![Phân tích tư tưởng của nhân dân qua đoạn thơ: Những người vợ nhớ chồng… Những cuộc đời đã hóa sông núi ta trong Đất nước của Nguyễn Khoa Điềm](https://timtailieu.net/upload/document/136415/phan-tich-tu-tuong-cua-nhan-dan-qua-doan-tho-039-039-nhung-nguoi-vo-nho-chong-nhung-cuoc-doi-da-hoa-song-nui-ta-039-039-trong-dat-nuoc-cua-nguyen-khoa-136415.jpg)
Static and dynamic characteristics of Lg 50 nm InAlN/AlN/GaN HEMT with AlGaN back-barrier for high power millimeter wave applications
Số trang: 8
Loại file: pdf
Dung lượng: 1.47 MB
Lượt xem: 14
Lượt tải: 0
Xem trước 1 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
A novel 50 nm recessed T-gate AlN spacer based InAlN/GaN HEMT with AlGaN back-barrier is designed. The static and dynamic characteristics of the proposed device structure are investigated using Synopsys TCAD tool.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Static and dynamic characteristics of Lg 50 nm InAlN/AlN/GaN HEMT with AlGaN back-barrier for high power millimeter wave applications
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Static and dynamic characteristics of Lg 50 nm InAlN/AlN/GaN HEMT with AlGaN back-barrier for high power millimeter wave applications
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Advanced materials and devices Static and dynamic characteristics Cut-off frequency Back-barrier Synopsys TCAD toolTài liệu liên quan:
-
Production of cobalt-copper from partial reduction of La(Co,Cu)O3 perovskites for CO hydrogenation
6 trang 100 0 0 -
6 trang 86 0 0
-
16 trang 56 0 0
-
A conceptual review on polymer electrolytes and ion transport models
17 trang 45 0 0 -
8 trang 42 0 0
-
Graphene-zinc oxide (G-ZnO) nanocomposite for electrochemical supercapacitor applications
7 trang 38 0 0 -
Current progress and challenges in engineering viable artificial leaf for solar water splitting
19 trang 35 0 0 -
On-chip growth of semiconductor metal oxide nanowires for gas sensors: A review
23 trang 32 0 0 -
10 trang 31 0 0
-
High-performance effective metaleorganic frameworks for electrochemical applications
20 trang 31 0 0