Giáo trình ngành điện tử : Tìm hiểu linh kiện điện tử phần 5

− Khi nối thu nền để hở, đặc tuyến có dạng như đặc tuyến của diode khi phân cực thuận. − Điện thế ngưỡng (knee voltage) của đặc tuyến giảm khi VCB tăng.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình ngành điện tử :Tìm hiểu linh kiện điện tử phần 5 Giáo trình Linh Kiện Điện Tử − Khi nối thu nền để hở, đặc tuyến có dạng như đặc tuyến của diode khi phân cực thuận. − Điện thế ngưỡng (knee voltage) của đặc tuyến giảm khi VCB tăng. Đặc tuyến ngõ ra (output curves) Là đặc tuyến biểu diễn sự thay đổi của dòng điện cực thu IC theo điện thế thu nềnVCB với dòng điện cực phát IE làm thông số. Đặc tuyến có dạng như sau: Ta chú ý đến ba vùng hoạt động của transistor. Vùng tác động: Nối nền phát phân cực thuận, nối thu nền phân cực nghịch. Trongvùng này đặc tuyến là những đường thẳng song song và cách đều. Trong các ứng dụngthông thường, transistor được phân cực trong vùng tác động. Vùng tác động IC (mA) 6 mA 6 5 mA 5 4 mA 4 Vùng bão hòa 3 mA 3 2 mA 2 1 1 mA ICBO IE= 0mA 0 2 4 6 8 VCB (V) Vùng ngưng Hình 12 Vùng ngưng: nối nền phát phân cực nghịch (IE=0), nối thu nền phân cực nghịch.Trong vùng này transistor không hoạt động. Vùng bảo hoà: nối phát nền phân cực thuận, nối thu nền phân cực thuận. Trong cácứng dụng đặc biệt, transistor mới được phân cực trong vùng này. 2. Mắc theo kiểu cực phát chung. Đây là cách mắc thông dụng nhất trong các ứng dụng của transistor. Mạch điện như sau: Trang 69 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử RC IC RB I2 IB + + I1 + + VCC V1 V2 VBB VBE VCB Hình 13 Đặc tuyến ngõ vào: Biểu diễn sự thay đổi của dòng điện IB theo điện thế ngõ vào VBE. Trong đó hiệu thếthu phát VCE chọn làm thông số. IB (µA) VCE = 0V Đặc tuyến như sau: VCE = 1V 100 VCE = 10V 80 60 40 20 VBE (V) 0,2 0,4 0,6 0,8 0 Hình 14 Đặc tuyến ngõ ra: Biểu diễn dòng điện cực thu IC theo điện thế ngõ ra VCE với dòng điện ngõ vào IBđược chọn làm thông số. Dạng đặc tuyến như sau: Trang 70 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Vùng tác động IC (mA) 120 µA 6 100 µA 5 80 µA 4 ...