PIN MẶT TRỜI
Số trang: 29
Loại file: doc
Dung lượng: 788.50 KB
Lượt xem: 17
Lượt tải: 0
Xem trước 3 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Hiện nay,sự phát triển mạnh mẽ của khoa học kĩ thuật.Song song với nó là nguồn nguyên liệu truyền thống ngày càng cạn kiệt dần không đủ đáp ứng nhu cầu năng lượng của con người.Điều đó thúc đẩy con người tìm ra những vật liệu mới,những nguyên liệu mới Bên cạnh đó, ở cuối thế kỉ 21, sự nóng lên toàn cầu làm tăng nhiệt độ trung bình của khí quyển trái đất lên 1,4 oC – 5,8 oC. Việc hướng tới một dạng năng lượng sạch, với một ít hoặc không có sự phát xạ sẽ là một...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
PIN MẶT TRỜI MỤC LỤC 1.1 Lịch sử phát triển............................................................................................................3 1.2 Những thách thức đặt ra................................................................................................3 1.3 Cấu trúc cơ bản và các tham số đặc trưng....................................................................4 1.3.1 Cấu trúc cơ bản của PMT.....................................................................................4 1.3.2 Các đặc trưng về hiệu năng hoạt động của PMT màng mỏng CIGS...................52 CHƯƠNG 2 CHƯƠNG TRÌNH MÔ PHỎNG ................................................................6 2.1 Phương trình Poisson.....................................................................................................6 2.1.1 Nồng độ điện tử tự do và nồng độ lỗ trống tự do..................................................7 2.1.2 Nồng độ trạng thái (ND+, NA-, pt, nt)...................................................................9 2.1.3 Nồng độ các mức sai hỏng (nt và pt)...................................................................11 2.2 Phương trình liên tục....................................................................................................11 2.2.1 Mật độ dòng điện tử và mật độ dòng lỗ trống (Jn và Jp)....................................12 2.2.2 Quá trình tái hợp của hạt dẫn..............................................................................133 CHƯƠNG 3 CÁC THÔNG SỐ ĐẦU VÀO CỦA CHƯƠNG TRÌNH MÔ PHỎNG MỘT CHIỀU AMPS – 1D...................................................15 3.1 Các tham số cơ bản.....................................................................................................15 3.1.1 Điều kiện môi trường ...........................................................................................15 3.1.2 Cấu trúc mô hình..................................................................................................16 3.2 Tính chất chung............................................................................................................17 3.2.1 Điều kiện ban đầu, hệ số phản xạ mặt trước và sau..........................................17 3.2.2 Hệ số phản xạ.....................................................................................................18 3.2.3 Sự tái hợp bề mặt...............................................................................................18 3.3 Tính chất của các lớp...................................................................................................19 3.3.1 Tốc độ hạt tải và mối liên hệ với mật độ trạng thái.............................................19 1 3.3.2 Hệ số hấp thụ......................................................................................................203.4 Các trạng thái sai hỏng ...............................................................................................21CHƯƠNG 4Kết quả và Kết luận..................................................................................22 4.1Ảnh hưởng của độ dầy của lớp hấp thụ CIGS............................................................22 4.2Ảnh hưởng của hệ số phản xạ mặt trước...................................................................24TÀI LIỆU THAM KHẢO........................................................................... 29 2 CHƯƠNG I KHÁI QUÁT VỀ PMT MÀNG MỎNG THẾ HỆ MỚI 1.1 Lịch sử phát triển Hiện nay,sự phát triển mạnh mẽ của khoa học kĩ thuật.Song song với nó lànguồn nguyên liệu truyền thống ngày càng cạn kiệt dần không đủ đáp ứng nhucầu năng lượng của con người.Điều đó thúc đẩy con người tìm ra những vật liệumới,những nguyên liệu mới Bên cạnh đó, ở cuối thế kỉ 21, sự nóng lên toàn cầulàm tăng nhiệt độ trung bình của khí quyển trái đất lên 1,4 oC – 5,8 oC. Việc hướngtới một dạng năng lượng sạch, với một ít hoặc không có sự phát xạ sẽ là mộttrong những thử thách lớn của thế kỷ XXI. Hôi nghị năng lượng mới toan câu tai ̣ ̀ ̀ ̣Born năm 2004 đã khăng đinh quyêt tâm cua thế giới thay thế 20 % năng lượng điên ̉ ̣ ́ ̉ ̣truyên thông băng nguôn năng lượng mới trong đó có điên măt trời vao năm 2020. ̀ ́ ̀ ̀ ̣ ̣ ̀Trong khi một vài công nghệ đã được ứng dụng để thu được hiệu suất cao hơn thìthành công tốt nhất là màng mỏng từ tế bào năng lượng mặt trời. Thiết bị đó đượcchế tạo bởi công nghệ lắng đọng không tố ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
