Nghiên cứu tổng hợp silicon quantum DOT cluster

Bài viết Nghiên cứu tổng hợp silicon quantum DOT cluster trình bày việc tổng hợp và nghiên cứu sự ghép đôi của các chấm lượng tử silicon (Si QDs) để tạo ra cụm chấm lượng tử (Si QD cluster). Các Si QD cluster được tổng hợp bằng phản ứng gép C-C Sonogashira giữa các silicon chấm lượng tử (4˗Es/Oct Si QD) với 2,5˗dibromo˗3˗hexyl˗thiophene.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Nghiên cứu tổng hợp silicon quantum DOT clusterTuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2019. ISBN: 978-604-82-2981-8NGHIÊN CỨU TỔNG HỢP SILICON QUANTUM DOT CLUSTER Lê Thu Hường1. GIỚI THIỆU nhiệt khử magie trong lò nung, môi trường khí argon ở 670°C và trong 15h. Vật liệu chấm lượng tử bán dẫn được ứngdụng rộng rãi trong công nghiệp điện nhưđèn LED, pin mặt trời, pin điện [1-4]. Chấm Brij® L4 (HĐBM) Siêu âm H2O TEOS TEOS H2O NH4OHlượng tử có những tính chất quang đặc biệt Dầu+H2Onhư hiệu ứng giam giữ lượng tử [5] nên vậtliệu chấm lượng tử đã và đang trở thành đối Mg, NaCl (rắn) SiO2 Si NC + MgO Ar, 670tượng nghiên cứu sôi động trong những năm HĐBM SiO2gần đây. Hầu hết các ứng dụng trong thiết bịcủa các chấm lượng tử bán dẫn không dựa Hình 1. Quy trình tổng hợp nano silicontrên các chấm lượng tử cô lập mà dựa trên 2.2. Tổng hợp 4˗Es/Oct Si QDchấm lượng ở trạng thái khối hoặc đám (rắn).Các kết quả nghiên cứu cho thấy tính chất Các chấm lượng tử H˗Si QDs được tổngquang điện của chấm lượng tử ở trạng thái hợp từ Si NCs @ SiO2 nhờ phản ứng ăn mònkhối hoặc đám (rắn) bị ảnh hưởng bởi tương trong hỗn hợp axit hydrofluoric, ethanol vàtác giữa các chấm lượng tử [6]. Ảnh hưởng nước cất (hình 2). Để bảo vệ bề mặt H˗Sicủa tương tác giữa các chấm lượng tử đã QDs và tăng độ hòa tan trong dung môi, H˗Siđược một số nhóm nghiên cứu thực hiện [6- QDs được liên kết với các nhóm hữu cơ: 1,4-7]. Tuy nhiên, các tính chất quang điện của diethynylbenzene và 1-octene. Sản phẩm thuchấm lượng ở trạng thái khối hoặc đám (rắn) được là 4˗Es/Oct Si QD.chưa được nghiên cứu nhiều. Trong bài báonày, chúng tôi tổng hợp và nghiên cứu sự HF:H2O:EtOH BH3·THFghép đôi của các chấm lượng tử silicon (Si 1:1:1 (6 h) 1. 2. 1,4-diethynylbenzene 1-octeneQDs) để tạo ra cụm chấm lượng tử (Si QD Si NC@SiO2 H-Si QDcluster). Các Si QD cluster được tổng hợp Hình 2. Quy trình tổng hợp 4˗Es/Oct Si QDbằng phản ứng gép C-C Sonogashira giữa cácsilicon chấm lượng tử (4˗Es/Oct Si QD) với Để kết nối các 4˗Es/Oct Si QD với nhau2,5˗dibromo˗3˗hexyl˗thiophene (DHT). bằng các phân tử liên hợp π, phản ứng ghép đôi Sonogashira C˗C giữa 4˗Es/Oct Si QD2. THỰC NGHIỆM với DHT được thực hiện trong môi trường khí argon (Hình 3). 4˗Es/Oct Si QD, Pd 2.1 Tổng hợp nano silicon (PPh3)2Cl2 và CuI được phân tán trong hỗn Quá trình tổng hợp nano silicon (Si NCs hợp toluene khan và triethylamine, sau đó@ SiO2) được trình bày trong hình 1: i) Bước thêm vào bình hai cổ chứa đầy argon. Dungthứ nhất, tổng hợp hạt nano silica (SiO2 NP) dịch được khuấy trong 5 phút ở nhiệt độtừ tetraethyl orthosilicate (TEOS) trong mixel phòng. Thêm DHT và toluene khan vào hỗnđảo. ii) Bước thứ hai, khử hạt nano silica hợp và khuấy ở 110ºC trong 2,5h thu đượcthành tinh thể nano silicon bằng phương pháp dung dịch màu nâu. Làm lạnh hỗn hợp phản 508 Tuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2019. ISBN: 978-604-82-2981-8ứng, thêm metanol vào ...