Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs
Số trang: 84
Loại file: pdf
Dung lượng: 9.30 MB
Lượt xem: 14
Lượt tải: 0
Xem trước 9 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Mục tiêu của đề tài "Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs" là khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử tam giác InAss/GaAs có tính đến ảnh hưởng của một số nguồn giam giữ cụ thể: Mật độ điện tích phân cực trên mặt chuyển tiếp và mật độ lá điện tử, bằng phương pháp cơ học lượng tử.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý lý thuyết Vật lý toán Luận văn Thạc sĩ Vật lý Độ linh động của điện tử Giếng lượng tử InAs-GaAsGợi ý tài liệu liên quan:
-
Luận văn Thạc sĩ Kinh tế: Quản trị chất lượng dịch vụ khách sạn Mường Thanh Xa La
136 trang 363 5 0 -
97 trang 322 0 0
-
Luận văn Thạc sĩ Khoa học máy tính: Tìm hiểu xây dựng thuật toán giấu tin mật và ứng dụng
76 trang 299 0 0 -
97 trang 296 0 0
-
155 trang 270 0 0
-
115 trang 265 0 0
-
64 trang 258 0 0
-
26 trang 253 0 0
-
70 trang 223 0 0
-
128 trang 214 0 0