Danh mục

Luận án Tiến sĩ Khoa học vật liệu: Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng trong pin mặt trời CZTSe

Số trang: 127      Loại file: pdf      Dung lượng: 5.77 MB      Lượt xem: 6      Lượt tải: 0    
tailieu_vip

Xem trước 10 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Luận án gồm các nội dung nghiên cứu chế tạo lớp vật liệu dẫn điện trong suốt ITO và AgNW/ITO; nghiên cứu và tổng hợp hạt nano CZTSe bằng phương pháp phun nóng (Hot-injection method); nghiên cứu chế tạo lớp vật liệu hấp thụ ánh sáng làm từ màng CZTSe.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận án Tiến sĩ Khoa học vật liệu: Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng trong pin mặt trời CZTSe BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI NGUYỄN THỊ THU HIỀN NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT VÀ VẬT LIỆU HẤP THỤ ÁNH SÁNG NHẰM SỬ DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI CZTSe LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU Hà Nội – 2020 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI NGUYỄN THỊ THU HIỀN NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT VÀ VẬT LIỆU HẤP THỤ ÁNH SÁNG NHẰM SỬ DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI CZTSe Ngành: Khoa học vật liệu Mã số: 9440122 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: 1. PGS. TS. NGUYỄN DUY CƯỜNG 2. TS. NGUYỄN HỮU DŨNG Hà Nội – 2020 i LỜI CAM ĐOAN Tôi, NCS. Nguyễn Thị Thu Hiền, xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của tôi dưới sự hướng dẫn của: PGS.TS. Nguyễn Duy Cường và TS. Nguyễn Hữu Dũng. Kết quả nghiên cứu trình bày trong luận án là khách quan, trung thực và chưa từng được tác giả khác công bố. Hà nội, ngày 31 tháng 01 năm 2020 Thay mặt tập thể giáo viên hướng dẫn Tác giả PGS.TS. Nguyễn Duy Cường NCS. Nguyễn Thị Thu Hiền ii LỜI CẢM ƠN Sau 3 năm nghiên cứu chính thức dưới sự hướng dẫn nhiệt tình của PGS.TS. Nguyễn Duy Cường và TS. Nguyễn Hữu Dũng, tôi đã hoàn thành bản Luận án với đề tài “Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng trong pin mặt trời CZTSe”. Qua bản luận án này, tôi xin được gửi lời cảm ơn sâu sắc tới PGS.TS. Nguyễn Duy Cường và TS. Nguyễn Hữu Dũng, những người Thầy đã giúp đỡ, hướng dẫn tôi trong suốt thời gian nghiên cứu và trong quá trình thực hiện luận án. Tôi xin gửi lời cảm ơn tập thể các Thầy, Cô giảng viên trong Viện Tiên Tiến Khoa học và Công nghệ, những người đã trực tiếp giảng dạy và trang bị cho tôi những kiến thức cơ bản về ngành khoa học Vật liệu Nano. Tôi xin được gửi lời cảm ơn tới Ban Lãnh đạo trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, Phòng Đào tạo, Viện Tiên tiến Khoa học và Công Nghệ (AIST) đã tạo điều kiện cho tôi được học tập và nghiên cứu tại cơ sở trong thời gian vừa qua. Tôi xin gửi lời cảm ơn tới Ban Lãnh đạo Trường Đại học Điện lực, Khoa Kỹ thuật điện đã tạo điều kiện thuận lợi để tôi được tập trung học tập và nghiên cứu. Tôi xin gửi lời cảm ơn tới các thành viên trong gia đình, các Anh - Chị - Em đồng nghiệp và Nghiên cứu sinh đã giúp đỡ về công việc cũng như động viên khích lệ tôi rất nhiều về mặt tinh thần để tôi có thể hoàn thành nhiệm vụ nghiên cứu của mình. Cuối cùng, tôi xin được gửi lời cảm ơn sự hỗ trợ kinh phí từ Quỹ phát triển Khoa học và Công nghệ Quốc gia (NAFOSTED) cho nghiên cứu này trong đề tài mã số “103.02- 2017.45” và sự hỗ trợ kinh phí từ nguồn học bổng 911 của Bộ Giáo dục và Đào tạo. Xin trân trọng cảm ơn! Hà Nội, ngày 31 tháng 01 năm 2020 Tác giả NCS. Nguyễn Thị Thu Hiền iii MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN ........................................................................................................ i LỜI CẢM ƠN ............................................................................................................. ii MỤC LỤC ................................................................................................................. iii DANH MỤC KÍ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT ......................................................... vii DANH MỤC BẢNG .................................................................................................. x DANH MỤC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ ............................................................................. xi MỞ ĐẦU .................................................................................................................... 1 1. Lý do chọn đề tài .................................................................................................... 1 2. Mục tiêu của luận án ............................................................................................... 4 3. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu .......................................................................... 4 4. Nội dung nghiên cứu .............................................................................................. 5 5. Phương pháp nghiên cứu ........................................................................................ 5 6. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án ............................................................. 6 7. Những đóng góp mới của luận án .......................................................................... 6 8. Bố cục của luận án .................................................................................................. 7 CHƯƠNG 1 TỔNG QUAN VỀ PIN MẶT TRỜI CZTSe ........................................ 9 1.1 Giới thiệu chung .................................................................................................... 9 1.2 Pin mặt trời CZTSe ............................................................................................. 13 1.2.1 Nguyên lý hoạt động của pin mặt trời CZTSe ............................... ...

Tài liệu được xem nhiều:

Gợi ý tài liệu liên quan: