Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ
Số trang: 66
Loại file: pdf
Dung lượng: 6.02 MB
Lượt xem: 11
Lượt tải: 0
Xem trước 7 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Mục tiêu cảu đề tài "Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ" là nghiên cứu và tính toán cấu trúc vùng năng lượng điện tử của đơn lớp SnSe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ. Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng và điện trường lên các tính chất điện tử đơn lớp SnSe2.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý lý thuyết Vật lý toán Luận văn Thạc sĩ Vật lý Cấu trúc vùng năng lượng Vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp Lí thuyết phiếm hàm mật độGợi ý tài liệu liên quan:
-
Luận văn Thạc sĩ Kinh tế: Quản trị chất lượng dịch vụ khách sạn Mường Thanh Xa La
136 trang 363 5 0 -
97 trang 322 0 0
-
Luận văn Thạc sĩ Khoa học máy tính: Tìm hiểu xây dựng thuật toán giấu tin mật và ứng dụng
76 trang 299 0 0 -
97 trang 296 0 0
-
155 trang 270 0 0
-
115 trang 265 0 0
-
64 trang 258 0 0
-
26 trang 252 0 0
-
70 trang 223 0 0
-
128 trang 214 0 0