PIN MẶT TRỜI MỤC LỤC 1.1 Lịch sử phát triển............................................................................................................3 1.2 Những thách thức đặt ra................................................................................................3 1.3 Cấu trúc cơ bản và các tham số đặc trưng....................................................................4 1.3.1 Cấu trúc cơ bản của PMT.....................................................................................4 1.3.2 Các đặc trưng về hiệu năng hoạt động của PMT màng mỏng CIGS...................52 CHƯƠNG 2 CHƯƠNG TRÌNH MÔ PHỎNG ................................................................6 2.1 Phương trình Poisson.....................................................................................................6 2.1.1 Nồng độ điện tử tự do và nồng độ lỗ trống tự do..................................................7 2.1.2 Nồng độ trạng thái (ND+, NA-, pt, nt)...................................................................9 2.1.3 Nồng độ các mức sai hỏng (nt và pt)...................................................................11 2.2 Phương trình liên tục....................................................................................................11 2.2.1 Mật độ dòng điện tử và mật độ dòng lỗ trống (Jn và Jp)....................................12 2.2.2 Quá trình tái hợp của hạt dẫn..............................................................................133 CHƯƠNG 3 CÁC THÔNG SỐ ĐẦU VÀO CỦA CHƯƠNG TRÌNH MÔ PHỎNG MỘT CHIỀU AMPS – 1D...................................................15 3.1 Các tham số cơ bản.....................................................................................................15 3.1.1 Điều kiện môi trường ...........................................................................................15 3.1.2 Cấu trúc mô hình..................................................................................................16 3.2 Tính chất chung............................................................................................................17 3.2.1 Điều kiện ban đầu, hệ số phản xạ mặt trước và sau..........................................17 3.2.2 Hệ số phản xạ.....................................................................................................18 3.2.3 Sự tái hợp bề mặt...............................................................................................18 3.3 Tính chất của các lớp...................................................................................................19 3.3.1 Tốc độ hạt tải và mối liên hệ với mật độ trạng thái.............................................19 1 3.3.2 Hệ số hấp thụ......................................................................................................203.4 Các trạng thái sai hỏng ...............................................................................................21CHƯƠNG 4Kết quả và Kết luận..................................................................................22 4.1Ảnh hưởng của độ dầy của lớp hấp thụ CIGS............................................................22 4.2Ảnh hưởng của hệ số phản xạ mặt trước...................................................................24TÀI LIỆU THAM KHẢO........................................................................... 29 2 CHƯƠNG I KHÁI QUÁT VỀ PMT MÀNG MỎNG THẾ HỆ MỚI 1.1 Lịch sử phát triển Hiện nay,sự phát triển mạnh mẽ của khoa học kĩ thuật.Song song với nó lànguồn nguyên liệu truyền thống ngày càng cạn kiệt dần không đủ đáp ứng nhucầu năng lượng của con người.Điều đó thúc đẩy con người tìm ra những vật liệumới,những nguyên liệu mới Bên cạnh đó, ở cuối thế kỉ 21, sự nóng lên toàn cầulàm tăng nhiệt độ trung bình của khí quyển trái đất lên 1,4 oC – 5,8 oC. Việc hướngtới một dạng năng lượng sạch, với một ít hoặc không có sự phát xạ sẽ là mộttrong những thử thách lớn của thế kỷ XXI. Hôi nghị năng lượng mới toan câu tai ̣ ̀ ̀ ̣Born năm 2004 đã khăng đinh quyêt tâm cua thế giới thay thế 20 % năng lượng điên ̉ ̣ ́ ̉ ̣truyên thông băng nguôn năng lượng mới trong đó có điên măt trời vao năm 2020. ̀ ́ ̀ ̀ ̣ ̣ ̀Trong khi một vài công nghệ đã được ứng dụng để thu được hiệu suất cao hơn thìthành công tốt nhất là màng mỏng từ tế bào năng lượng mặt trời. Thiết bị đó đượcchế tạo bởi công nghệ lắng đọng không tố ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
màng mỏng CIGS pin mặt trời hệ số phản xẠ độ dày lớp hấp thụ CIGS tham số cơ bản Sự tái hợp bề mặt Tốc độ hạt tảiGợi ý tài liệu liên quan:
-
Nghiên cứu, mô phỏng hệ nghịch lưu nối lưới 1 pha sử dụng Matlab Simulink cho hệ pin mặt trời
6 trang 203 0 0 -
3 trang 115 0 0
-
155 trang 79 0 0
-
134 trang 42 0 0
-
Cường độ huỳnh quang của chấm lượng tử CdTe phát xạ đỏ tăng bất thường bởi ion Cu2+
7 trang 39 0 0 -
Tổng hợp các phương pháp áp dụng AI vào điều khiển hệ thống năng lượng tái tạo
4 trang 38 0 0 -
Luận văn tốt nghiệp Chế tạo máy: Thiết kế Robot làm sạch tấm pin mặt trời
102 trang 38 0 0 -
72 trang 36 0 0
-
Thiết kế chế tạo máy trồng hành tím chạy bằng năng lượng mặt trời
3 trang 34 0 0 -
68 trang 33 0 0