Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Tách và xác định các nguyên tố đất hiếm trong lớp phủ bằng phương pháp sắc ký điện di mao quản (CEC)

Mục đích nghiên cứu của luận văn nhằm chế tạo dung dịch photphat hoá nguội với các chất phụ gia: Đồng, Niken, Xeri. Nghiên cứu chọn điều kiện tối ưu cho qui trình phân tích như: pH, nồng độ chất điện ly cho pha động, tách loại chất cản...Đánh giá thống kê phương pháp phân tích. Mời các bạn cùng tham khảo!
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Tách và xác định các nguyên tố đất hiếm trong lớp phủ bằng phương pháp sắc ký điện di mao quản (CEC) ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN ------------------------------- ĐÀO ĐỨC HẢO TÁCH VÀ XÁC ĐỊNH CÁC NGUYÊN TỐ ĐẤT HIẾMTRONG LỚP PHỦ BẰNG PHƯƠNG PHÁP SẮC KÝ ĐIỆN DI MAO QUẢN (CEC). LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC HÀ NỘI -2011 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN ------------------------------- ĐÀO ĐỨC HẢOTÁCH VÀ XÁC ĐỊNH CÁC NGUYÊN TỐ ĐẤT HIẾM TRONG LỚP PHỦ BẰNG PHƯƠNG PHÁP SẮC KÝ ĐIỆN DI MAO QUẢN (CEC). Chuyên ngành: Hoá Phân Tích Mã số: 60.44.29 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS. NGUYỄN VĂN RI HÀ NỘI -2011 Mục lụcMỞ ĐẦU…………………………………………………………...................1CH¦¥NG 1: TæNG QUAN.............................................................................31.1 C¸c nguyªn tè ®Êt hiÕm........................................................................3 1.1.1. Đặc điểm chung về các NTĐH.....................................................3 1.1.11. Ba hướng ứng dụng đất hiếm.............................................4 1.1.1.2. Nguồn tài nguyên đất hiếm Việt Nam.................................51.2. Hîp chÊt phøc cña c¸c nguyªn tè ®Êt hiÕm trong dung dÞch...............61.3. Các biện pháp bảo vệ chống ăn mòn kim loại [15]................................71.4. Giới thiệu về phương pháp photphat hoá..............................................7 1.4.1. Tình hình nghiên cứu lớp phủ bảo vệ kim loại [3].......................7 1.4.1.1. Nghiên cứu ở nước ngoài...................................................7 1.4.1.2. Nghiên cứu trong nước.......................................................8 1.4.2. Công nghệ photphat hoá [14].......................................................9 1.4.2.1. Đặc điểm của công nghệ photphat hoá.............................9 1.4.2.2. Tạo màng Photphat hoá.....................................................91.5. Tæng quan vÒ c¸c ph-¬ng ph¸p t¸ch vµ x¸c ®Þnh c¸c nguyªn t« ®Êt hiÕm......................................................................................................111.6. C¸c ph-¬ng ph¸p x¸c ®Þnh c¸c nguyªn tè ®Êt hiÕm............................11 1.6.1. Ph-¬ng ph¸p quang phæ hÊp thô ph©n tö...................................11 1.6.2. Ph-¬ng ph¸p kÝch ho¹t n¬tron...................................................12 1.6.3. Ph-¬ng ph¸p quang phæ ph¸t x¹ nguyªn tö{16, 17, 18}............12 1.6.4. Phương pháp phổ khối plasma cảm ứng ICP-MS [5, 19]..........14 1.6.5. Ph-¬ng ph¸p s¨c ký...................................................................15 1.6..5.1. Ph-¬ng ph¸p s¾c ký láng hiÖu n¨ng cao..........................15 1.6.5.2. Ph-¬ng ph¸p s¾c ký ®iÖn di mao qu¶n hiÖu n¨ng cao (HPCEC)......................................................................16Ch-¬ng 2 §èi t-îng vµ néi dung nghiªn cøu................212.1. §èi t-îng vµ néi dung nghiªn cøu.......................................................21 2.1.1. §èi t-îng...................................................................................21 2.1.2. Néi dung nghiªn cøu..................................................................212.2. Ph-¬ng ph¸p nghiªn cøu.......................................................................21 2.2.1. §¹i c-¬ng vÒ s¾c ký ®iÖn di mao qu¶n (CEC){3}…..................21 A. LÞch sö vµ ph¸t triÓn..................................................................21 B. Cơ sở lý thuyết............................................................................23 1. Nguyên tắc........................................................................23 2. Sự điện di và sắc ký điện di mao quản hiệu suất cao.......24 2.1. Dung dịch đệm pH và chất điện giải.........................26 2.2. Dòng điện di thẩm thấu (EOF).............................282.3. Chế tạo lớp phủ photphát hoá...........................................................32 A. Nguyên lý tạo lớp phủ photphat.................................................32 B. Chế tạo dung dịch.......................................................................33 C. Chế tạo lớp phủ...........................................................................33 1. Phủ nguội...........................................................................33 2. Mạ......................................................................................342.4. Nghiên cứu khả năng loại trừ các yếu tố ảnh hường (Loại trừ ảnhhưởng của Sắt)...............................................................................................35 2.4.1. Phương pháp trao đổi ion:.........................................................35 2.4.2. Phương pháp chiết......................................................................362.5 Thiết bị và hoá chất...............................................................................35 2.5.1 Thiết bị..............................................................................................352.5.2 ...