Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử có kể đến hiệu ứng giam cầm của phonon (trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang)
Số trang: 67
Loại file: pdf
Dung lượng: 1.44 MB
Lượt xem: 10
Lượt tải: 0
Xem trước 7 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử có kể đến hiệu ứng giam cầm của phonon (trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang)
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử có kể đến hiệu ứng giam cầm của phonon (trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang)Sa Thị Lan Anh Luận văn thạc sỹ 2010 – 2012 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN --------------------- SA THỊ LAN ANH ẢNH HƢỞNG CỦA SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH LÊN HẤP THỤ SÓNG ĐIỆN TỪ YẾU BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG HỐ LƢỢNG TỬ CÓ KỂ ĐẾN HIỆU ỨNG GIAM CẦM CỦA PHONON ( TRƢỜNG HỢP TÁN XẠ ĐIỆN TỬ - PHONON QUANG) LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hà Nội - 2012 1Sa Thị Lan Anh Luận văn thạc sỹ 2010 – 2012 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN --------------------- Sa Thị Lan Anh ẢNH HƢỞNG CỦA SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH LÊN HẤP THỤ SÓNG ĐIỆN TỪ YẾU BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG HỐ LƢỢNG TỬ CÓ KỂ ĐẾN HIỆU ỨNG GIAM CẦM CỦA PHONON ( TRƢỜNG HỢP TÁN XẠ ĐIỆN TỬ - PHONON QUANG) Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán Mã số: 604401 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:GS.TS NGUYỄN QUANG BÁU Hà Nội - 2012 2Sa Thị Lan Anh Luận văn thạc sỹ 2010 – 2012 MỤC LỤCMỞ ĐẦU ........................................................................................................................ 4 1. Lý do chọn đề tài ................................................................................................ 4CHƢƠNG 1: GIỚI THIỆU VỀ HỐ LƢỢNG TỬ VÀ BÀI TOÁN HẤP THỤSÓNG ĐIỆN TỪ YẾU BỞI ĐIỆN TỬ KHI CÓ MẶT CỦA TRƢỜNG BỨC XẠLASER TRONG BÁN DẪN KHỐI ............................................................................ 7 1. GIỚI THIỆU VỀ HỐ LƢỢNG TỬ ..................................................................... 7 1.1. Khái niệm về hố lượng tử .................................................................................. 7 Phổ năng lượng và hàm sóng của điện tử giam cầm trong hố lượng tử. ............. 8 2. HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ YẾU BỞI ĐIỆN TỬ KHI CÓ MẶT TRƢỜNG BỨC XẠ LASER TRONG BÁN DẪN KHỐI. .......................... 9 2.1. Xây dựng phương trình động lượng tử cho điện tử trong bán dẫn khối. .... 9 1.2. Tính mật độ dòng và hệ số hấp thụ phi tuyến ............................................... 14CHƢƠNG 2 : HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ YẾU BỞI ĐIẾN TỬGIAM CẦM TRONG HỐ LƢỢNG TỬ KHI CÓ MẶT TRƢỜNG BỨC XẠLASER CÓ KỂ ĐẾN HIỆU ỨNG GIAM CẦM CỦA PHONON. ........................ 23 2.1 Phương trình động lượng tử của điện tử giam cầm trong hố lượng tử khi có mặt hai sóng trường hợp phonon giam cầm......................................................... 23 Tính hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ trong hố lượng tử bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser. ..................................................................... 37CHƢƠNG 3 : TÍNH TOÁN SỐ VÀ VẼ ĐỒ THỊ KẾT QUẢ LÝ THUYẾT CHOHỐ LƢỢNG TỬ GaAs/ GaAsAl .............................................................................. 53 3.1 Tính toán số và vẽ đồ thị cho hệ số hấp thụ cho trường hợp hố lượng tử GaAs/GaAsAl: ......................................................................................................... 53 3.2 Thảo luận các kết quả thu được: ..................................................................... 57KẾT LUẬN ................................................................................................................. 58TÀI LIỆU THAM KHẢO .......................................................................................... 59PHỤ LỤC .................................................................................................................... 