Danh mục

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ

Số trang: 66      Loại file: pdf      Dung lượng: 6.02 MB      Lượt xem: 11      Lượt tải: 0    
tailieu_vip

Xem trước 7 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Mục tiêu cảu đề tài "Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ" là nghiên cứu và tính toán cấu trúc vùng năng lượng điện tử của đơn lớp SnSe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ. Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng và điện trường lên các tính chất điện tử đơn lớp SnSe2.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ

Tài liệu được xem nhiều:

Gợi ý tài liệu liên quan: