Mô phỏng strain nhiệt trong màng tinh thể AlN được chế tạo trên đế AlN/α-Al2O3 sử dụng phương pháp phần tử hữu hạn
Số trang: 5
Loại file: pdf
Dung lượng: 714.48 KB
Lượt xem: 7
Lượt tải: 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Strain nhiệt do sự khác nhau về thông số nhiệt giữa AlN và α-Al2O3 trong màng tinh thể AlN được chế tạo trên đế AlN/α-Al2O3 đã được mô phỏng bằng phương pháp phần tử hữu hạn sử dụng phần mềm ANSYS.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Mô phỏng strain nhiệt trong màng tinh thể AlN được chế tạo trên đế AlN/α-Al2O3 sử dụng phương pháp phần tử hữu hạnUED Journal of Sciences, Humanities & Education – ISSN 1859 - 4603 TẠP CHÍ KHOA HỌC XÃ HỘI, NHÂN VĂN VÀ GIÁO DỤC MÔ PHỎNG STRAIN NHIỆT TRONG MÀNG TINH THỂ AlN ĐƯỢC CHẾ TẠO TRÊN ĐẾ AlN/α-Al2O3 SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP PHẦN TỬ HỮU HẠN Nhận bài: 20 – 08 – 2016 Đinh Thành Khẩn Chấp nhận đăng: 28 – 09 – 2016 Tóm tắt: Strain nhiệt do sự khác nhau về thông số nhiệt giữa AlN và -Al2O3 trong màng tinh thể AlN http://jshe.ued.udn.vn/ được chế tạo trên đế AlN/-Al2O3 đã được mô phỏng bằng phương pháp phần tử hữu hạn sử dụng phần mềm ANSYS. Các kết quả mô phỏng chỉ ra rằng strain nhiệt được phân bố một cách tuần hoàn dọc theo hướng tinh thể [1120] của màng AlN, tương ứng với sự tuần hoàn trong kết cấu được tạo rãnh của đế AlN/-Al2O3. Strain nhiệt giảm đáng kể xung quanh các khoảng trống (void) được tạo ra bên trong màng tinh thể AlN do quá trình mọc ngang của tinh thể AlN trên đế AlN/-Al2O3 được tạo rãnh. Các kết quả mô phỏng đã chỉ ra rằng việc sử dụng các đế được tạo rãnh đã làm giảm đáng kể strain nhiệt trong các màng tinh thể thông qua sự tạo thành của các void. Từ khóa: strain nhiệt; màng tinh thể AlN; ANSYS; phương pháp phần tử hữu hạn; FEM. tinh thể AlN [10-12]. Tuy nhiên, sự phân bố của strain1. Giới thiệu trong các màng tinh thể AlN vẫn chưa được làm sáng Aluminum nitride (AlN) đã thu hút rất nhiều sự quan tỏ. Hơn nữa, thông qua các phép đo thực nghiệm nhưtâm nghiên cứu trong các lĩnh vực đang phát triển như nhiễu xạ tia X và phổ tán xạ Raman, chúng ta chỉ thuLED, LASER, các thiết bị điện tử tần số cao… bởi vì các được strain do ảnh hưởng của tất cả các yếu tố như sựtính chất nổi trội của chúng như độ cứng và độ dẫn nhiệt không tương thích trong các thông số nhiệt và mạng…cao, khả năng chịu nhiệt cao… AlN cũng có thể kết hợp Trong nghiên cứu này, tác giả sử dụng phương phápvới GaN để tạo thành AlxGa1-xN, sử dụng trong các thiết phần tử hữu hạn thông qua phần mềm ANSYS để môbị quang điện có bước sóng ngắn hơn [1-4]. Do các phỏng sự phân bố của strain nhiệt trong màng tinh thểtinh thể AlN ở dạng khối không có sẵn trong tự nhiên, AlN được chế tạo trên đế AlN/-Al2O3 được tạo rãnh.người ta thường chế tạo các tinh thể AlN dưới dạng Việc làm sáng tỏ sự phân bố của strain nhiệt do sựmàng trên các đế có sẵn như -Al2O3 và SiC bằng không tương thích về thông số nhiệt giữa AlN vàphương pháp mọc ghép pha hơi hữu cơ kim loại và -Al2O3 cung cấp những thông tin hữu ích cho các nhàmọc ghép pha hơi hiđrua [5-7]. Tuy nhiên, do sự nghiên cứu thực nghiệm trong việc tìm ra các giải phápkhông tương thích trong các thông số mạng và nhiệt để hạn chế ảnh hưởng của thông số nhiệt trong việcgiữa AlN và các vật liệu làm đế, các màng tinh thể chế tạo các màng tinh thể AlN chất lượng cao.AlN sau khi chế tạo thường bị co giãn ô cơ sở (strain),khuyết tật, uốn cong mặt mạng... [8, 9]. Gần đây người 2. Xây dựng mô