Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic/poly(3,4-ethylenedioxythiophene): polystyrene sulfonate/graphen

Mục đích nghiên cứu của Luận văn nhằm tối ưu hóa sự kết hợp các tính chất đặc biệt của vật liệu SiNW và các vật liệu chức năng như polyme dẫn hay graphen nhằm nâng cao hiệu suất chuyển đổi của pin mặt trời. Mời các bạn cùng tham khảo!
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic/poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrene sulfonate/graphen ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN --------------------- Nguyễn Thị Châm NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẤT CỦA PIN MẶT TRỜI DỰA TRÊN CẤU TRÚC LAI DÂY NANOSILIC/POLY(3,4-ETHYLENEDIOXYTHIOPHENE):POLYSTYRENE SULFONATE/GRAPHEN LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hà Nội - 2020 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN --------------------- Nguyễn Thị Châm NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẤT CỦA PIN MẶT TRỜI DỰA TRÊN CẤU TRÚC LAI DÂY NANOSILIC/POLY(3,4-ETHYLENEDIOXYTHIOPHENE):POLYSTYRENE SULFONATE/GRAPHEN Chuyên ngành: Vật lý chất rắn Mã số: 8440130.02 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS. Phạm Văn Trình PGS.TS. Lê Tuấn Tú Hà Nội - 2020 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan bản luận văn này là công trình nghiên cứu do chính tôi −học viên Nguyễn Thị Châm, chuyên ngành Vật lý chất rắn, khoa Vật lý, trườngĐại học Khoa học tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội hoàn thành dưới sự hướngdẫn của TS. Phạm Văn Trình và PGS.TS. Lê Tuấn Tú. Bản luận văn không saochép từ bất kỳ tài liệu nào. Nếu bản luận văn này được sao chép từ bất kỳ tài liệunào tôi xin hoàn toàn chịu trách nhiệm trước đơn vị đào tạo và pháp luật. Hà Nội, ngày 20 tháng 11 năm 2020 Học Viên Nguyễn Thị Châm LỜI CẢM ƠN Với lòng biết ơn sâu sắc, em xin chân thành cảm ơn PGS.TS. Lê Tuấn Tú vàTS. Phạm Văn Trình, những người đã trực tiếp giao đề tài và tận tình hướng dẫnem hoàn thành luận văn này. Em xin chân thành cảm ơn toàn thể cán bộ trong phòng Vật liệu Cácbonnanô, Viện Khoa học Vật liệu đã cung cấp cơ sở vật chất và chỉ bảo tận tình emtrong suốt quá trình làm thực nghiệm, nghiên cứu, hoàn thành luận văn. Em xin được bày tỏ lòng biết ơn đối với các thầy cô giáo thuộc Khoa Vật lý,Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc Gia Hà Nội đã chỉ bảo vàgiảng dạy em trong suốt những năm học qua cũng như việc hoàn thành luận vănnày. Tôi cũng xin gửi lời cảm ơn đến GS. Naoki Fukata tại viện NIMS, Nhật Bảnđã luôn sẵn sàng ủng hộ, giúp đỡ tôi thực hiện một số phép đo và khảo sát tínhchất vật liệu phục vụ cho luận văn. Nội dung của luận văn là một phần công việc của đề tài Độc lập trẻ cấp ViệnHàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam mã số ĐLTE00.03/19-20 và đề tàiNafosted mã số 104.06-2018.34 Cuối cùng, xin được bày tỏ tình cảm tới những người thân trong gia đình,các bạn trong tập thể lớp đã động viên, hỗ trợ em về mọi mặt. Em xin chân thành cảm ơn! Học viên: Nguyễn Thị Châm MỤC LỤC TrangMỞ ĐẦU .........................................................................................................................1Chương 1. TỔNG QUAN................................................................................................ 31.1. Tổng quan về pin mặt trời ........................................................................................31.1.1. Năng lượng mặt trời .............................................................................................. 31.1.2. Nguyên lý hoạt động của pin mặt trời ...................................................................31.1.4. Pin mặt trời cấu trúc lai vô cơ-hữu cơ ...................................................................81.2. Tình hình nghiên cứu về pin mặt trời trong nước ..................................................13Chương 2. THỰC NGHIỆM .........................................................................................172.1. Chế tạo hỗn hợp PEDOT:PSS/Gr ...........................................................................172.2. Chế tạo SiNW .........................................................................................................202.3. Chế tạo pin mặt trời ................................................................................................ 212.4. Các phương pháp phân tích ....................................................................................222.4.1. Kính hiển vi điện tử quét .....................................................................................222.4.2. Phổ tán xạ Raman ................................................................................................ 232.4.3. Phổ FTIR và Phổ UV-VIS ...................................................................................242.4.4. Khảo sát độ dẫn bằng phương pháp đo điện trở bốn mũi dò............................... 252.4.5. Đặc trưng J-V .....................................................................................................26Chương 3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN .....................................................................273.1. Kết quả biến tính Graphen ......................................................................................273.2. Tính chất của màng PEDOT:PSS/Gr .....................................................................283.3. Kết quả chế tạo SiNW ....................................................... ...