Phân tích tư tưởng của nhân dân qua đoạn thơ: Những người vợ nhớ chồng… Những cuộc đời đã hóa sông núi ta trong Đất nước của Nguyễn Khoa Điềm
3395
1
0
9 trang
In summary, accounting for DIBL leads to more overall leakage in both cases. However, the leakage through series transistors is much less than half of that through a single transistor because the bottom transistor sees a small Vds and much less DIBL. This is called the stack effect. For n = 1.0, the leakage currents through a single transistor and pair of transistors are 13.5 pA and 0.9 pA, respectively. 2.15 VIL = 0.3; VIH = 1.05; VOL = 0.15; VOH = 1.2; NMH = 0.15; NML = 0.15 2.17 Either take the grungy derivative for the unity gain point...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Solutions for CMOS VLSI Design 4th Edition (Odd).
