Giáo trình mạch điện tử - Chương 2

Tài liệu tham khảo Giáo trình mạch điện tử - Chương 2: Transistor hai lớp tiếp giáp - BJT
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình mạch điện tử - Chương 2 0ҥFKÿLӋQWӱCHÖÔNG 2: TRANSISTOR HAI LÔÙP TIEÁP GIAÙP - BJT2.1 Giôùi thieäu2.2 Doøng chaûy trong BJT2.3 Khueách ñaïi doøng trong BJT2.4 Giaûi tích maïch BJT baèng ñoà thò2.5 Tính toaùn coâng suaát2.6 Tuï Bypass voâ haïn2.7 Tuï gheùp voâ haïn2.8 Maïch Emitter Follower2.9 Môû roäng“We make a living by what we get, we make a life by what we give”.- Winston Churchill, Sir (1874-1965) http://www.khvt.comChöông 2 1 0ҥFKÿLӋQWӱ2.1 Giôùi thieäu x 1948: Transistor ñaàu tieân (Bell Lab) x Caùc loaïi transistor (TST): BJT, FET x BJT: Bipolar Junction Transistor: Transistor hai lôùp tieáp giaùp2.2 Doøng chaûy trong BJT x Caáu taïo vaø kyù hieäu x Doøng chaûy trong BJT EB: Phaân cöïc thuaän CB: Phaân cöïc nghòch IC DI E I CBO IE I B IC Ÿ IB (1 D ) I E I CBO §1 D · I CBO IB ¨ I ¸ C © D ¹ D D Ñaët: E 1DLöu yù: Caáu hình B chung (CB – Common Base configuration) http://www.khvt.comChöông 2 2 0ҥFKÿLӋQWӱ2.2.1 Moái noái Emitter – Base (EB)Xem moái noái EB nhö moät Diode phaân cöc thuaän hoaït ñoäng ñoäc laäp (iD = iE; vD = vEB) x DCLL vaø Ñaëc tuyeán EB 1 V DCLL: i E v EB EE Re Re x Maïch töông ñöông ñôn giaûn vE = VEBQ = VJ (0.7V: Silicon; 0.2V: Germanium) rd = 0 V EE V EBQ I EQ Re http://www.khvt.comChöông 2 3 0ҥFKÿLӋQWӱ2.2.2 Moái noái Collector – Base (CB)Töø quan heä: I C DI E I CBO , maïch töông ñöông cuûa moái noái CB: E IE IC C E IE IC C VEBQ DIE ICBO VEBQ DIE Diode lyù töôûng IB IB B BVÍ du 1ï: Cho maïch ñieän nhö hình veõ: D | 1, ICBO | 0; VEE = 2V; Re = 1k; VCC = 50V; Rc= 20k; vi = 1sinZt. Tính iE vaø vCB. Re E 1 C 3 V EE vi V EBQ B iE 1.3 1.0 sin Zt (mA) 2 Rc Re vi VEE VCC vCB VCC Rc iC VCC Rc i E iE E C iC V EE V EBQ Rc Re Rc vCB VCC Rc vi VEBQ Re Re vi ...