Mạch điện tử - Chương 2. Transistor 2 lớp tiếp giáp - BJT

Tham khảo bài thuyết trình 'mạch điện tử - chương 2. transistor 2 lớp tiếp giáp - bjt', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Mạch điện tử - Chương 2. Transistor 2 lớp tiếp giáp - BJT 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 1 MẠCH ĐIỆN TỬ Chương 2. Transistor 2 lớp tiếp giáp - BJT 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 2 Nội dung • Giới thiệu • Dòng chảy trong BJT • Phân cực BJT • Giải tích mạch BJT bằng đồ thị • Sơ đồ tương đương thông số H-chế độ tín hiệu nhỏ • Phân tích mạch khuếch đại dùng BJT • Mạch khuếch đại E chung • Mạch khuếch đại B chung • Mạch khuếch đại C chung 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3 Giới thiệu • 1948: Transistor đầu tiên (Bell Lab) • Các loại transistor (TST): BJT, FET • BJT: Bipolar Junction Transistor: Transistor hai lớp tiếp giáp • Cấu tạo: 2 lớp tiếp xúc p-n ghép đối đầu nhau • Phân loại: pnp & npn • Ký hiệu: 3 cực B, C & E • Hoạt động phân cực: tắt, bão hòa, dẫn khuếch đại & đảo Hình dạng BJT trong thực tế 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 4 Dòng chảy trong BJT • Với BJT-npn: Có các dòng khuếch tán, dòng lỗ trống dòng ngược. • Với BJT-pnp: 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 5 Dòng chảy trong BJT • Vùng khuếch đại: • EB: Phân cực thuận • CB: Phân cực nghịch I C  I E  I CBO I E  I B  IC  I B  (1   ) I E  I CBO 1    I IB    I C  CBO      Đặt   hệ số khuếch đại dòng 1 Lưu ý: cấu hình B chung (CB – common Base Configuration) 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 6 Mối nối Emitter – Base (EB) • Xem mối nối EB như một Diode phân cực thuận hoạt động độc lập (iD = iE; vD = vEB) • DCLL và đặc tuyến EB 1 V EE i E   v EB  Re Re • Mạch tương đương đơn giản vE = VEBQ = V (0.7V: Silicon; 0.2V: Germanium) rd = 0 V EE  V EBQ I EQ  Re 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 7 Mối nối Collector – Base (CB) • Từ quan hệ: I C  I E  I CBO  mạch tương đương của mối nối CB E IE IC C E IE IC C VEBQ IE ICBO VEBQ IE Diode lyù töôûng IB IB B B 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 8 Mối nối CB Ví dụ 1: Cho mạch điện như hình vẽ:   1, ICBO  0; VEE = 2V; Re = 1k; VCC = 50V; Rc = 20k; vi = 1sint. Tính iE và vCB. Re E C VEE  vi  VEBQ 1 3 B Rc iE   1.3  1.0 sin t (mA) 2 vi VEE VCC Re vCB  VCC  Rc iC  VCC  Rc i E iE E C iC VEE  VEBQ Rc Re Rc vCB  VCC  Rc  vi VEBQ Re Re vi C B vCB  24  20 sin t (V) VEE VCC Hệ số khuếch đại tín hiệu xoay chiều: Av = 20 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 9 Khuếch đại dòng trong BJT Quan hệ giữa iC và iB (bỏ qua ICBO): iC    iB  với   1 Hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ iC    iB    iB Suy ra: iC     iB  h fe iB iB Xem gần đúng: h fe    hFE Lưu ý:  của các TST cùng loại có thể thay đổi theo từng TST. 11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 10 Khuếch đại dòng trong BJT Ví dụ 2: Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ. Cấu hình E chung (CE – Common Emitter configuration) Transistor npn VBB  vi  VBEQ iB C ...