Danh mục

Static and dynamic characteristics of Lg 50 nm InAlN/AlN/GaN HEMT with AlGaN back-barrier for high power millimeter wave applications

Số trang: 8      Loại file: pdf      Dung lượng: 1.47 MB      Lượt xem: 14      Lượt tải: 0    
tailieu_vip

Hỗ trợ phí lưu trữ khi tải xuống: 1,000 VND Tải xuống file đầy đủ (8 trang) 0

Báo xấu

Xem trước 1 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

A novel 50 nm recessed T-gate AlN spacer based InAlN/GaN HEMT with AlGaN back-barrier is designed. The static and dynamic characteristics of the proposed device structure are investigated using Synopsys TCAD tool.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Static and dynamic characteristics of Lg 50 nm InAlN/AlN/GaN HEMT with AlGaN back-barrier for high power millimeter wave applications

Tài liệu được xem nhiều: