Luận án Tiến sĩ Kỹ thuật điện tử: Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch

Luận án Tiến sĩ Kỹ thuật điện tử "Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch" trình bày các nội dung chính sau: Tổng quan về ứng dụng công nghệ plasma trong kỹ thuật vi điện tử; Xác định được các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của chất khí TRIES và hỗn hợp của chất khí TRIES với các chất khí khác,
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận án Tiến sĩ Kỹ thuật điện tử: Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch [28][27] BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT HƯNG YÊN PHAN THỊ TƯƠI XÁC ĐỊNH CÁC THUỘC TÍNH PLASMA ION HÓA YẾU TRONG VA CHẠM ELECTRON CỦA PHÂN TỬ KHÍ TRIES VÀ KHẢ NĂNG ỨNG DỤNG TRONG CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO VI MẠCH Chuyên ngành: Kỹ thuật điện tử Mã số: 9520203 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT HƯNG YÊN - 2022 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT HƯNG YÊN PHAN THỊ TƯƠI XÁC ĐỊNH CÁC THUỘC TÍNH PLASMA ION HÓA YẾU TRONG VA CHẠM ELECTRON CỦA PHÂN TỬ KHÍ TRIES VÀ KHẢ NĂNG ỨNG DỤNG TRONG CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO VI MẠCH Chuyên ngành: Kỹ thuật điện tử Mã số: 9520203 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: 1. PGS. TS Đỗ Anh Tuấn 2. PGS. TS Phạm Ngọc Thắng HƯNG YÊN - 2022 i LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Các số liệu, kết quả nêu trong luận án là hoàn toàn trung thực và chưa từng được ai công bố trong bất kì công trình khoa học nào khác, các dữ liệu tham khảo được trích dẫn đầy đủ. Hưng Yên, ngày tháng năm Tác giả luận án Phan Thị Tươi ii LỜI CẢM ƠN Trước tiên, tôi bày tỏ sự kính trọng và xin gửi lời cảm ơn sâu sắc tới tập thể giáo viên hướng dẫn, PGS.TS Đỗ Anh Tuấn và PGS.TS Phạm Ngọc Thắng đã luôn luôn nhiệt tình chỉ bảo và luôn động viên để tôi hoàn thành bản luận án. Tiếp theo, tôi gửi lời cảm ơn tới Phòng Đào tạo, Trường Đại học SPKTHY cùng các cán bộ công tác tại trường đã giúp đỡ tôi trong quá trình học tập, nghiên cứu khoa học và có những ý kiến đóng góp quý báu về nội dung, bố cục của luận án. Tôi xin gửi lời cảm ơn đến tập thể các thầy cô nơi tôi công tác tại khoa Điện- Điện tử trường đại học SPKTHY vì những động viên chân thành và sự san sẻ công việc chuyên môn để tôi yên tâm thực hiện nội dung luận án. Cuối cùng, tôi muốn gửi lời cảm ơn tới gia đình tôi, đã luôn động viên tôi để tôi có động lực và quyết tâm thực hiện thành công luận án. Hưng Yên, ngày tháng năm Tác giả luận án Phan Thị Tươi iii MỤC LỤC Trang LỜI CAM ĐOAN ....................................................................................................... i LỜI CẢM ƠN ............................................................................................................ ii MỤC LỤC ................................................................................................................. iii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT ............................................ vi DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ................................................................................... ix MỞ ĐẦU .....................................................................................................................1 1. Tính cấp thiết của đề tài luận án..............................................................................1 2. Mục tiêu nghiên cứu................................................................................................3 3. Đối tượng nghiên cứu..............................................................................................3 4. Nội dung nghiên cứu ...............................................................................................3 5. Phương pháp nghiên cứu.........................................................................................4 6. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án .............................................................4 7. Bố cục của luận án ..................................................................................................5 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ ỨNG DỤNG CÔNG NGHỆ PLASMA TRONG KỸ THUẬT VI ĐIỆN TỬ ..........................................................................................6 1.1 Giới thiệu tổng quan về plasma trong chế tạo vi mạch điện tử.............................6 1.1.1 Plasma là gì? ......................................................................................................6 1.1.2 Một số dạng phóng điện tạo plasma ...................................................................7 1.1.3 Va chạm trong plasma ........................................................................................8 1.2. Sự cần thiết plasma trong vi mạch điện tử .........................................................12 1.2.1. Quá trình plasma trong vi mạch điện tử ..........................................................12 1.2.2. Ứng dụng lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma TRIES trong chế tạo vi mạch điện tử ..............................................................................................................15 1.3. Phần mềm sử dụng bộ tiết diện va chạm để mô phỏng các mô hình plasma.....19 1.4 Tiết diện va chạm của các electron trong phóng điện khí...................................22 1.5 Các hệ số chuyển động của các electron trong phóng điện khí ............... ...