61 3Sa Thị Lan Anh Luận văn thạc sỹ 2010 – 2012 MỞ ĐẦU1. Lý do chọn đề tài Hệ bán dẫn thấp chiều trong đó có hệ hai chiều như: hố lượng tử, siêu mạnghợp phần, siêu mạng pha tạp, … ngày càng được các nhà vật lý lý thuyết và thựcnghiệm quan tâm tìm hiểu và nghiên cứu. Việc chuyển từ hệ ba chiều sang các hệthấp chiều đã làm thay đổi nhiều tính chất vật lý cả về định tính lẫn định lượng củavật liệu, Trong số đó, có bài toán về sự ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh lên sóngđiện từ yếu trong các loại vật liệu. Trong khi ở bán dẫn khối, các điện tử c ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử có kể đến hiệu ứng giam cầm của phonon (trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang)Sa Thị Lan Anh Luận văn thạc sỹ 2010 – 2012 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN --------------------- SA THỊ LAN ANH ẢNH HƢỞNG CỦA SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH LÊN HẤP THỤ SÓNG ĐIỆN TỪ YẾU BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG HỐ LƢỢNG TỬ CÓ KỂ ĐẾN HIỆU ỨNG GIAM CẦM CỦA PHONON ( TRƢỜNG HỢP TÁN XẠ ĐIỆN TỬ - PHONON QUANG) LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hà Nội - 2012 1Sa Thị Lan Anh Luận văn thạc sỹ 2010 – 2012 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN --------------------- Sa Thị Lan Anh ẢNH HƢỞNG CỦA SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH LÊN HẤP THỤ SÓNG ĐIỆN TỪ YẾU BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG HỐ LƢỢNG TỬ CÓ KỂ ĐẾN HIỆU ỨNG GIAM CẦM CỦA PHONON ( TRƢỜNG HỢP TÁN XẠ ĐIỆN TỬ - PHONON QUANG) Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán Mã số: 604401 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:GS.TS NGUYỄN QUANG BÁU Hà Nội - 2012 2Sa Thị Lan Anh Luận văn thạc sỹ 2010 – 2012 MỤC LỤCMỞ ĐẦU ........................................................................................................................ 4 1. Lý do chọn đề tài ................................................................................................ 4CHƢƠNG 1: GIỚI THIỆU VỀ HỐ LƢỢNG TỬ VÀ BÀI TOÁN HẤP THỤSÓNG ĐIỆN TỪ YẾU BỞI ĐIỆN TỬ KHI CÓ MẶT CỦA TRƢỜNG BỨC XẠLASER TRONG BÁN DẪN KHỐI ............................................................................ 7 1. GIỚI THIỆU VỀ HỐ LƢỢNG TỬ ..................................................................... 7 1.1. Khái niệm về hố lượng tử .................................................................................. 7 Phổ năng lượng và hàm sóng của điện tử giam cầm trong hố lượng tử. ............. 8 2. HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ YẾU BỞI ĐIỆN TỬ KHI CÓ MẶT TRƢỜNG BỨC XẠ LASER TRONG BÁN DẪN KHỐI. .......................... 9 2.1. Xây dựng phương trình động lượng tử cho điện tử trong bán dẫn khối. .... 9 1.2. Tính mật độ dòng và hệ số hấp thụ phi tuyến ............................................... 14CHƢƠNG 2 : HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ YẾU BỞI ĐIẾN TỬGIAM CẦM TRONG HỐ LƢỢNG TỬ KHI CÓ MẶT TRƢỜNG BỨC XẠLASER CÓ KỂ ĐẾN HIỆU ỨNG GIAM CẦM CỦA PHONON. ........................ 23 2.1 Phương trình động lượng tử của điện tử giam cầm trong hố lượng tử khi có mặt hai sóng trường hợp phonon giam cầm......................................................... 23 Tính hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ trong hố lượng tử bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser. ..................................................................... 37CHƢƠNG 3 : TÍNH TOÁN SỐ VÀ VẼ ĐỒ THỊ KẾT QUẢ LÝ THUYẾT CHOHỐ LƢỢNG TỬ GaAs/ GaAsAl .............................................................................. 53 3.1 Tính toán số và vẽ đồ thị cho hệ số hấp thụ cho trường hợp hố lượng tử GaAs/GaAsAl: ......................................................................................................... 53 3.2 Thảo luận các kết quả thu được: ..................................................................... 57KẾT LUẬN ................................................................................................................. 58TÀI LIỆU THAM KHẢO .......................................................................................... 59PHỤ LỤC .................................................................................................................... 61 3Sa Thị Lan Anh Luận văn thạc sỹ 2010 – 2012 MỞ ĐẦU1. Lý do chọn đề tài Hệ bán dẫn thấp chiều trong đó có hệ hai chiều như: hố lượng tử, siêu mạnghợp phần, siêu mạng pha tạp, … ngày càng được các nhà vật lý lý thuyết và thựcnghiệm quan tâm tìm hiểu và nghiên cứu. Việc chuyển từ hệ ba chiều sang các hệthấp chiều đã làm thay đổi nhiều tính chất vật lý cả về định tính lẫn định lượng củavật liệu, Trong số đó, có bài toán về sự ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh lên sóngđiện từ yếu trong các loại vật liệu. Trong khi ở bán dẫn khối, các điện tử c ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học Luận văn Thạc sĩ Sóng điện từ mạnh Sóng điện từ yếu Hố lượng tử Hiệu ứng giam cầm của phonon Tán xạ điện tửGợi ý tài liệu liên quan:
-
Luận văn Thạc sĩ Kinh tế: Quản trị chất lượng dịch vụ khách sạn Mường Thanh Xa La
136 trang 360 5 0 -
97 trang 314 0 0
-
Luận văn Thạc sĩ Khoa học máy tính: Tìm hiểu xây dựng thuật toán giấu tin mật và ứng dụng
76 trang 297 0 0 -
97 trang 284 0 0
-
26 trang 272 0 0
-
115 trang 261 0 0
-
155 trang 259 0 0
-
64 trang 248 0 0
-
26 trang 246 0 0
-
70 trang 223 0 0