Nghiên cứu xác định đồng thời lượng vết Indi (In), Cadmi (Cd) và Chì (Pb) bằng phương pháp von-ampe hòa tan anot với lớp màng bitmut trên điện cực paste nano cacbon
Số trang: 7
Loại file: pdf
Dung lượng: 315.00 KB
Lượt xem: 13
Lượt tải: 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Cadimi, Indi và chì là những kim loại cómặt trong hầu hết các đối tượng môi trường vàsinh hóa. Ở nồng độ cao chúng ảnh hưởng cóhại đối với cơ thể người và động vật. Để đánhgiá về hàm lượng của chúng trong các mẫu môitrường và sinh hóa, các nhà khoa học đã sửdụng nhiều phương pháp khác nhau như phươngpháp ICP-MS, phương pháp phổ hấp thụnguyên tử, phổ hấp thụ phân tử, các phươngpháp phân tích điện hóa.Trong các công trình đã được công bố,phương pháp Von – Ampe hòa tan anot được sửdụng chủ yếu để xác...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Nghiên cứu xác định đồng thời lượng vết Indi (In), Cadmi (Cd) và Chì (Pb) bằng phương pháp von-ampe hòa tan anot với lớp màng bitmut trên điện cực paste nano cacbon T¹p chÝ Hãa häc, T. 48 (4C), Tr. 479 - 484, 2010 NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH ĐỒNG THỜI LƯỢNG VẾT INDI (In), CADIMI (Cd) VÀ CHÌ (Pb) BẰNG PHƯƠNG PHÁP VON - AMPE HÒA TAN ANÔT VỚI LỚP MÀNG BITMÚT TRÊN ĐIỆN CỰC PASTE NANO CACBON Đến Tòa soạn 12-7-2010 CAO VĂN HOÀNG1, TRỊNH XUÂN GIẢN2, TRỊNH ANH ĐỨC2, TỪ VỌNG NGHI3, CAO THẾ HÀ3, NGUYỄN VĂN HỢP4, NGUYỄN THỊ LIỄU1, DƯƠNG THỊ TÚ ANH5 1 Khoa hóa trường Đại học Quy Nhơn 2 Viện Hóa học, Viện KH & CN Việt Nam 3 Khoa Hóa học trường Đại học KHTN-Đại học QGHN 4 Khoa Hóa học trường Đại học Khoa học-Đại học Huế 5 Khoa Hóa học trường Đại học sư phạm- Đại học Thái Nguyên ABSTRACT A bismuth film plated in situ at a nano carbon paste support was tested as a novel. This new electrode was used for determination of cadmium (Cd), indium (In) and lead (Pb) traces in an acetate buffer and KBr 0.1mol/l (pH = 4.5). The metal ions and bismuth were simultanously deposited by reduction at Edep -1.2V. Interference of the factors such as supporting electrolytes, BiIII concentration, deposition potential (Edep), deposition time (tdep), sensitivity, limit of detection (LOD) on stripping of Cd, In and Pb were investigated. Under suitable conditions (buffer acetate- KBr 0.1 M, pH = 4.5, deposition at -1.2V for 120s), the 3σ detection limit is 0.15ppb for PbII , 0.1 ppb for CdII and 0.2 ppb for InIII (R = 0,994). Finally, BiF/NCPEs were successfully applied to the determination of Cd, In and Pb in the water samples. I- MỞ ĐẦU loại trong các đối tượng môi trường, sinh hóa, nước, đất…, Phương pháp Von – Ampe hòa tan Cadimi, Indi và chì là những kim loại có hấp phụ có độ nhạy và độ chọn lọc cao, giới hạnmặt trong hầu hết các đối tượng môi trường và phát hiện thấp nhưng đối tượng áp dụng hẹp,sinh hóa. Ở nồng độ cao chúng ảnh hưởng có chủ yếu để xác định hàm lượng kim loại tronghại đối với cơ thể người và động vật. Để đánh nước tự nhiên . Hầu hết các