Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Mô phỏng transistor ống nanô carbon đồng trục
Số trang: 117
Loại file: pdf
Dung lượng: 2.85 MB
Lượt xem: 8
Lượt tải: 0
Xem trước 10 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Ngành công nghiệp bán dẫn trên thế giới đang tiếp tục xu hướng thu nhỏ kích thước, giảm công suất tiêu thụ, giảm điện áp nguồn nuôi, giảm giá thành, tăng mật độ tích hợp, tăng khả năng đáp ứng tần số và mở rộng dải nhiệt độ làm việc của linh kiện... Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Mô phỏng transistor ống nanô carbon đồng trục ðẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ðẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYỄN THỊ LƯỠNGMÔ PHỎNG TRANSISTOR ỐNGNANÔ CARBON ðỒNG TRỤC LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ TP. Hồ Chí Minh - 2010ðẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ðẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYỄN THỊ LƯỠNG MÔ PHỎNG TRANSISTOR ỐNG NANÔ CARBON ðỒNG TRỤC Chuyên ngành:Vật lý vô tuyến và ñiện tử Mã số: 62.44.03.01 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Người hướng dẫn: PGS.TS. ðinh Sỹ Hiền Tp. Hồ Chí Minh - 2010 i LỜI CAM ðOANTôi xin cam ñoan ñây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Kết quảnêu trong luận án là trung thực và không trùng lặp với các công trình ñãcông bố trong và ngoài nước thuộc lĩnh vực nghiên cứu cơ bản. Tác giả Nguyễn Thị Lưỡng LỜI CẢM ƠN Luận án này là một công trình khoa học, thuộc lĩnh vực linh kiệnñiện tử nanô, là kết quả của sự nỗ lực, phấn ñấu mà bản thân tôi cóñược trong nhiều năm học tập, giảng dạy và nghiên cứu. Lời ñầu tiên tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc ñến PGS.TS.ðinh Sỹ Hiền, người ñã tận tình hướng dẫn, ñịnh hướng, ñộng viên vàgiúp ñỡ tôi trong suốt quá trình thực hiện luận án này. Tôi xin chân thành tỏ lòng biết ơn ñến Quý thầy giáo, cô giáo củaKhoa ðiện Tử- Viễn Thông, Phòng Quản lý nghiên cứu Khoa học vàðào tạo Sau ðại học của Trường ðại học Khoa học Tự nhiên ñã tạomọi ñiều kiện thuận lợi cho tôi trong quá trình học tập và thực hiệnluận án. Tôi xin chân thành cảm ơn PGS.TS ðặng Mậu Chiến và các cánbộ kỹ thuật phòng thí nghiệm công nghệ nanô ðại học quốc gia Thànhphố Hồ Chí Minh ñã tạo ñiều kiện và giúp ñỡ tôi tiếp cận với các thiếtbị chế tạo CNTFET. Xin cảm ơn BGH, các thầy cô trong khoa ðiện – ðiện tử trườngðại học Sư phạm kỹ thuật Tp.HCM cùng các ñồng nghiệp, bạn bè gầnxa luôn ñộng viên và giúp ñỡ tôi trong suốt thời gian thực hiện luận ánnày. Sau cùng, tôi xin cảm ơn gia ñình tôi, ba mẹ và các anh chị emñặc biệt là chồng và con gái ñã luôn quan tâm, ñộng viên, giúp ñỡ tôitrong những lúc khó khăn nhất. Với tấm lòng luôn biết ơn, tôi xin mãi khắc ghi! Tác giả Nguyễn Thị Lưỡng iii MỤC LỤCTrangTrang phụ bìaLời cam ñoan ............................................................................................................... iLời cảm ơn .................................................................................................................iiMục lục ..................................................................................................................... iiiDanh mục các bảng ................................................................................................... viDanh mục các hình vẽ ..............................................................................................viiDanh mục các kí tự và từ viết tắt .............................................................................xii MỞ ðẦU Chương 1: TỔNG QUAN 1.1. Xu hướng phát triển công nghệ chế tạo IC ..............................................5 1.2. Phân loại linh kiện ñiện tử nanô ...............................................................6 1.3. Nghiên cứu về transistor trường ống nanô carbon ………………………..7 1.4. Nhận xét ..................................................................................................... 11 Chương 2: TRANSISTOR TRƯỜNG ỐNG NANÔ CARBON 2.1. Ống nanô carbon ........................................................................................ 12 2.1.1. Giới thiệu .......................................................................................... 12 2.1.2. Cấu trúc nguyên tử .......................................................................... 13 2.1.3. Công nghệ chế tạo CNT .................................................................... 18 2.2. Transistor trường ống nanô carbon (CNTFET) ......................................... 19 2.2.1. Cấu trúc của CNTFET....................................................................... 19 2.2.2. Hoạt ñộng của CNTFET .................................................................. 23 2.2.3. So sánh MOS-CNTFET với Si-MOSFET ....................................... 26 2.2.4. Một số ứng dụng CNTFET ............................. ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Mô phỏng transistor ống nanô carbon đồng trục ðẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ðẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYỄN THỊ LƯỠNGMÔ PHỎNG TRANSISTOR ỐNGNANÔ CARBON ðỒNG TRỤC LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ TP. Hồ Chí Minh - 2010ðẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ðẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYỄN THỊ LƯỠNG MÔ PHỎNG TRANSISTOR ỐNG NANÔ CARBON ðỒNG TRỤC Chuyên ngành:Vật lý vô tuyến và ñiện tử Mã số: 62.44.03.01 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Người hướng dẫn: PGS.TS. ðinh Sỹ Hiền Tp. Hồ Chí Minh - 2010 i LỜI CAM ðOANTôi xin cam ñoan ñây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Kết quảnêu trong luận án là trung thực và không trùng lặp với các công trình ñãcông bố trong và ngoài nước thuộc lĩnh vực nghiên cứu cơ bản. Tác giả Nguyễn Thị Lưỡng LỜI CẢM ƠN Luận án này là một công trình khoa học, thuộc lĩnh vực linh kiệnñiện tử nanô, là kết quả của sự nỗ lực, phấn ñấu mà bản thân tôi cóñược trong nhiều năm học tập, giảng dạy và nghiên cứu. Lời ñầu tiên tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc ñến PGS.TS.ðinh Sỹ Hiền, người ñã tận tình hướng dẫn, ñịnh hướng, ñộng viên vàgiúp ñỡ tôi trong suốt quá trình thực hiện luận án này. Tôi xin chân thành tỏ lòng biết ơn ñến Quý thầy giáo, cô giáo củaKhoa ðiện Tử- Viễn Thông, Phòng Quản lý nghiên cứu Khoa học vàðào tạo Sau ðại học của Trường ðại học Khoa học Tự nhiên ñã tạomọi ñiều kiện thuận lợi cho tôi trong quá trình học tập và thực hiệnluận án. Tôi xin chân thành cảm ơn PGS.TS ðặng Mậu Chiến và các cánbộ kỹ thuật phòng thí nghiệm công nghệ nanô ðại học quốc gia Thànhphố Hồ Chí Minh ñã tạo ñiều kiện và giúp ñỡ tôi tiếp cận với các thiếtbị chế tạo CNTFET. Xin cảm ơn BGH, các thầy cô trong khoa ðiện – ðiện tử trườngðại học Sư phạm kỹ thuật Tp.HCM cùng các ñồng nghiệp, bạn bè gầnxa luôn ñộng viên và giúp ñỡ tôi trong suốt thời gian thực hiện luận ánnày. Sau cùng, tôi xin cảm ơn gia ñình tôi, ba mẹ và các anh chị emñặc biệt là chồng và con gái ñã luôn quan tâm, ñộng viên, giúp ñỡ tôitrong những lúc khó khăn nhất. Với tấm lòng luôn biết ơn, tôi xin mãi khắc ghi! Tác giả Nguyễn Thị Lưỡng iii MỤC LỤCTrangTrang phụ bìaLời cam ñoan ............................................................................................................... iLời cảm ơn .................................................................................................................iiMục lục ..................................................................................................................... iiiDanh mục các bảng ................................................................................................... viDanh mục các hình vẽ ..............................................................................................viiDanh mục các kí tự và từ viết tắt .............................................................................xii MỞ ðẦU Chương 1: TỔNG QUAN 1.1. Xu hướng phát triển công nghệ chế tạo IC ..............................................5 1.2. Phân loại linh kiện ñiện tử nanô ...............................................................6 1.3. Nghiên cứu về transistor trường ống nanô carbon ………………………..7 1.4. Nhận xét ..................................................................................................... 11 Chương 2: TRANSISTOR TRƯỜNG ỐNG NANÔ CARBON 2.1. Ống nanô carbon ........................................................................................ 12 2.1.1. Giới thiệu .......................................................................................... 12 2.1.2. Cấu trúc nguyên tử .......................................................................... 13 2.1.3. Công nghệ chế tạo CNT .................................................................... 18 2.2. Transistor trường ống nanô carbon (CNTFET) ......................................... 19 2.2.1. Cấu trúc của CNTFET....................................................................... 19 2.2.2. Hoạt ñộng của CNTFET .................................................................. 23 2.2.3. So sánh MOS-CNTFET với Si-MOSFET ....................................... 26 2.2.4. Một số ứng dụng CNTFET ............................. ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Luận văn Thạc sĩ Luận văn Thạc sĩ Khoa học Mô phỏng transistor Ống nano carbon đồng trục Vật lý lý thuyết Vật lý toánGợi ý tài liệu liên quan:
-
Luận văn Thạc sĩ Kinh tế: Quản trị chất lượng dịch vụ khách sạn Mường Thanh Xa La
136 trang 364 5 0 -
97 trang 327 0 0
-
97 trang 308 0 0
-
Luận văn Thạc sĩ Khoa học máy tính: Tìm hiểu xây dựng thuật toán giấu tin mật và ứng dụng
76 trang 300 0 0 -
26 trang 286 0 0
-
155 trang 278 0 0
-
115 trang 268 0 0
-
64 trang 262 0 0
-
26 trang 259 0 0
-
70 trang 225 0 0