Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Lý thuyết lượng tử về hiệu ứng quang kích thích Ettingshausen trong hố lượng tử
Số trang: 60
Loại file: pdf
Dung lượng: 1.38 MB
Lượt xem: 12
Lượt tải: 0
Xem trước 6 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Luận văn có cấu trúc gồm 3 chương trình bày về hố lượng tử và hệ số Ettingshausen trong bán dẫn khối; hệ số Ettingshausentrong hố lượng tử; Tính toán số và vẽ đồ thị kết quả lý thuyết hệ số Ettingshausentrong hố lượng tử GaAs/GaAsA. Mời các bạn cùng tham khảo.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Lý thuyết lượng tử về hiệu ứng quang kích thích Ettingshausen trong hố lượng tử ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN --------------------- NGUYỄN TIẾN LONG LÝ THUYẾT LƢỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG QUANG KÍCH THÍCHETTINGSHAUSENTRONG HỐ LƢỢNG TỬ LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC HÀ NỘI - 2015 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN --------------------- NGUYỄN TIẾN LONG LÝ THUYẾT LƢỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG QUANG KÍCH THÍCH ETTINGSHAUSENTRONG HỐ LƢỢNG TỬ Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán Mã số: 60440103 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌCNgười hướng dẫn khoa học:GS.TS. NGUYỄN QUANG BÁU HÀ NỘI - 2015 LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, em xin được bày tỏ lòng biết ơn chân thành và sâu sắc đếnGS.TS Nguyễn Quang Báu - Người đã hướng dẫn và chỉ đạo tận tình cho em trongquá trình thực hiện đề tài luận văn này. Em xin chân thành cảm ơn sự giúp đỡ và dạy bảo tận tình của các thầy côgiáo trong bộ môn Vật lý lý thuyết – Khoa Vật lý – trường Đại học Khoa học TựNhiên – Đại Học Quốc Gia Hà Nội trong suốt thời gian vừa qua, để em có thể họctập và hoàn thành đề tài luận văn một cách tốt nhất. Em cũng gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình, bạn bè đã luôn động viênem trong suốt quá trình học tập và hoàn thành đề tài luận văn. Mặc dù em đã có nhiều cố gắng nhưng do trong thời gian ngắn và lượng kiếnthức của bản thân cũng chưa thực sự được hoàn thiện nên luận văn vẫn không tránhkhỏi những thiếu sót và hạn chế, em rất mong nhận được sự góp ý, chỉ dẫn của cácthầy, cô giáo và các bạn để luận văn được hoàn thiện hơn. Luận văn được hoàn thành với sự tài trợ của đề tài NAFOSTED (Number103.01-2015.22) Em xin chân thành cảm ơn! Hà Nội, tháng 11 năm 2015 Học viên Nguyễn Tiến Long MỤC LỤC TrangTrang phụ bìaLời cảm ơnMục lụcDanh mục hình - bảngMỞ ĐẦU ................................................................................................................................... 1CHƢƠNG 1: HỐ LƢỢNG TỬ VÀ HIỆU ỨNG ETTINGSHAUSEN TRONGBÁN DẪN KHỐI ..................................................................................................................... 41.1. Hố lượng tử .......................................................................................................... 4 1.1.1. Khái niệm về hố lượng tử: ............................................................................4 1.1.2. Phổ năng lượng và hàm sóng của điện tử giam cầm trong hố lượng tử ......51.2. Hiệu ứng Ettingshausen trong bán dẫn khối ........................................................ 5 1.2.1. Phương trình động lượng tử cho hàm phân bố điện tử trong bán dẫn khối khi có mặt trường điện từ không đổi và trường bức xạ cao tần (laser) ........................5 1.2.2. Mật độ dòng toàn phần trong bán dẫn khối....................................................11 1.2.3. Mật độ thông lượng nhiệt trong bán dẫn khối ............................................19 1.2.4. Hệ số Ettingshausen trong bán dẫn khối ....................................................20CHƢƠNG 2: HIỆU ỨNG ETTINGSHAUSEN TRONG HỐ LƢỢNG TỬ .................. 222.1. Phương trình động lượng tử cho điện tử trong hố lượng tử ............................... 22 2.2. Biểu thức mật độ dòng toàn phần trong hố lượng tử ..................................... 25 2.3. Biểu thức giải tích mật độ thông lượng nhiệt trong hố lượng tử: .................. 352.4. Hệ số Ettingshausen trong hố lượng tử .............................................................. 40CHƢƠNG 3: TÍNH TOÁN SỐ VÀ ĐỒ THỊ KẾT QUẢ LÝ THUYẾT HỆ SỐETTINGSHAUSEN TRONG HỐ LƢỢNG TỬ GaAs/GaAsAl .............................. 403.1. Sự phụ thuộc của hệ số Ettingshausen vào tần số sóng điện từ mạnh (bức xạlaser): ........................................................................................................................ 403.2. Sự phụ thuộc của hệ số Ettingshausen vào nhiệt độ: ......................................... 41KẾT LUẬN ............................................................................................................................. 42TÀI LIỆU THAM KHẢO ..................................................................................................... 