Danh mục

Luận án Tiến sĩ Khoa học vật liệu: Chế tạo, nghiên cứu các tính chất từ và khả năng sinh nhiệt của một số hệ nano nền Fe3O4

Số trang: 144      Loại file: pdf      Dung lượng: 6.27 MB      Lượt xem: 11      Lượt tải: 0    
Thư viện của tui

Xem trước 10 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Luận án Tiến sĩ Khoa học vật liệu "Chế tạo, nghiên cứu các tính chất từ và khả năng sinh nhiệt của một số hệ nano nền Fe3O4" trình bày các nội dung chính sau: Tổng quan về vật liệu nano từ Fe3O4 và một số hệ vật liệu nano tổ hợp nền Fe3O4; Cấu trúc, tính chất từ và đốt nóng cảm ứng của một số hệ hạt nano tổ hợp nền Fe3O4 chế tạo bằng phương pháp phân hủy nhiệt.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận án Tiến sĩ Khoa học vật liệu: Chế tạo, nghiên cứu các tính chất từ và khả năng sinh nhiệt của một số hệ nano nền Fe3O4BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ----------------------------- Lê Thị Hồng PhongCHẾ TẠO, NGHIÊN CỨU CÁC TÍNH CHẤT TỪ VÀ KHẢNĂNG SINH NHIỆT CỦA MỘT SỐ HỆ NANO NỀN Fe3O4 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU Hà Nội – 2023BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ----------------------------- Lê Thị Hồng PhongCHẾ TẠO, NGHIÊN CỨU CÁC TÍNH CHẤT TỪ VÀ KHẢ NĂNG SINH NHIỆT CỦA MỘT SỐ HỆ HẠT NANO NỀN Fe3O4 Chuyên ngành: Vật liệu điện tử Mã số: 9.44.01.23 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: 1. PGS.TS Đỗ Hùng Mạnh 2. PGS.TS Phạm Thanh Phong Hà Nội – 2023 i LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới PGS.TS. Đỗ Hùng Mạnh và PGS.TS.Phạm Thanh Phong, những người Thầy đã dành cho tôi sự định hướng khoa học hiệu quả, sựđộng viên, giúp đỡ tận tình trong suốt quá trình thực hiện luận án. Tôi xin bày tỏ lòng kính trọng và gửi lời cảm ơn sâu sắc cho sự chỉ bảo, định hướng vàkhích lệ của GS. TSKH. Nguyễn Xuân Phúc từ những năm bắt đầu thực hiện luận án. Tôi xin được gửi lời cảm ơn chân thành tới TS. Vũ Hồng Kỳ, TS. Nguyễn Thị Ngọc Anh,TS. Phạm Hoài Linh về sự giúp đỡ nhiệt tình và những bàn luận quý báu trong giai đoạn hoànthiện luận án. Cảm ơn sự cộng tác và giúp đỡ của TS. Phạm Hồng Nam, TS. Vương Thị Kim Oanh, ThS.Tạ Ngọc Bách trong nghiên cứu thực nghiệm và phân tích kết quả. Tôi xin được gửi lời cảm ơn chân thành đến PGS.TS Nguyễn Thanh Tùng, TS. Đỗ KhánhTùng, TS. Ngô Thị Hồng Lê, NCS. Nguyễn Thị Mai. Những lời động viên, khích lệ và sự giúpđỡ nhiệt tình của các anh chị em trong suốt thời gian thực hiện luận án đã giúp tôi có thêmnhiều động lực, vượt qua những giai đoạn khó khăn để hoàn tất chương trình học nghiên cứusinh. Tôi xin được gửi lời cảm ơn tới các đồng nghiệp thuộc Phòng Vật lý vật liệu từ và siêudẫn và Phòng Hiển vi điện tử - Viện Khoa học vật liệu về những sự giúp đỡ nhiệt tình và tạođiều kiện trong