Luận án Tiến sĩ Kỹ thuật: Nghiên cứu ứng dụng công nghệ vật liệu nền SIW để nâng cao chất lượng một số phần tử siêu cao tần trong đài ra đa

Luận án Tiến sĩ Kỹ thuật "Nghiên cứu ứng dụng công nghệ vật liệu nền SIW để nâng cao chất lượng một số phần tử siêu cao tần trong đài ra đa" trình bày các nội dung chính sau: Tổng quan về công nghệ vật liệu nền; Nghiên cứu ứng dụng công nghệ SIW để nâng cao chất lượng các phần tử siêu cao tần; Đề xuất giải pháp nâng cao chất lượng bộ lọc thông dải sử dụng công nghệ SIW kết hợp với công nghệ EBG và DGS.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận án Tiến sĩ Kỹ thuật: Nghiên cứu ứng dụng công nghệ vật liệu nền SIW để nâng cao chất lượng một số phần tử siêu cao tần trong đài ra đa iBỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO BỘ QUỐC PHÒNG VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ QUÂN SỰ TRẦN THỊ TRÂM NGHIÊN CỨU ỨNG DỤNG CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU NỀN SIW ĐỂ NÂNG CAO CHẤT LƢỢNG MỘT SỐ PHẦN TỬ SIÊU CAO TẦN TRONG ĐÀI RA ĐA LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT HÀ NỘI-2023 iiBỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO BỘ QUỐC PHÒNG VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ QUÂN SỰ TRẦN THỊ TRÂM NGHIÊN CỨU ỨNG DỤNG CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU NỀN SIW ĐỂ NÂNG CAO CHẤT LƢỢNG MỘT SỐ PHẦN TỬ SIÊU CAO TẦN TRONG ĐÀI RA ĐA Ngành: Kỹ thuật Ra đa dẫn đường Mã số: 9 52 02 04 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: 1. PGS. TS Lê Vĩnh Hà 2. TS Dương Tuấn Việt HÀ NỘI- 2023 i LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi dưới sựhướng dẫn của tập thể giáo viên hướng dẫn. Các số liệu, kết quả nghiên cứutrong luận án này là hoàn toàn trung thực và chưa từng được ai công bố trongbất kỳ công trình nào khác, các dữ liệu tham khảo được trích dẫn đầy đủ. Tác giả luận án Trần Thị Trâm ii LỜI CẢM ƠN Luận án được thực hiện tại Viện Khoa học và Công nghệ quân sự/BộQuốc phòng. Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới PGS. TS Lê Vĩnh Hà, TSDương Tuấn Việt, các thầy đã có định hướng, tận tình hướng dẫn, truyềnđạt kinh nghiệm, kiến thức khoa học, giúp đỡ kiểm tra và đánh giá kết quảtrong suốt quá trình nghiên cứu và hoàn thiện luận án. Tôi xin trân trọng cảm ơn Thủ trưởng Viện Khoa học và Công nghệquân sự, Phòng Đào tạo, Viện Ra đa đã tạo điều kiện thuận lợi, hỗ trợ giúpđỡ tôi trong suốt quá trình học tập, nghiên cứu thực hiện luận án. Xin chân thành cảm ơn các Thầy giáo trong Viện Ra đa, Viện Khoahọc và Công nghệ quân sự, Học viện Kỹ thuật quân sự, Đại học Côngnghệ, Đại học Bách khoa Hà Nội và các nhà khoa học, chuyên gia đã chotôi những lời khuyên, những ý kiến đóng góp quý báu. Cuối cùng, tôi xin gửi lời cảm ơn sâu sắc tới gia đình, bạn bè, đồngnghiệp đã cho tôi điểm tựa vững chắc, sự động viên lớn lao giúp tôi hoànthành luận án này. Tác giả luận án Trần Thị Trâm iii MỤC LỤC TrangDANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT .....................................viDANH MỤC CÁC BẢNG ..................................................................................ixMỞ ĐẦU ............................................................................................................... 1Chương 1. TỔNG QUAN VỀ CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU NỀN ..................... 71.1. Tổng quan về công nghệ vật liệu nền ........................................................ 8 1.1.1. Giới thiệu chung về công nghệ vật liệu nền ....................................... 8 1.1.2. Công nghệ dải chắn điện từ EBG........................................................ 8 1.1.3. Công nghệ cấu trúc mặt đế khuyết DGS........................................... 13 1.1.4. Công nghệ ống dẫn sóng tích hợp vật liệu nền SIW......................... 161.2. Phân tích các yếu tố ảnh hưởng đến chất lượng của các phần tử siêu cao tần khi ứng dụng công nghệ SIW ................................................................ 22 1.2.1. Tổn hao trong SIW ............................................................................ 22 1.2.2. Công nghệ chế tạo cho các phần tử SIW .......................................... 25 1.2.3. Kích thước và băng thông của cấu trúc SIW ................................... 251.3. Một số kỹ thuật sử dụng trong luận án..................................................... 30 1.3.1. Nguyên lý gây nhiễu trong các hốc cộng hưởng [32] ....................... 30 1.3.2. Nguyên lý di pha thực hiện trên SIW ............................................... 32 1.3.3. Nguyên lý về bộ dao động VCO ....................................................... 341.4. Tổng hợp, đánh giá khái quát các nghiên cứu về ứng dụng công nghệ vật liệu nền ........................................................................................................ 35 1.4.1. Tình hình nghiên cứu ngoài nước ..................................................... 35 1.4.2. Tình hình nghiên cứu trong nước...................................................... 381.5. Định hướng nghiên cứu............................................................................ 381.6. Kết luận Chương 1 ................................................................................... 39Chương 2. NGHIÊN CỨU ỨNG DỤNG CÔNG NGHỆ SIW ĐỂ NÂNG CAO CHẤT LƯỢNG CÁC PHẦN TỬ SIÊU CAO TẦN ......................... 40 iv2.1. Đề xuất bộ lọc HMSIW có suy hao và kích thước nhỏ, độ chọn lọc cao .. 41 2.1.1. Cơ sở lý thuyết đề xuất bộ lọc thông dải HMSIW............................ 41 2.1.2. Bộ lọc thông dải HMSIW có suy hao và kích thước nhỏ, độ chọn lọc cao ......................................................................................................... 44 2.1.3. Thiết kế, mô phỏng và thực hiện bộ lọc HMSIW băng S... ...