Luận văn thạc sĩ ngành Vật lý kỹ thuật: Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất si/sige sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều

Luận văn thạc sĩ ngành vật lý kỹ thuật: Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất si/sige sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều trình bày các nội dung như cơ cấu của hiệu ứng kênh ngắn trong tfef, hiệu ứng kênh ngắn trong các tfet cấu trúc dị chất si/sige loại P và N.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn thạc sĩ ngành Vật lý kỹ thuật: Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất si/sige sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐÀ LẠT NGUYỄN THỊ THU NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG KÊNH NGẮN TRONGCÁC TRANZITO TRƯỜNG XUYÊN HẦM VỚI CẤUTRÚC DỊ CHẤT Si/SiGe SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG HAI CHIỀU LUẬN VĂN THẠC SĨ NGÀNH VẬT LÝ KỸ THUẬT Lâm Đồng–2017 iBÌA PHỤ BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐÀ LẠT NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG KÊNH NGẮN TRONG CÁC TRANZITO TRƯỜNG XUYÊN HẦM VỚI CẤU TRÚC DỊ CHẤT Si/SiGe SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG HAI CHIỀU Chuyên ngành: Vật lý kỹ thuật Mã số: 60.52.04.01 LUẬN VĂN THẠC SĨ NGÀNH VẬT LÝ KỸ THUẬT Người hướng dẫn khoa học: TS. Nguyễn Đăng Chiến Học viên thực hiện: Nguyễn Thị Thu ii LỜI CẢM ƠN Trước hết, tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến TS. Nguyễn Đăng Chiến,người đã trực tiếp chỉ dạy, hướng dẫn và cung cấp kiến thức nền tảng cho tôi trongsuốt thời gian qua để tôi có thể hoàn thành luận văn này. Tôi xin cảm ơn các thầy, cô trong khoa Sau Đại Học, Trường Đại Học Đà Lạtđã giảng dạy, truyền đạt cho tôi những kiến thức và kinh nghiệm quý báu trong thờigian học tập tại trường. Cuối cùng, tôi xin chân thành cảm ơn đến gia đình, bạn bè đã luôn động viên vàgiúp đỡ tôi trong suốt quá trình học tập. Lâm Đồng, ngày 10 tháng 2 năm 2017 Nguyễn Thị Thu iii LỜI CAM ĐOANTôi cam đoan đây là công trình nghiên cứu của tôi dưới sự hướng dẫn của TS.Nguyễn Đăng Chiến.Những kết quả nghiên cứu của người khác và các số liệu được trích dẫn trong luậnvăn đều được chú thích đầy đủ.Tôi hoàn toàn chịu trách nhiệm trước nhà trường về sự cam đoan này. Lâm Đồng, ngày 10 tháng 2 năm 2017 Tác giả Nguyễn Thị Thu iv MỤC LỤCBÌA PHỤ .................................................................................................................iLỜI CẢM ƠN ........................................................................................................iiLỜI CAM ĐOAN ................................................................................................ iiiMỤC LỤC............................................................................................................. ivDANH MỤC CÁC KÍ HIỆU, CHỮ VIẾT TẮT.................................................. viDANH MỤC HÌNH VẼ .......................................................................................viiTÓM TẮT .............................................................................................................. 1CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU ................................................................................... 3 1.2 Thuận lợi của TFET ....................................................................................... 5 1.3 Mục tiêu của luận văn .................................................................................... 6CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG...................................................... 9 2.1 Phần mềm mô phỏng ..................................................................................... 9 2.2 Mẫu vật lý trong mô phỏng .......................................................................... 11 2.2.1 Cơ chế chuyển dịch của điện tử trong chất bán dẫn .............................. 11 2.2.2 Mẫu xuyên hầm Kane ............................................................................ 13 2.3 Phương pháp mô phỏng ............................................................................... 14CHƯƠNG 3: CƠ CHẾ CỦA HIỆU ỨNG KÊNH NGẮN TRONG TFET ....... 16 3.1 Cơ chế của hiệu ứng kênh ngắn ................................................................... 16 3.1.2 Hiệu ứng kênh ngắn .............................................................................. 19 3.2 Sự phụ thuộc vào các tham số linh kiện của hiệu ứng kênh ngắn ................. 22 3.2.1 Điện môi cổng ....................................................................................... 22 3.3 Sự phụ thuộc vào cấu trúc linh kiện của hiệu ứng kênh ngắn ....................... 27 3.4 Sự phụ thuộc vào vật liệu linh kiện của hiệu ứng kênh ngắn. ....................... 29 3.5 Sự phụ thuộc vào hiệu điện thế máng-nguồn linh kiện của hiệu ứng kênh ngắn. .................................................................................................................. 31CHƯƠNG 4: HIỆU ỨNG KÊNH NGẮN TRONG CÁC TFET CẤU TRÚC DỊCHẤT Si/SiGe LOẠI P VÀ N ............................................................................. 35 4.1 Tăng dòng dẫn nhờ cấu trúc Si/SiGe ............................................................ 35 v 4.2 TFET dùng chuyển tiếp dị chất gián đoạn Si/SiGe. ...................................... 37 4.3 TFET dùng chuyển tiếp dị chất liên tục Si/SiGe. .......................................... 41KẾT LUẬN .......................................................................................................... 45DANH MỤC CÔNG TRÌNH CỦA TÁC GIẢ ................................................... 46TÀI LIỆU THAM KHẢO .................................. ...