Luận văn Thạc sĩ Khoa học vật chất: Nghiên cứu ảnh hưởng của áp suất lên sự tự khuếch tán trong Ge bằng phương pháp thống kê mô men
Số trang: 51
Loại file: pdf
Dung lượng: 1.10 MB
Lượt xem: 7
Lượt tải: 0
Xem trước 6 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Mục đích của luận văn "Nghiên cứu ảnh hưởng của áp suất lên sự tự khuếch tán trong Ge bằng phương pháp thống kê mô men" là sử dụng phương pháp thống kê mô men nghiên cứu ảnh hưởng của áp suất lên sự tự khuếch tán trong Ge. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học vật chất: Nghiên cứu ảnh hưởng của áp suất lên sự tự khuếch tán trong Ge bằng phương pháp thống kê mô men BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM HÀ NỘI 2 ---- VŨ THỊ LAN PHƢƠNGNGHIÊN CỨU ẢNH HƢỞNG CỦA ÁP SUẤT LÊN SỰ TỰ KHUẾCH TÁN TRONG GeBẰNG PHƢƠNG PHÁP THỐNG KÊ MÔMEN Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và Vật lí toán Mã số: 60 44 01 03 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT CHẤT Người hướng dẫn khoa học: TS. Phan Thị Thanh Hồng HÀ NỘI - 2017 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi dưới sựhướng dẫn của TS. Phan Thị Thanh Hồng. Tất cả các số liệu và kết quảnghiên cứu trong luận văn là trung thực, chưa từng được công bố trong bất kỳcông trình nào khác. Hà Nội, ngày 12 tháng 8 năm 2017 Học viên Vũ Thị Lan Phương LỜI CẢM ƠN Trước khi trình bày nội dung của luận văn, tôi xin bày tỏ lòng biết ơnsâu sắc tới TS. Phan Thị Thanh Hồng người đã định hướng chọn đề tài và tậntình hướng dẫn để tôi có thể hoàn thành luận văn này. Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành tới phòng Sau đại học, Ban Chủnhiệm Khoa Vật lý, các thầy cô giáo giảng dạy chuyên ngành Vật lý lý thuyếtvà Vật lý toán trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 đã giúp đỡ tôi trong suốtquá trình học tập và làm luận văn. Cuối cùng, tôi xin được gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình và bạnbè đã động viên, giúp đỡ và tạo điều kiện về mọi mặt trong quá trình học tậpđể tôi hoàn thành luận văn này. Hà Nội, ngày 12 tháng 8 năm 2017 Tác giả Vũ Thị Lan Phương MỤC LỤCMỞ ĐẦU .......................................................................................................... 11. Lý do chọn đề tài ........................................................................................... 12. Mục đích nghiên cứu: .................................................................................... 23. Nhiệm vụ nghiên cứu: ................................................................................... 24. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu:................................................................ 25. Phương pháp nghiên cứu:.............................................................................. 3Chương 1: CÁC NGHIÊN CỨU VỀ ẢNH HƢỞNG CỦA ÁP SUẤTLÊN HIỆN TƢỢNG KHUẾCH TÁN TRONG TINH THỂ BÁN DẪN ...... 41.1. Cấu trúc tinh thể của bán dẫn ................................................................ 41.2. Các khuyết tật trong tinh thể bán dẫn ................................................... 51.3. Các cơ chế khuếch tán chủ yếu trong bán dẫn...................................... 71.4. Các nghiên cứu về ảnh hưởng của áp suất lên sự khuếch tántrong tinh thể bán dẫn .................................................................................... 9KẾT LUẬN CHƢƠNG 1 .............................................................................. 12Chương 2: KHUẾCH TÁN TRONG TINH THỂ BÁN DẪN DƢỚI ẢNHHƢỞNG CỦA ÁP SUẤT ........................................................................................132.1. Phương pháp thống kê mômen trong nghiên cứu tinh thể bán dẫn . 13 2.1.1. Độ dời của hạt khỏi nút mạng ........................................................... 13 2.1.2. Năng lượng tự do Helmholtz ............................................................. 182.2. Sự tự khuếch tán trong tinh thể bán dẫn dưới ảnh hưởng củanhiệt độ và áp suất......................................................................................... 20 2.2.1. hu ch tán dư i ảnh hư ng của nhi t ộ ......................................... 20 2.2.2. hu ch tán dư i ảnh hư ng của áp su t .......................................... 27KẾT LUẬN CHƢƠNG 2 .............................................................................. 32Chương 3: TỰ KHUẾCH TÁN TRONG TINH THỂ Ge DƢỚI ẢNHHƢỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ VÀ ÁP SUẤT .................................................. 333.1. Thế tương tác giữa các hạt trong tinh thể ........................................... 333.2. Ảnh hường của nhiệt độ và áp suất lên các đại lượng khuếch táncủa Ge ............................................................................................................. 34KẾT LUẬN CHƢƠNG 3 .............................................................................. 40KẾT LUẬN .................................................................................................... 41TÀI LIỆU THAM KHẢO ........................................... ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học vật chất: Nghiên cứu ảnh hưởng của áp suất lên sự tự khuếch tán trong Ge bằng phương pháp thống kê mô men BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM HÀ NỘI 2 ---- VŨ THỊ LAN PHƢƠNGNGHIÊN CỨU ẢNH HƢỞNG CỦA ÁP SUẤT LÊN SỰ TỰ KHUẾCH TÁN TRONG GeBẰNG PHƢƠNG PHÁP THỐNG KÊ MÔMEN Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và Vật lí toán Mã số: 60 44 01 03 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT CHẤT Người hướng dẫn khoa học: TS. Phan Thị Thanh Hồng HÀ NỘI - 2017 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi dưới sựhướng dẫn của TS. Phan Thị Thanh Hồng. Tất cả các số liệu và kết quảnghiên cứu trong luận văn là trung thực, chưa từng được công bố trong bất kỳcông trình nào khác. Hà Nội, ngày 12 tháng 8 năm 2017 Học viên Vũ Thị Lan Phương LỜI CẢM ƠN Trước khi trình bày nội dung của luận văn, tôi xin bày tỏ lòng biết ơnsâu sắc tới TS. Phan Thị Thanh Hồng người đã định hướng chọn đề tài và tậntình hướng dẫn để tôi có thể hoàn thành luận văn này. Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành tới phòng Sau đại học, Ban Chủnhiệm Khoa Vật lý, các thầy cô giáo giảng dạy chuyên ngành Vật lý lý thuyếtvà Vật lý toán trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 đã giúp đỡ tôi trong suốtquá trình học tập và làm luận văn. Cuối cùng, tôi xin được gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình và bạnbè đã động viên, giúp đỡ và tạo điều kiện về mọi mặt trong quá trình học tậpđể tôi hoàn thành luận văn này. Hà Nội, ngày 12 tháng 8 năm 2017 Tác giả Vũ Thị Lan Phương MỤC LỤCMỞ ĐẦU .......................................................................................................... 11. Lý do chọn đề tài ........................................................................................... 12. Mục đích nghiên cứu: .................................................................................... 23. Nhiệm vụ nghiên cứu: ................................................................................... 24. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu:................................................................ 25. Phương pháp nghiên cứu:.............................................................................. 3Chương 1: CÁC NGHIÊN CỨU VỀ ẢNH HƢỞNG CỦA ÁP SUẤTLÊN HIỆN TƢỢNG KHUẾCH TÁN TRONG TINH THỂ BÁN DẪN ...... 41.1. Cấu trúc tinh thể của bán dẫn ................................................................ 41.2. Các khuyết tật trong tinh thể bán dẫn ................................................... 51.3. Các cơ chế khuếch tán chủ yếu trong bán dẫn...................................... 71.4. Các nghiên cứu về ảnh hưởng của áp suất lên sự khuếch tántrong tinh thể bán dẫn .................................................................................... 9KẾT LUẬN CHƢƠNG 1 .............................................................................. 12Chương 2: KHUẾCH TÁN TRONG TINH THỂ BÁN DẪN DƢỚI ẢNHHƢỞNG CỦA ÁP SUẤT ........................................................................................132.1. Phương pháp thống kê mômen trong nghiên cứu tinh thể bán dẫn . 13 2.1.1. Độ dời của hạt khỏi nút mạng ........................................................... 13 2.1.2. Năng lượng tự do Helmholtz ............................................................. 182.2. Sự tự khuếch tán trong tinh thể bán dẫn dưới ảnh hưởng củanhiệt độ và áp suất......................................................................................... 20 2.2.1. hu ch tán dư i ảnh hư ng của nhi t ộ ......................................... 20 2.2.2. hu ch tán dư i ảnh hư ng của áp su t .......................................... 27KẾT LUẬN CHƢƠNG 2 .............................................................................. 32Chương 3: TỰ KHUẾCH TÁN TRONG TINH THỂ Ge DƢỚI ẢNHHƢỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ VÀ ÁP SUẤT .................................................. 333.1. Thế tương tác giữa các hạt trong tinh thể ........................................... 333.2. Ảnh hường của nhiệt độ và áp suất lên các đại lượng khuếch táncủa Ge ............................................................................................................. 34KẾT LUẬN CHƢƠNG 3 .............................................................................. 40KẾT LUẬN .................................................................................................... 41TÀI LIỆU THAM KHẢO ........................................... ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Luận văn Thạc sĩ Luận văn Thạc sĩ Khoa học vật chất Vật lí lí thuyết Vật lí toán Sự tự khuếch tán trong Ge Phương pháp thống kê mô menTài liệu liên quan:
-
Luận văn Thạc sĩ Kinh tế: Quản trị chất lượng dịch vụ khách sạn Mường Thanh Xa La
136 trang 365 5 0 -
97 trang 330 0 0
-
97 trang 313 0 0
-
Luận văn Thạc sĩ Khoa học máy tính: Tìm hiểu xây dựng thuật toán giấu tin mật và ứng dụng
76 trang 302 0 0 -
155 trang 280 0 0
-
115 trang 269 0 0
-
64 trang 265 0 0
-
26 trang 263 0 0
-
70 trang 226 0 0
-
128 trang 223 0 0