nghiên cứu đều sửgiá về hàm lượng của chúng trong các mẫu môi dụng điện cực giọt treo thủy ngân (HDME)trường và sinh hóa, các nhà khoa học đã sử hoặc màng mỏng thủy ngân (MFE). Tuy nhiêndụng nhiều phương pháp khác nhau như phương do độc tính cao của thủy ngân, nên điện cựcpháp ICP-MS, phương pháp phổ hấp thụ thủy ngân không thích hợp cho phân tích tạinguyên tử, phổ hấp thụ phân tử, các phương hiện trường. Do đó xu hướng hiện nay trên thếpháp phân tích điện hóa. giới các nhà khoa học cố tìm kiếm những vật liệu mới để thay thế thủy ngân dùng làm điện Trong các công trình đã được công bố, cực làm việc. Wang. J (Đại học bang Arizona,phương pháp Von – Ampe hòa tan anot được sử Mỹ) [1] đã thành công trong quá trình chế tạo radụng chủ yếu để xác định hàm lượng các kim 479điện cực màng bitmut trên điện cực nền glassy - Dung dịch đệm axetat 0,1 M (pH = 4,5)cacbon, ứng dụng để xác định Pb,Cd, Zn, Cu, được pha từ hỗn hợp dung dịch NaCH3COO 1Co, Ni trong các đối tượng môi trường. M và CH3COOH 1 M.Economou [2] cũng ứng dụng điện cực màng - Dung dịch muối KCl 0,1 M, KBr 0,1 M,bitmut để xác định hàm lượng Ni và Co. Hutton KSCN 0,1 M, được pha loãng từ các dung dịch[3] và Trần Chương Huyến [4] cũng đã nghiên KCl 1 M, KBr 1 M, KSCN 1 M.cứu điện cực Bi phân tích vết các chất bằngphương pháp Von – Ampe hòa tan. 2. Chuẩn bị điện cực làm việc (WE) Trong bài báo này chúng tôi trình bày kết a) Chuẩn bị điện cực nền (NCPE)quả nghiên cứu loại điện cực mới màng bitmuttrên nền điện cực paste nano cacbon Điện ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Nghiên cứu xác định đồng thời lượng vết Indi (In), Cadmi (Cd) và Chì (Pb) bằng phương pháp von-ampe hòa tan anot với lớp màng bitmut trên điện cực paste nano cacbon T¹p chÝ Hãa häc, T. 48 (4C), Tr. 479 - 484, 2010 NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH ĐỒNG THỜI LƯỢNG VẾT INDI (In), CADIMI (Cd) VÀ CHÌ (Pb) BẰNG PHƯƠNG PHÁP VON - AMPE HÒA TAN ANÔT VỚI LỚP MÀNG BITMÚT TRÊN ĐIỆN CỰC PASTE NANO CACBON Đến Tòa soạn 12-7-2010 CAO VĂN HOÀNG1, TRỊNH XUÂN GIẢN2, TRỊNH ANH ĐỨC2, TỪ VỌNG NGHI3, CAO THẾ HÀ3, NGUYỄN VĂN HỢP4, NGUYỄN THỊ LIỄU1, DƯƠNG THỊ TÚ ANH5 1 Khoa hóa trường Đại học Quy Nhơn 2 Viện Hóa học, Viện KH & CN Việt Nam 3 Khoa Hóa học trường Đại học KHTN-Đại học QGHN 4 Khoa Hóa học trường Đại học Khoa học-Đại học Huế 5 Khoa Hóa học trường Đại học sư phạm- Đại học Thái Nguyên ABSTRACT A bismuth film plated in situ at a nano carbon paste support was tested as a novel. This new electrode was used for determination of cadmium (Cd), indium (In) and lead (Pb) traces in an acetate buffer and KBr 0.1mol/l (pH = 4.5). The metal ions and bismuth were simultanously deposited by reduction at Edep -1.2V. Interference of the factors such as supporting electrolytes, BiIII concentration, deposition potential (Edep), deposition time (tdep), sensitivity, limit of detection (LOD) on stripping of Cd, In and Pb were investigated. Under suitable conditions (buffer acetate- KBr 0.1 M, pH = 4.5, deposition at -1.2V for 120s), the 3σ detection limit is 0.15ppb for PbII , 0.1 ppb for CdII and 0.2 ppb for InIII (R = 0,994). Finally, BiF/NCPEs were successfully applied to the determination of Cd, In and Pb in the water samples. I- MỞ ĐẦU loại trong các đối tượng môi trường, sinh hóa, nước, đất…, Phương pháp Von – Ampe hòa tan Cadimi, Indi và chì là những kim loại có hấp phụ có độ nhạy và độ chọn lọc cao, giới hạnmặt trong hầu hết các đối tượng môi trường và phát hiện thấp nhưng đối tượng áp dụng hẹp,sinh hóa. Ở nồng độ cao chúng ảnh hưởng có chủ yếu để xác định hàm lượng kim loại tronghại đối với cơ thể người và động vật. Để đánh nước tự nhiên . Hầu hết các nghiên cứu đều sửgiá về hàm lượng của chúng trong các mẫu môi dụng điện cực giọt treo thủy ngân (HDME)trường và sinh hóa, các nhà khoa học đã sử hoặc màng mỏng thủy ngân (MFE). Tuy nhiêndụng nhiều phương pháp khác nhau như phương do độc tính cao của thủy ngân, nên điện cựcpháp ICP-MS, phương pháp phổ hấp thụ thủy ngân không thích hợp cho phân tích tạinguyên tử, phổ hấp thụ phân tử, các phương hiện trường. Do đó xu hướng hiện nay trên thếpháp phân tích điện hóa. giới các nhà khoa học cố tìm kiếm những vật liệu mới để thay thế thủy ngân dùng làm điện Trong các công trình đã được công bố, cực làm việc. Wang. J (Đại học bang Arizona,phương pháp Von – Ampe hòa tan anot được sử Mỹ) [1] đã thành công trong quá trình chế tạo radụng chủ yếu để xác định hàm lượng các kim 479điện cực màng bitmut trên điện cực nền glassy - Dung dịch đệm axetat 0,1 M (pH = 4,5)cacbon, ứng dụng để xác định Pb,Cd, Zn, Cu, được pha từ hỗn hợp dung dịch NaCH3COO 1Co, Ni trong các đối tượng môi trường. M và CH3COOH 1 M.Economou [2] cũng ứng dụng điện cực màng - Dung dịch muối KCl 0,1 M, KBr 0,1 M,bitmut để xác định hàm lượng Ni và Co. Hutton KSCN 0,1 M, được pha loãng từ các dung dịch[3] và Trần Chương Huyến [4] cũng đã nghiên KCl 1 M, KBr 1 M, KSCN 1 M.cứu điện cực Bi phân tích vết các chất bằngphương pháp Von – Ampe hòa tan. 2. Chuẩn bị điện cực làm việc (WE) Trong bài báo này chúng tôi trình bày kết a) Chuẩn bị điện cực nền (NCPE)quả nghiên cứu loại điện cực mới màng bitmuttrên nền điện cực paste nano cacbon Điện ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
nghiên cứu khoa học báo cáo hóa học phương pháp ion lớp màng bitmut điện cực paste nano cacbonTài liệu liên quan:
-
Đề tài nghiên cứu khoa học: Kỹ năng quản lý thời gian của sinh viên trường Đại học Nội vụ Hà Nội
80 trang 1590 4 0 -
Tiểu luận: Phương pháp Nghiên cứu Khoa học trong kinh doanh
27 trang 505 0 0 -
57 trang 351 0 0
-
33 trang 342 0 0
-
Tiểu luận môn Phương Pháp Nghiên Cứu Khoa Học Thiên văn vô tuyến
105 trang 284 0 0 -
Phương pháp nghiên cứu trong kinh doanh
82 trang 276 0 0 -
95 trang 276 1 0
-
29 trang 236 0 0
-
4 trang 228 0 0
-
Tóm tắt luận án tiến sỹ Một số vấn đề tối ưu hóa và nâng cao hiệu quả trong xử lý thông tin hình ảnh
28 trang 225 0 0