Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ của đa lớp Ni-Co-Cu kết tủa bằng điện hóa

Kết tủa điện hóa mở ra khả năng cho việc chế tạo hệ màng đa lớp từ điện trở khổng lồ GMR cấu trúc nanomet rất hiệu quả với giá thành rẻ. Trong nghiên cứu này tác giả giới thiệu về hiệu ứng từ điện trở khổng lồ ở màng đa lớp Ni-Co-Cu/Cu kết tủa trên đế n-Si từ một dung dịch điện phân chứa các cation Cu2+, Ni2+ và CO2+ bằng phương pháp mạ xung dòng như một hàm số biên độ xung kết từ lớp từ tính (Ni-Co-Cu) và lớp không từ tính Cu.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ của đa lớp Ni-Co-Cu kết tủa bằng điện hóa Tieu ban Khoa hgc vdt lieu ISBN: 978-604-913-C 1-3 HIEU iTNG TlT DIEN TRO KHONG LO CUA DA LOP Ni-Co-Cu KET TUA B A N G D I E N H O A Pham Trung San, Truong Anh Khoa, Ngo Qu6c Quyen Vien Nghien cuu va Ung dung Cdng nghe Nha Trang 02 - Himg Vuong - Nha Trang Email: phamtrungsan@gmail.com Tom tat Kit tua diin hda md ra khd ndng cho viic chi tao hi mdng da lap tir diin trd khdng Id GMR) cdu triic nanomet rdt hiiu qud vdi gid thdnh re. Trong nghiin ciru ndy chiing tdi gidi thiiu vi hiiu itng lit diin trd khdng Id a mdng da lap Ni-Co- Cu/Cu kit lua trin di n-Si tit mdt dung dich diin phdn chita cdc cation Cu2*, Ni2^ vd Cof bdng phuang phdp mg xung ddng nhu mdt hdm sd cua biin do xung kit tua lap tit tinh (Ni-Co-Cu) vd lap khdng tir linh (Cu). Kit qud cho thdy thdnh phdn lcrp lit linh vd hiiu itng GMR cita da lap phu thude lan vdo biin do xung khi diin lugng khdng thay ddi. Hiiu itng tit diin Ird khdng Id tgi nhiit do phdng Ihu dugc a Idt ca cdc mdu vd dgt gid tri egg nhdt tdi 7%> trong viing lir trirdng 3kOe khi biin do xung kit tua lap tit tinh vd khdng lir linh Id 480mA/cm vd 2mA/cm . Viic khdo sdt cdc ddc tinh cdu trite ciia hi mdng bdng XRD, EDX, SEM vd AFM cho thdy cd mdi quan hi tuang quan giua thdnh phdn, hinh ihdi ciia da lcrp vd hiiu itng MR thu dugc. Abstract ElectrodeposUion opens the possibility of efficient and inexpensive fabricadon of magneto-resistive (GMR) nanostructured multUayer. In this paper, we report GMR in Ni-Co-Cu- Cu mullUayers deposited gn n-Si from a single electrolyte containing Cu2^, Ni2^ and Co2^ by a galvanostalic hvo-pulse plating method as a function of the current amplitude for deposition magnetic (Ni-Co-Cu) and non- magnetic (Cu) layers. Result showed that the composition of magnetic layer and GMR effect of multilayer was highly influenced by applied current amplitude when passing electric charges were fixed constantly. A giant magnetoresistance (GMR) effect at room temperature was observed in all samples and a maximum GMR of 7% measured at 3 kOe could be achieved with current amplitude for deposition magnetic and non-magnetic layers at 480mA/cm^ and 2mA/cm^. Structural characterization by XRD, EDX, SEM and AFM has also revealed a correlation between Ihe composition and morphological nanostructure of the multUayer and the observed MR effect. I. Mo dau Vat lieu mang mdng tir tinh (cung va mim) ngay cang dugc sir dung rdng rai trong nhilu ITnh virc nhu tir dien tir (trong cdng nghe IC) va tir dien ca (cbl tao cac vi linh kien MEMS) ciing nhu trong mdi trudng luu trir sd lieu (che tao cac diu ghi va dpc thdng tin). Tuy theo ddi tugng sir dung, vat lieu mang mdng dugc cbl tao bing cdng nghe dac biet dl cd dugc tinh chat tir tinh mong mudn, chang han de chi tao van spin cd tir dien trd khdng Id (Giant Magnetoresistive - GMR), vat lieu mang mdng GMR ddi hdi phai cd ciu triic nano 196  Hgi nghi Khoa hoc ky- niim 35 ndm Viin KH&CNVN- Hd Noi -10/2010 luan phien da ldp kim loai (hoac hgp kim) tir tfnh va khdng tir tfnh, tao ra tir dien tra biln thien phu thupc vao tir trudng bao hda H (that vay, khi H=0 thi RH=Romax ; cdn H tang tli; RH giam; hieu img MR la am va bang AR/Ro = (RH-RO)/RO, 7% khi dcu/dcuNiCo tang tir 0,8 -H 1,0. Miu cd MR cao nhit A28 (Hinh 2) da dat dp biln thien MR kha Idn (7,2%) ngay d viing tir trudng bao hda thap (± 500 Oe), mdt yeu ciu thudng dat ra ddi vdi vat lieu sensor tir. Cac mau B dugc thuc hien tren co sd giir dcuNiCo= const (ty le tuang img vdi i2.t2 ~ 4,8mAs) tuong duong vdi miu A22 cd MR thip (2,7%), song dp day dcu dugc khdng cbl chi bang 1/2 ciia miu A22 (tuang ung ii.ti = 6mAs) va ty so dcu/dcuNiCo« 1,25 thi cd thi cai thien dp biln thien MR gin gip 2 lin (MR trung binh dat « 5,3%). -15 -10 -,i 0 5 10 15 H (kOe) Hinh 2; MR cita mdu 28 Hinh 3; Chieu ddy da lap ciia n =50 Cung theo hudng cai thien dp biln thien MR, cac mau C xuit phat tir A26 (MR = 3,65%) dugc thuc hien d dieu kien dcuNiCo = const (tuang img iz.tj = 7,2mAs) va dcu =const nhung bien thien ca i, va t, sao cho i,.t, = 12mA. Kit qua cho thiy anh hudng ciia biln thien MR phu thupc chieu day cua ldp phii tir dcu rit man cam vdi biln thien nhd ciia thdng sd xung kit tua ldp phi tir il, tl. 199 Tiiu ban Khoa hoc vdt liiu ...