệu điện thế phân cực nghịch, điện tích trong vùng hiếm tăng một lượng ∆Q. Vùng hiếm có tác dụng như một tụ điện gọi là điện dung chuyển tiếp CT. ∆Q ε.A CT = = ∆V Wd Trong đó, ε là hằng số điện môi của chất bán dẫn, A là điện tích của nối P-N và Wd là độ rộng của vùng hiếm. Khi điện thế phân cực nghịch thay đổi, độ rộng của vùng hiếm thay đổi nên điện dung chuyển tiếp CT cũng thay đổi. Người ta chứng minh được CT có trị số: K CT = (V0 + VR )n Trong đó, K là hằng số tùy thuộc vào chất bán dẫn và kỹ thuật chế tạo. V0 là rào điện thế của nối P-N (Si là 0,7V và Ge là 0,3V). VR là điện thế phân cực nghịch. 1 1 n= trong trường hợp nối P-N là dốc lài (linearly graded juntion) và n = trong trường 3 2 hợp nối P-N thuộc loại dốc đứng (brupt juntion). Nếu gọi Cj(0) là trị số của CT đo được khi VR=0, ta có: C j (0) CT = n ⎛ VR ⎞ ⎜1 + ⎟ ⎜ V0 ⎟ ⎝ ⎠ - + + -- + + - - + - P + N VR # VS RL P P N N - VS + Nối P-N khi phân cực nghịch rang 44 Dốc lài Biên soạn:Dốươđứngăn Tám Tr c ng V T Hình 12Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Trong các nối P-N thông thường, CT có trị số từ 5pF đến 100pF 2. Điện dung khuếch tán. (Difusion capacitance) Khi nối P-N được phân cực thuận, lỗ trống được khuếch tán từ vùng P sang vùng N và điện tử khuếch tán từ vùng N sang vùng P. Sự phân bố các hạt tải điện thiểu số ở hai bên vùng hiếm tạo nên một điện dung gọi là điện dung khuếch tá ...