Luận án Tiến sĩ Vật liệu điện tử: Nghiên cứu tương tác vật lý giữa điện tử tự do và điện tử định xứ trong các hệ nano cluster hợp kim Au9M2+ (M = Sc-Ni) và AgnCr (n = 2-12) bằng phương pháp phiếm hàm mật độ

Luận án "Nghiên cứu tương tác vật lý giữa điện tử tự do và điện tử định xứ trong các hệ nano cluster hợp kim Au9M2+ (M = Sc-Ni) và AgnCr (n = 2-12) bằng phương pháp phiếm hàm mật độ" được hoàn thành với mục tiêu nhằm Góp phần hoàn thiện cơ sở khoa học cho kỹ thuật tính toán mô phỏng động học phản ứng với H2 của các nano cluster hợp kim. Làm rõ được quá trình động học phản ứng với H2 của các hệ nano cluster Au9M2+ (M = Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co và Ni) và AgnCr (n = 2-12).
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận án Tiến sĩ Vật liệu điện tử: Nghiên cứu tương tác vật lý giữa điện tử tự do và điện tử định xứ trong các hệ nano cluster hợp kim Au9M2+ (M = Sc-Ni) và AgnCr (n = 2-12) bằng phương pháp phiếm hàm mật độ BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ----------------------------- NGÔ THỊ LANNGHIÊN CỨU TƯƠNG TÁC VẬT LÝ GIỮA ĐIỆN TỬ TỰ DO VÀĐIỆN TỬ ĐỊNH XỨ TRONG CÁC HỆ NANO CLUSTER HỢP KIM Au9M2+ (M = Sc-Ni) và AgnCr (n = 2-12) BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ Hà Nội – 2024 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ----------------------------- NGÔ THỊ LAN NGHIÊN CỨU TƯƠNG TÁC VẬT LÝ GIỮA ĐIỆN TỬ TỰ DO VÀĐIỆN TỬ ĐỊNH XỨ TRONG CÁC HỆ NANO CLUSTER HỢP KIM Au9M2+ (M = Sc-Ni) và AgnCr (n = 2-12) BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ Mã số: 9440123Xác nhận của Học viện Người hướng dẫn 1 Người hướng dẫn 2 Khoa học và Công (Ký, ghi rõ họ tên) (Ký, ghi rõ họ tên) nghệ PGS.TS. Nguyễn Văn Đăng PGS.TS. Nguyễn Thanh Tùng Hà Nội – 2024 i LỜI CAM ĐOANTôi xin cam đoan luận án: Nghiên cứu tương tác vật lý giữa điện tử tự do và điện tửđịnh xứ trong các hệ nano cluster hợp kim Au9M2+ (M = Sc -Ni) và AgnCr (n = 2-12)bằng phương pháp phiếm hàm mật độ là công trình nghiên cứu của chính mình dướisự hướng dẫn khoa học của tập thể hướng dẫn. Luận án sử dụng thông tin trích dẫntừ nhiều nguồn tham khảo khác nhau và các thông tin trích dẫn được ghi rõ nguồngốc. Các kết quả nghiên cứu của tôi được công bố chung với các tác giả khác đã đượcsự nhất trí của đồng tác giả khi đưa vào luận án. Các số liệu, kết quả được trình bàytrong luận án là hoàn toàn trung thực và chưa từng được công bố trong bất kỳ mộtcông trình nào khác ngoài các công trình công bố của tác giả. Luận án được hoànthành trong thời gian tôi làm nghiên cứu sinh tại Học viện Khoa học và Công nghệ,Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam. Hà nội, ngày ........... tháng ...........năm 2024 Tác giả luận án (Ký và ghi rõ họ tên) Ngô Thị Lan ii LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, tôi xin bày tỏ lòng kính trọng và biết ơn sâu sắc tới tập thể hướngdẫn là PGS.TS. Nguyễn Văn Đăng và PGS.TS. Nguyễn Thanh Tùng. Tôi là mộtnghiên cứu sinh may mắn khi có tập thể thầy hướng dẫn đều là những nhà khoa họcđầy đam mê và nhiệt huyết với nghiên cứu khoa học cũng như giảng dạy và đào tạo.Các Thầy đã định hướng cho tôi trong tư duy khoa học, truyền lửa đam mê nghiêncứu và tận tình chỉ bảo, tạo rất nhiều thuận lợi cho tôi trong suốt quá trình thực hiệnluận án. Tôi xin được gửi lời cảm ơn chân thành tới các cán bộ, giảng viên và các anhchị em đồng nghiệp tại viện Khoa học và Công nghệ, trường Đại học Khoa học, Đạihọc Thái Nguyên – nơi tôi đang công tác đã tạo điều kiện thuận lợi rất nhiều cho tôitrong quá trình học tập và nghiên cứu. Tôi xin được gửi lời cảm ơn chân thành tới các Thầy giáo, Cô giáo và các anhchị, các em tại phòng Vật lý vật liệu từ và siêu dẫn, phòng Công nghệ Plasma, ViệnKhoa học vật liệu - nơi tôi học tập và nghiên cứu đã tạo điều kiện thuận lợi rất nhiềucho tôi trong quá trình học tập và nghiên cứu. Tôi xin được gửi lời cảm ơn chân thành tới TS. Ngô Sơn Tùng phòng thínghiệm Vật lý sinh học – Lý thuyết và Tính toán, Trường Đại học Tôn Đức Thắng,TS. Nguyễn Minh Tâm, khoa Cơ bản, Trường Đại học Phan Thiết và PGS.TS. NgôTuấn Cường, khoa Hóa học, Trường Đại học Sư phạm Hà Nội về những hợp tácnghiên cứu và những bàn luận quý báu trong suốt quá trình thực hiện luận án. Tôi xin được gửi lời cảm ơn chân thành đến các Thầy cô giáo thuộc Trung tâmtin học tính toán - Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam đã luôn tạo điềukiện tốt nhất, giúp đỡ tôi trong quá trình học tập và thực hiện luận án. Tôi xin được gửi lời cảm ơn tới TS. Nguyễn Thị Mai, ThS. Lê Thị HồngPhong, ThS. Tạ Ngọc Bách, TS. Phùng Thị Thu – phòng Vật lý vật liệu từ và siêudẫn và phòng Hiển vi điện tử – Viện Khoa học vật liệu đã có những lời động viên,khích lệ tinh thần và sự giúp đỡ nhiệt tình trong suốt ...