Hợp chất hóa học Gecman

Gecman là tên gọi của một hợp chất hóa học với công thức GeH4. Nó là hiđrua đơn giản nhất của gecmani và là một trong những hợp chất hữu ích nhất của gecmani. Giống như các hợp chất tương tự (silan và mêtan, gecman có cấu trúc tứ diện. Nó cháy trong không khí để sinh ra GeO2 và nước.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Hợp chất hóa học Gecman Hợp chất hóa học Gecman Tetrahiđrua gecmaniDanh pháp GermaneIUPACTên khác Tetrahiđrua gecmani, gecmanometan, monogecman Nhận dạngSố CAS [7782-65-2] Thuộc tínhCông thức phân GeH4tử 76,62 g mol−1Phân tử gamBề ngoài Khí không màu 3,3 kg m−3 khí.Tỷ trọngĐiểm nóng −165 °C (108 K)chảyĐiểm sôi −88 °C (195 K)Độ hòa tan thấptrong nước Cấu trúcHình dạng Tứ diệnphân tửMômen lưỡng ODcực Các nguy hiểmNguy hiểm Độc hại, dễ cháychính Hợp chất liên quanAnion khác GeCl4Hợp chất khác CH4Ngoại trừ khi có ghi chú khác, các dữ liệu được lấy cho hóa chất ở trạng thái tiêu chuẩn (25 °C, 100 kPa) Phủ nhận và tham chiếu chungGecman là tên gọi của một hợp chất hóa học với công thức GeH4. Nó là hiđruađơn giản nhất của gecmani và là một trong những hợp chất hữu ích nhất củagecmani. Giống như các hợp chất tương tự (silan và mêtan, gecman có cấu trúc tứdiện. Nó cháy trong không khí để sinh ra GeO2 và nước.Tổng hợpCó nhiều phương pháp tổng hợp gecman trong công nghiệp.[1] Các phương phápnày có thể phân loại thành: (a) Phương pháp khử hóa học, (b) Phương pháp khử điện hóa, (c) Phương pháp dựa trên cơ sở plasma.Phương pháp khử hóa học là sự cho tiếp xúc của các hợp chất chứa gecmani nhưgecmani nguyên tố, tetraclorua gecmani, điôxít gecmani, gecmanua với các tácnhân khử như borohiđrua natri, borohiđrua kali, borohiđrua liti, hiđrua nhôm liti,hiđrua nhôm natri, hiđrua liti, hiđrua natri, hiđrua magiê. Phản ứng có thể thựchiện trong dung dịch lỏng hay trong dung môi hữu cơ.Ở quy mô phòng thí nghiệm, gecman có thể điều chế bằng phản ứng của các hợpchất Ge(IV) với các tác nhân hiđrua. Phản ứng tổng hợp điển hình là của Na2GeO3với borohiđrua natri.[2] Na2GeO3 + NaBH4 + H2O → GeH4 + 2 NaOH + NaBO2Phương pháp khử điện hóa là cho một hiệu điện thế giữa catôt bằng gecmani kimloại trong dung dịch chất điện phân và anôt bằng các kim loại như molypđen haycadmi. Trong phương pháp này, các khí gecman và hiđrô sinh ra tại catôt trong khianôt có phản ứng tạo ra các ôxít của molypđen hay cadmi.Phương pháp tổng hợp bằng plasma là sự tấn công gecmani kim loại bằng cácnguyên tử hiđrô (H) được sinh ra bằng cách dùng nguồn plasma cao tần để tạo ragecman và digecman.Phổ biếnGecman đã được phát hiện có trong khí quyển sao Mộc.[3]Sử dụng trong công nghiệp bán dẫnKhí này bị phận hủy ở khoảng 600K sinh ra gecmani và hiđrô. Do tính không bềnnhiệt của nó nên gecman được sử dụng trong công nghiệp bán dẫn để phát triểnkết tinh phép trầm tích của gecmani theo các phương pháp MOVPE hay trầm tíchchùm phân tử.[4] Các tiền chất gecmani hữu cơ (như isobutylgermane, tricloruaankylgecmani, triclorua dimetylaminogecmani) đã được thử nghiệm như là cácchất lỏng thay thế ít độc hại hơn thay cho germane để trầm tích các màng chứagecmani theo phương pháp MOVPE.[5]An toànGecman là chất khí dễ cháy và khả năng tự cháy là khá cao, đồng thời độc hại vớicon người.Tham khảo 1. ^ US Patent 7,087,102 (2006)2. ^ Girolami G. S.; Rauchfuss T. B. Và Angelici R. J.: Synthesis and Technique in Inorganic Chemistry, University Science Books: Mill Valley, CA, 1999.3. ^ Kunde V.; Hanel R.; Maguire W.; Gautier D.; Baluteau J. P.; Marten A.; Chedin A.; Husson N.; Scott, N. (1982). “The tropospheric gas composition of Jupiters north equatorial belt /NH3, PH3, CH3D, GeH4, H2O/ and the Jovian D/H isotopic ratio”. Astrophysical J. 263: 443-467. doi:10.1086/160516.4. ^ Venkatasubramanian, R.; Pickett, R. T.; Timmons, M. L. (1989). “Epitaxy of germanium using germane in the presence of tetramethylgermanium”. Journal of Applied Physics 66: 5662-5664. doi:10.1063/1.343633.5. ^ E. Woelk, D. V. Shenai-Khatkhate, R. L. DiCarlo Jr., A. Amamchyan, M. B. Power, B. Lamare, G. Beaudoin, I. Sagnes (2006). “Designing Novel Organogermanium MOVPE Precursors for High-purity Germanium Films”. Journal of Crystal Growth 287 (2): 684-687. doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.10.094. http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TJ6- 4HNSJS8-X&_user=10&_handle=V-WA-A-W-AUY-MsSWYWW-UUA- U-AAZBCYVDBE-AAZAAZCCBE-WUWZDAWZE-AUY- U&_fmt=summary&_coverDate=01%2F25%2F2006&_rdoc=103&_orig= browse&_srch=%23toc%235302%232006%23997129997%23614855!&_c di=5302&view=c&_acct=C000050221&_version=1&_urlVersion=0&_use rid=10&md5=b727a26cf1d2921d65096fc 1f93658bb. ...