suốt thời gian tôi thực hiện luận án. Tôi xin được gửi lời cảm ơn tới GS. Nguyễn Thị Kim Thanh, TS. Lê Đức Tùng, Dr.Stefanos Mourdikoudis công tác tại Đại học Luân Đôn (UCL) – Vương quốc Anh về những sựhỗ trợ và giúp đỡ trong thời gian tôi thực tập và trao đổi nghiên cứu tại Phòng thí nghiệm vậtliệu nano và từ tính sinh học trong chăm sóc sức khỏe thuộc UCL. Tôi cũng xin được gửi lờicảm ơn tới nhóm nghiên cứu của TSKH. Ivan Skorvanek thuộc Viện Vật lý thực nghiệm – ViệnHàn lâm Khoa học Slovakia, nhóm nghiên cứu của GS. Trần Vĩnh Hùng – Viện Nhiệt độ thấpvà Nghiên cứu cấu trúc – Viện Hàn lâm khoa học Ba Lan về những phép đo từ ở nhiệt độ thấp,từ trường cao và Mossbauer cùng những bàn luận khoa học sâu sắc trong quá trình hợp tácnghiên cứu. ii Tôi xin trân trọng cảm ơn sự giúp đỡ và tạo điều kiện thuận lợi của cơ sở đào tạo là Họcviện Khoa học và Công nghệ, đặc biệt là Viện Khoa học vật liệu, cơ quan mà tôi công tác, trongquá trình thực hiện luận án. Luận án này được hỗ trợ kinh phí của dự án hợp tác ba bên giữa nhóm nghiên cứu củaGS. TSKH Nguyễn Xuân Phúc – Viện Khoa học vật liệu với nhóm nghiên cứu của GS. NguyễnThị Kim Thanh - Trường Đại học Luân Đôn và GS. Srinivas Sridhah – Trường đại học ĐôngBắc – Hoa Kỳ tài trợ bởi Văn phòng nghiên cứu và phát triển không gian vũ trụ châu Á(AOARD) với mã số: FA2386, các đề tài Hợp tác quốc tế cấp Viện Hàn lâm Khoa học và côngnghệ Việt Nam (VAST) mã số: QTSK01.01/20-21 và QTPL01.01/20-21, nhiệm vụ thuộc chươngtrình hỗ trợ Nghiên cứu viên cao cấp (VAST) mã số: NVCC04.08/21-21, đề tài thuộc chươngtrình phát triển Vật lý với mã số: KHCBVL.02/21-22, nhiệm vụ khoa học công nghệ theo Nghịđịnh thư với Nhật Bản mã số: NĐT.88.JP/20. Lời cảm ơn sau cùng xin được dành cho những yêu thương, sự mong đợi của chồng, haicon và sự hỗ trợ, cổ vũ của tất cả những người thân yêu trong gia đình nội, ngoại cùng bạn bèthân thiết. Những nguồn lực tinh thần lớn lao đó đã giúp con/em/chị/mẹ có thêm nhiều độnglực để hoàn thành bản luận án này. Tác giả luận án Lê Thị Hồng Phong iii LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu riêng của tôi dưới sự hướng dẫnkhoa học của PGS.TS Đỗ Hùng Mạnh và PGS.TS Phạm Thanh Phong. Các số liệu, kếtquả nêu trong luận án được trích dẫn lại từ các bài báo đã được xuất bản của tôi và cáccộng sự. Các số liệu, kết quả này là trung thực và chưa từng được ai công bố trong bấtkỳ công trình nào khác. Tác giả luận án Lê Thị Hồng Phong iv DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT1. Danh mục các ký hiệu viết tắt a : Hằng số mạng Bhf : Trường siêu tinh tế C : Nhiệt dung riêng E : Năng lượng dị hướng Ea : Năng lượng kích hoạt dx : Mật độ khối lượng D : Kích thước hạt Dc : Kích thước tới hạn đơn đômen DFESE ...

Tài liệu được xem nhiều:

Gợi ý tài liệu liên quan: