Luận văn Thạc sĩ Vật lí: Chế tạo và nghiên cứu tính chất điện, quang của màng mỏng SiGe ứng dụng trong pin mặt trời thế hệ hai

Mục tiêu nghiên cứu của luận văn nhằm đưa ra được quy trình công nghệ chế tạo vật liệu quang điện Si-Ge độ rộng vùng cấm thay đổi và có hiệu suất cao. Tối ưu hóa thành phần và cấu trúc của vật liệu Si-Ge để thu được các tính chất vật lý cho phép ứng dụng trong pin quang điện. Mời các bạn cùng tham khảo!
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lí: Chế tạo và nghiên cứu tính chất điện, quang của màng mỏng SiGe ứng dụng trong pin mặt trời thế hệ hai ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC LÊ XUÂN HIẾU CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN, QUANG CỦA MÀNG MỎNG SiGe ỨNG DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI THẾ HỆ HAI LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ THÁI NGUYÊN - 2019Số hóa bởi Trung tâm Học liệu và Công nghệ thông tin – ĐHTN http://lrc.tnu.edu.vn ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC LÊ XUÂN HIẾU CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN, QUANG CỦA MÀNG MỎNG SiGe ỨNG DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI THẾ HỆ HAI Ngành: Quang học Mã số: 8 44 01 10 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ Cán bộ hướng dẫn khoa học: 1. TS. VŨ VĂN THÚ 2. PGS.TS. NGUYỄN VĂN ĐĂNG THÁI NGUYÊN - 2019Số hóa bởi Trung tâm Học liệu và Công nghệ thông tin – ĐHTN http://lrc.tnu.edu.vn i LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đề tài: “Chế tạo và nghiên cứu tính chất điện, quang củamàng mỏng SiGe ứng dụng trong pin mặt trời thế hệ hai” là công trình nghiêncứu của tôi dưới sự hướng dẫn của TS. Vũ Văn Thú và PGS.TS. Nguyễn Văn Đăng.Các số liệu và kết quả đưa ra trong luận văn là hoàn toàn trung thực và chưa từngđược công bố trong bất cứ công trình nào trước. Tôi xin chịu hoàn toàn trách nhiệmvề lời cam đoan trên của mình. Thái Nguyên, tháng 11 năm 2019 Tác giả Lê Xuân Hiếu Số hóa bởi Trung tâm Học liệu và Công nghệ thông tin – ĐHTN http://lrc.tnu.edu.vn ii LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, tôi xin bày tỏ lòng kính trọng và gửi lời cảm ơn chân thành đếnthầy TS. Vũ Văn Thú và PGS.TS. Nguyễn Văn Đăng, các thầy đã hướng dẫn tôihoàn thành luận văn này. Các thầy đã luôn chỉ bảo tận tình, động viên cũng như tạomọi điều kiện tốt nhất cho tôi trong suốt thời gian thực hiện nghiên cứu. Tôi xin cảm ơn tới Khoa Vật lí - Công nghệ - Trường Đại học Khoa học -Đại học Thái Nguyên, Viện ITIMS - Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội đã cho tôicơ hội được học tập, nghiên cứu và làm thực nghiệm. Trong suốt thời gian làm luậnvăn, tôi đã luôn nhận được sự giúp đỡ trong công việc, sự động viên, khích lệ củacác thầy, đặc biệt là thầy TS. Ngô Ngọc Hà, Viện ITIMS cùng các bạn sinh viêntừng học tập và nghiên cứu tại đây. Tôi xin ghi nhận những tình cảm quý báu từ cácthầy, các anh chị và các bạn đã giành cho tôi. Tôi xin cảm ơn tới Ban giám hiệu, tổ bộ môn Vật lí và các thầy, cô giáo trongtrường THPT Quảng Hà đã ủng hộ, tạo mọi điều kiện giúp tôi hoàn thành luận văn này. Cuối cùng, tôi xin bày tỏ lòng cảm ơn sâu sắc tới gia đình, anh em, bạn thânđã luôn tin tưởng và ủng hộ tôi, giúp tôi vượt qua tất cả những khó khăn trong quátrình học tập, nghiên cứu để có thể hoàn thành được luận văn này. Thái Nguyên, tháng 11 năm 2019 Tác giả Lê Xuân Hiếu Số hóa bởi Trung tâm Học liệu và Công nghệ thông tin – ĐHTN http://lrc.tnu.edu.vn iii MỤC LỤC TrangLỜI CAM ĐOAN .............................................................................................. iLỜI CẢM ƠN ................................................................................................... iiMỤC LỤC ........................................................................................................ iiiDANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT VÀ KÝ HIỆU ....................................... vDANH MỤC CÁC BẢNG............................................................................... viDANH MỤC CÁC ĐỒ THỊ VÀ HÌNH VẼ ................................................... viiMỞ ĐẦU .......................................................................................................... 11. Tính cấp thiết của đề tài ................................................................................ 12. Mục tiêu của đề tài ........................................................................................ 33. Nội dung nghiên cứu .............................. ...