hình và mô phỏngta đã phát hiện ra rằng việc tạo ra những rãnh được Hệ thống phân tích cấu trúc tĩnh (static structuralphân bố một cách tuần hoàn trên các đế -Al2O3 và analysis system) trong phần mềm ANSYS được sử dụngSiC đã nâng cao rất nhiều chất lượng của các màng để mô phỏng sự phân bố strain nhiệt trong màng tinh thể AlN được chế tạo trên đế được tạo rãnh AlN/-Al2O3. Hình 1 là ảnh chụp kính hiển vi điện tử quét (SEM) của* Liên hệ tác giảĐinh Thành Khẩn màng tinh thể AlN được chế tạo trên đế được tạo rãnhTrường Đại học Sư phạm - Đại học Đà NẵngEmail: dtkhan@ued.udn.vn AlN/-Al2O3 bằng phương pháp mọc ghép pha hơi Tạp chí Khoa học Xã hội, Nhân văn & Giáo dục, Tập 6, số 3 (2016), 17-21 | 17Đinh Thành Khẩnhiđrua ở nhiệt độ 1500C. Hai loại void (khoảng trống) các void, tác giả sử dụng chức năng “finer mesh” trong hệ thống phân tích cấu trúc tĩnh xung quanh các void,chạy dọc theo hướng tinh thể [1100] với kích thước theo như có thể quan sát trong Hình 2.phương thẳng đứng khác nhau được phân bố một cáchtuần hoàn dọc theo hướng tinh thể [1120] . Dựa vào ảnhSEM của mẫu vật liệu đã được chế tạo, tác giả đã xâydựng mô hình tương ứng để mô phỏng sự phân bố củastrain nhiệt trong màng tinh thể AlN trên đế được tạorãnh AlN/-Al2O3. Hình 2 là mô hình phần tử hữu hạnba chiều của màng của tinh thể AlN trên đế được tạorãnh AlN/-Al2O3. Chiều dày của màng tinh thể AlN vàđế -Al2O3 lần lượt là 15m và 400m. Kích thước của Hình 1. Ảnh SEM của màng tinh thể AlN trên đế đượccác void là 0.30m 2.50m và 0.20m 1.75m. Cấu ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Mô phỏng strain nhiệt trong màng tinh thể AlN được chế tạo trên đế AlN/α-Al2O3 sử dụng phương pháp phần tử hữu hạnUED Journal of Sciences, Humanities & Education – ISSN 1859 - 4603 TẠP CHÍ KHOA HỌC XÃ HỘI, NHÂN VĂN VÀ GIÁO DỤC MÔ PHỎNG STRAIN NHIỆT TRONG MÀNG TINH THỂ AlN ĐƯỢC CHẾ TẠO TRÊN ĐẾ AlN/α-Al2O3 SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP PHẦN TỬ HỮU HẠN Nhận bài: 20 – 08 – 2016 Đinh Thành Khẩn Chấp nhận đăng: 28 – 09 – 2016 Tóm tắt: Strain nhiệt do sự khác nhau về thông số nhiệt giữa AlN và -Al2O3 trong màng tinh thể AlN http://jshe.ued.udn.vn/ được chế tạo trên đế AlN/-Al2O3 đã được mô phỏng bằng phương pháp phần tử hữu hạn sử dụng phần mềm ANSYS. Các kết quả mô phỏng chỉ ra rằng strain nhiệt được phân bố một cách tuần hoàn dọc theo hướng tinh thể [1120] của màng AlN, tương ứng với sự tuần hoàn trong kết cấu được tạo rãnh của đế AlN/-Al2O3. Strain nhiệt giảm đáng kể xung quanh các khoảng trống (void) được tạo ra bên trong màng tinh thể AlN do quá trình mọc ngang của tinh thể AlN trên đế AlN/-Al2O3 được tạo rãnh. Các kết quả mô phỏng đã chỉ ra rằng việc sử dụng các đế được tạo rãnh đã làm giảm đáng kể strain nhiệt trong các màng tinh thể thông qua sự tạo thành của các void. Từ khóa: strain nhiệt; màng tinh thể AlN; ANSYS; phương pháp phần tử hữu hạn; FEM. tinh thể AlN [10-12]. Tuy nhiên, sự phân bố của strain1. Giới thiệu trong các màng tinh thể AlN vẫn chưa được làm sáng Aluminum nitride (AlN) đã thu hút rất nhiều sự quan tỏ. Hơn nữa, thông qua các phép đo thực nghiệm nhưtâm nghiên cứu trong các lĩnh vực đang phát triển như nhiễu xạ tia X và phổ tán xạ Raman, chúng ta chỉ thuLED, LASER, các thiết bị điện tử tần số cao… bởi vì các được strain do ảnh hưởng của tất cả các yếu tố như sựtính chất nổi trội của chúng như độ cứng và độ dẫn nhiệt không tương thích trong các thông số nhiệt và mạng…cao, khả năng chịu nhiệt cao… AlN cũng có thể kết