Danh mục

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs

Số trang: 84      Loại file: pdf      Dung lượng: 9.30 MB      Lượt xem: 14      Lượt tải: 0    
Jamona

Xem trước 9 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Mục tiêu của đề tài "Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs" là khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử tam giác InAss/GaAs có tính đến ảnh hưởng của một số nguồn giam giữ cụ thể: Mật độ điện tích phân cực trên mặt chuyển tiếp và mật độ lá điện tử, bằng phương pháp cơ học lượng tử.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs

Tài liệu được xem nhiều:

Gợi ý tài liệu liên quan: