Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Các tính chất vận chuyển của điện tử trong giếng lượng tử Inp/In1-xGaxAs/Inp
Số trang: 63
Loại file: pdf
Dung lượng: 1.74 MB
Lượt xem: 9
Lượt tải: 0
Xem trước 7 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Luận văn trình bày cấu trúc lớp của điện tử trong giếng lượng tử vuông có chiều sâu vô hạn và hệ điện tử hai chiều trong từ trường, dẫn ra công thức cho thời thời gian hồi phục và trình bày các hiệu ứng chắn trong khí điện tử hai chiều, sử dụng ngôn ngữ lập trình C++ để tính toán kết quả số và đồng thời dựa trên những kết quả số này để đưa ra những kết luận và hướng phát triển của đề tài. Mời các bạn cùng tham khảo.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Các tính chất vận chuyển của điện tử trong giếng lượng tử Inp/In1-xGaxAs/InpĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINHTRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊNMAI THÁNH HUYỀNCÁC TÍNH CHẤT VẬN CHUYỂN CỦA ĐIỆN TỬ TRONGGIẾNG LƯỢNG TỬ InP/In1-xGaxAs/InPLUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ.Tp. Hồ Chí Minh, Năm 2012ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINHTRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊNMAI THÁNH HUYỀNCÁC TÍNH CHẤT VẬN CHUYỂN CỦA ĐIỆN TỬ TRONGGIẾNG LƯỢNG TỬ InP/In1-xGaxAs/InPChuyên ngành: Vật lý lý thuyết và Vật lý toánMã số:604401LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝNGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:PGS.TS. NGUYỄN QUỐC KHÁNHTp. Hồ Chí Minh, Năm 2012LỜI CẢM ƠNTôi xin đặc biệt tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới thầy Nguyễn Quốc Khánh, ngườithầy đã hướng dẫn tận tình và tạo mọi điều kiện thuận lợi để tôi có thể hoàn thànhbản luận văn này.Tôi xin chân thành cảm ơn các thầy trong bộ môn Vật lý Lý thuyết, nhữngngười đã truyền thụ những kiến thức cơ bản của ngành Lý thuyết cũng như tư duyVật lý cho tôi.Tôi xin cảm ơn những người bạn của tôi, những người đã giúp đỡ và độngviên tôi trong suốt quá trình học tập và thực hiện luận văn.Cuối cùng, tôi xin được gửi lời cảm ơn chân thành đến cha mẹ và anh emtrong gia đình của tôi, gia đình đã tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tôi học tập, giađình là chỗ dựa tinh thần lớn nhất của tôi.Tp.Hồ Chí Minh, tháng 03 năm 2012Mai Thánh HuyềniMỤC LỤCKÝ HIỆU VIẾT TẮTiiiCÁC BẢNG BIỂUivDANH SÁCH HÌNH VẼvMỞ ĐẦU1CHƯƠNG 1: ĐẶC TÍNH CỦA KHÍ ĐIỆN TỬ HAI CHIỀU31.1. Cấu trúc lớp ............................................................................................... 31.2. Hệ điện tử hai chiều trong từ trường ......................................................... 6CHƯƠNG 2: THỜI GIAN HỒI PHỤC VÀ CÁC HIỆN TƯỢNG ĐỘNGHỌC82.1. Thời gian hồi phục .................................................................................... 82.2. Quy tắc Mathiessen ................................................................................. 122.3. Hiệu ứng chắn và hàm điện môi ............................................................. 132.3.1. Hiệu ứng chắn ............................................................................... 132.3.2. Hàm điện môi ................................................................................ 142.4. Hiệu chỉnh trường cục bộ ........................................................................ 20CHƯƠNG 3: CÁC CƠ CHẾ TÁN XẠ VÀ ĐỘ LINH ĐỘNG253.1. Tán xạ trên các tạp chất ion hóa .............................................................. 253.1.1. Pha tạp xa ...................................................................................... 263.1.2. Pha tạp nền đồng nhất ................................................................... 263.2. Tán xạ lên bề mặt .................................................................................... 273.3 Tán xạ do mất trật tự hợp kim .................................................................. 283.4. Độ linh động của khí điện tử hai chiều ................................................... 283.5. Hiện tượng chuyển pha giữa kim loại và chất cách điện ........................ 33CHƯƠNG 4: KẾT QUẢ VÀ KẾT LUẬN354.1. Kết quả số cho độ linh động và điện trở suất .......................................... 354.2. Kết quả số cho hiện tượng chuyển pha giữa kim loại và chất cách điện 40ii4.3 Kết luận .................................................................................................... 43TÀI LIỆU THAM KHẢO44PHỤ LỤC A: MẬT ĐỘ HẠT TẢI VÀ HÓA THẾ HAI CHIỀU PHỤTHUỘC NHIỆT ĐỘ VÀ TỪ TRƯỜNG NGOÀIPHỤ LỤC B: CÁC THỪA SỐ CẤU TRÚC4649
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Các tính chất vận chuyển của điện tử trong giếng lượng tử Inp/In1-xGaxAs/InpĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINHTRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊNMAI THÁNH HUYỀNCÁC TÍNH CHẤT VẬN CHUYỂN CỦA ĐIỆN TỬ TRONGGIẾNG LƯỢNG TỬ InP/In1-xGaxAs/InPLUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ.Tp. Hồ Chí Minh, Năm 2012ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINHTRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊNMAI THÁNH HUYỀNCÁC TÍNH CHẤT VẬN CHUYỂN CỦA ĐIỆN TỬ TRONGGIẾNG LƯỢNG TỬ InP/In1-xGaxAs/InPChuyên ngành: Vật lý lý thuyết và Vật lý toánMã số:604401LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝNGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:PGS.TS. NGUYỄN QUỐC KHÁNHTp. Hồ Chí Minh, Năm 2012LỜI CẢM ƠNTôi xin đặc biệt tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới thầy Nguyễn Quốc Khánh, ngườithầy đã hướng dẫn tận tình và tạo mọi điều kiện thuận lợi để tôi có thể hoàn thànhbản luận văn này.Tôi xin chân thành cảm ơn các thầy trong bộ môn Vật lý Lý thuyết, nhữngngười đã truyền thụ những kiến thức cơ bản của ngành Lý thuyết cũng như tư duyVật lý cho tôi.Tôi xin cảm ơn những người bạn của tôi, những người đã giúp đỡ và độngviên tôi trong suốt quá trình học tập và thực hiện luận văn.Cuối cùng, tôi xin được gửi lời cảm ơn chân thành đến cha mẹ và anh emtrong gia đình của tôi, gia đình đã tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tôi học tập, giađình là chỗ dựa tinh thần lớn nhất của tôi.Tp.Hồ Chí Minh, tháng 03 năm 2012Mai Thánh HuyềniMỤC LỤCKÝ HIỆU VIẾT TẮTiiiCÁC BẢNG BIỂUivDANH SÁCH HÌNH VẼvMỞ ĐẦU1CHƯƠNG 1: ĐẶC TÍNH CỦA KHÍ ĐIỆN TỬ HAI CHIỀU31.1. Cấu trúc lớp ............................................................................................... 31.2. Hệ điện tử hai chiều trong từ trường ......................................................... 6CHƯƠNG 2: THỜI GIAN HỒI PHỤC VÀ CÁC HIỆN TƯỢNG ĐỘNGHỌC82.1. Thời gian hồi phục .................................................................................... 82.2. Quy tắc Mathiessen ................................................................................. 122.3. Hiệu ứng chắn và hàm điện môi ............................................................. 132.3.1. Hiệu ứng chắn ............................................................................... 132.3.2. Hàm điện môi ................................................................................ 142.4. Hiệu chỉnh trường cục bộ ........................................................................ 20CHƯƠNG 3: CÁC CƠ CHẾ TÁN XẠ VÀ ĐỘ LINH ĐỘNG253.1. Tán xạ trên các tạp chất ion hóa .............................................................. 253.1.1. Pha tạp xa ...................................................................................... 263.1.2. Pha tạp nền đồng nhất ................................................................... 263.2. Tán xạ lên bề mặt .................................................................................... 273.3 Tán xạ do mất trật tự hợp kim .................................................................. 283.4. Độ linh động của khí điện tử hai chiều ................................................... 283.5. Hiện tượng chuyển pha giữa kim loại và chất cách điện ........................ 33CHƯƠNG 4: KẾT QUẢ VÀ KẾT LUẬN354.1. Kết quả số cho độ linh động và điện trở suất .......................................... 354.2. Kết quả số cho hiện tượng chuyển pha giữa kim loại và chất cách điện 40ii4.3 Kết luận .................................................................................................... 43TÀI LIỆU THAM KHẢO44PHỤ LỤC A: MẬT ĐỘ HẠT TẢI VÀ HÓA THẾ HAI CHIỀU PHỤTHUỘC NHIỆT ĐỘ VÀ TỪ TRƯỜNG NGOÀIPHỤ LỤC B: CÁC THỪA SỐ CẤU TRÚC4649
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý Luận văn Thạc sĩ Vật lý lý thuyết và Vật lý toán Các tính chất vận chuyển của điện tử Giếng lượng tử Vận chuyển của điện tử Khí điện tử Cơ chế tán xạ Độ linh độngTài liệu liên quan:
-
Luận văn Thạc sĩ Kinh tế: Quản trị chất lượng dịch vụ khách sạn Mường Thanh Xa La
136 trang 369 5 0 -
97 trang 338 0 0
-
97 trang 323 0 0
-
Luận văn Thạc sĩ Khoa học máy tính: Tìm hiểu xây dựng thuật toán giấu tin mật và ứng dụng
76 trang 305 0 0 -
155 trang 300 0 0
-
64 trang 273 0 0
-
26 trang 272 0 0
-
115 trang 270 0 0
-
70 trang 226 0 0
-
128 trang 226 0 0