hợp Trong nghiên cứu này, tác giả sử dụng phương phápvới GaN để tạo thành AlxGa1-xN, sử dụng trong các thiết phần tử hữu hạn thông qua phần mềm ANSYS để môbị quang điện có bước sóng ngắn hơn [1-4]. Do các phỏng sự phân bố của strain nhiệt trong màng tinh thểtinh thể AlN ở dạng khối không có sẵn trong tự nhiên, AlN được chế tạo trên đế AlN/-Al2O3 được tạo rãnh.người ta thường chế tạo các tinh thể AlN dưới dạng Việc làm sáng tỏ sự phân bố của strain nhiệt do sựmàng trên các đế có sẵn như -Al2O3 và SiC bằng không tương thích về thông số nhiệt giữa AlN vàphương pháp mọc ghép pha hơi hữu cơ kim loại và -Al2O3 cung cấp những thông tin hữu ích cho các nhàmọc ghép pha hơi hiđrua [5-7]. Tuy nhiên, do sự nghiên cứu thực nghiệm trong việc tìm ra các giải phápkhông tương thích trong các thông số mạng và nhiệt để hạn chế ảnh hưởng của thông số nhiệt trong việcgiữa AlN và các vật liệu làm đế, các màng tinh thể chế tạo các màng tinh thể AlN chất lượng cao.AlN sau khi chế tạo thường bị co giãn ô cơ sở (strain),khuyết tật, uốn cong mặt mạng... [8, 9]. Gần đây người 2. Xây dựng mô hình và mô phỏngta đã phát hiện ra rằng việc tạo ra những rãnh được Hệ thống phân tích cấu trúc tĩnh (static structuralphân bố một cách tuần hoàn trên các đế -Al2O3 và analysis system) trong phần mềm ANSYS được sử dụngSiC đã nâng cao rất nhiều chất lượng của các màng để mô phỏng sự phân bố strain nhiệt trong màng tinh thể AlN được chế tạo trên đế được tạo rãnh AlN/-Al2O3. Hình 1 là ảnh chụp kính hiển vi điện tử quét (SEM) của* Liên hệ tác giảĐinh Thành Khẩn màng tinh thể AlN được chế tạo trên đế được tạo rãnhTrường Đại học Sư phạm - Đại học Đà NẵngEmail: dtkhan@ued.udn.vn AlN/-Al2O3 bằng phương pháp mọc ghép pha hơi Tạp chí Khoa học Xã hội, Nhân văn & Giáo dục, Tập 6, số 3 (2016), 17-21 | 17Đinh Thành Khẩnhiđrua ở nhiệt độ 1500C. Hai loại void (khoảng trống) các void, tác giả sử dụng chức năng “finer mesh” trong hệ thống phân tích cấu trúc tĩnh xung quanh các void,chạy dọc theo hướng tinh thể [1100] với kích thước theo như có thể quan sát trong Hình 2.phương thẳng đứng khác nhau được phân bố một cáchtuần hoàn dọc theo hướng tinh thể [1120] . Dựa vào ảnhSEM của mẫu vật liệu đã được chế tạo, tác giả đã xâydựng mô hình tương ứng để mô phỏng sự phân bố củastrain nhiệt trong màng tinh thể AlN trên đế được tạorãnh AlN/-Al2O3. Hình 2 là mô hình phần tử hữu hạnba chiều của màng của tinh thể AlN trên đế được tạorãnh AlN/-Al2O3. Chiều dày của màng tinh thể AlN vàđế -Al2O3 lần lượt là 15m và 400m. Kích thước của Hình 1. Ảnh SEM của màng tinh thể AlN trên đế đượccác void là 0.30m 2.50m và 0.20m 1.75m. Cấu ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Màng tinh thể AlN Phương pháp phần tử hữu hạn Hệ thống phân tích cấu trúc tĩnh Màng tinh thể Hằng số đàn hồi của AlNGợi ý tài liệu liên quan:
-
Giáo trình Phương pháp tính: Phần 2
204 trang 178 0 0 -
Khảo sát động lực học cổng trục bằng phương pháp phần tử hữu hạn
12 trang 162 0 0 -
7 trang 142 0 0
-
Đề thi học kì 1 môn Vật liệu học năm 2020-2021 có đáp án - Trường ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM
8 trang 101 0 0 -
9 trang 84 0 0
-
Đánh giá sai số nội lực bài toán hệ vòm ba khớp khi dùng phần mềm SAP2000
8 trang 73 0 0 -
9 trang 63 0 0
-
8 trang 51 0 0
-
Tính toán biến dạng, dao động của chi tiết dạng vỏ composite bằng phương pháp phần tử hữu hạn
5 trang 50 0 0 -
Tính tấm trên nền biến dạng đàn hồi cục bộ được đặc trưng bằng hệ số nền theo quan hệ của Robertson
10 trang 44 0 0