43PHỤ LỤC DANH MỤC BẢNG, HÌNHBảng 1: Tham số vật liệu được sử dụng trong quá ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Lý thuyết lượng tử về hiệu ứng quang kích thích Ettingshausen trong hố lượng tử ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN --------------------- NGUYỄN TIẾN LONG LÝ THUYẾT LƢỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG QUANG KÍCH THÍCHETTINGSHAUSENTRONG HỐ LƢỢNG TỬ LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC HÀ NỘI - 2015 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN --------------------- NGUYỄN TIẾN LONG LÝ THUYẾT LƢỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG QUANG KÍCH THÍCH ETTINGSHAUSENTRONG HỐ LƢỢNG TỬ Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán Mã số: 60440103 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌCNgười hướng dẫn khoa học:GS.TS. NGUYỄN QUANG BÁU HÀ NỘI - 2015 LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, em xin được bày tỏ lòng biết ơn chân thành và sâu sắc đếnGS.TS Nguyễn Quang Báu - Người đã hướng dẫn và chỉ đạo tận tình cho em trongquá trình thực hiện đề tài luận văn này. Em xin chân thành cảm ơn sự giúp đỡ và dạy bảo tận tình của các thầy côgiáo trong bộ môn Vật lý lý thuyết – Khoa Vật lý – trường Đại học Khoa học TựNhiên – Đại Học Quốc Gia Hà Nội trong suốt thời gian vừa qua, để em có thể họctập và hoàn thành đề tài luận văn một cách tốt nhất. Em cũng gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình, bạn bè đã luôn động viênem trong suốt quá trình học tập và hoàn thành đề tài luận văn. Mặc dù em đã có nhiều cố gắng nhưng do trong thời gian ngắn và lượng kiếnthức của bản thân cũng chưa thực sự được hoàn thiện nên luận văn vẫn không tránhkhỏi những thiếu sót và hạn chế, em rất mong nhận được sự góp ý, chỉ dẫn của cácthầy, cô giáo và các bạn để luận văn được hoàn thiện hơn. Luận văn được hoàn thành với sự tài trợ của đề tài NAFOSTED (Number103.01-2015.22) Em xin chân thành cảm ơn! Hà Nội, tháng 11 năm 2015 Học viên Nguyễn Tiến Long MỤC LỤC TrangTrang phụ bìaLời cảm ơnMục lụcDanh mục hình - bảngMỞ ĐẦU ................................................................................................................................... 1CHƢƠNG 1: HỐ LƢỢNG TỬ VÀ HIỆU ỨNG ETTINGSHAUSEN TRONGBÁN DẪN KHỐI ..................................................................................................................... 41.1. Hố lượng tử .......................................................................................................... 4 1.1.1. Khái niệm về hố lượng tử: ............................................................................4 1.1.2. Phổ năng lượng và hàm sóng của điện tử giam cầm trong hố lượng tử ......51.2. Hiệu ứng Ettingshausen trong bán dẫn khối ........................................................ 5 1.2.1. Phương trình động lượng tử cho hàm phân bố điện tử trong bán dẫn khối khi có mặt trường điện từ không đổi và trường bức xạ cao tần (laser) ........................5 1.2.2. Mật độ dòng toàn phần trong bán dẫn khối....................................................11 1.2.3. Mật độ thông lượng nhiệt trong bán dẫn khối ............................................19 1.2.4. Hệ số Ettingshausen trong bán dẫn khối ....................................................20CHƢƠNG 2: HIỆU ỨNG ETTINGSHAUSEN TRONG HỐ LƢỢNG TỬ .................. 222.1. Phương trình động lượng tử cho điện tử trong hố lượng tử ............................... 22 2.2. Biểu thức mật độ dòng toàn phần trong hố lượng tử ..................................... 25 2.3. Biểu thức giải tích mật độ thông lượng nhiệt trong hố lượng tử: .................. 352.4. Hệ số Ettingshausen trong hố lượng tử .............................................................. 40CHƢƠNG 3: TÍNH TOÁN SỐ VÀ ĐỒ THỊ KẾT QUẢ LÝ THUYẾT HỆ SỐETTINGSHAUSEN TRONG HỐ LƢỢNG TỬ GaAs/GaAsAl .............................. 403.1. Sự phụ thuộc của hệ số Ettingshausen vào tần số sóng điện từ mạnh (bức xạlaser): ........................................................................................................................ 403.2. Sự phụ thuộc của hệ số Ettingshausen vào nhiệt độ: ......................................... 41KẾT LUẬN ............................................................................................................................. 42TÀI LIỆU THAM KHẢO ..................................................................................................... 43PHỤ LỤC DANH MỤC BẢNG, HÌNHBảng 1: Tham số vật liệu được sử dụng trong quá ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Luận văn Thạc sĩ Luận văn Thạc sĩ Khoa học Hố lượng tử Hiệu ứng quang kích thích Ettingshausen Lý thuyết lượng tửGợi ý tài liệu liên quan:
-
Luận văn Thạc sĩ Kinh tế: Quản trị chất lượng dịch vụ khách sạn Mường Thanh Xa La
136 trang 358 5 0 -
97 trang 311 0 0
-
Luận văn Thạc sĩ Khoa học máy tính: Tìm hiểu xây dựng thuật toán giấu tin mật và ứng dụng
76 trang 297 0 0 -
97 trang 275 0 0
-
26 trang 267 0 0
-
115 trang 258 0 0
-
155 trang 254 0 0
-
64 trang 244 0 0
-
26 trang 241 0 0
-
70 trang 221 0 0