Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Kỹ thuật: Nghiên cứu ứng dụng công nghệ vật liệu nền SIW để nâng cao chất lượng một số phần tử siêu cao tần trong đài ra đa

Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Kỹ thuật "Nghiên cứu ứng dụng công nghệ vật liệu nền SIW để nâng cao chất lượng một số phần tử siêu cao tần trong đài ra đa" được nghiên cứu với mục tiêu: Trên cơ sở nghiên cứu lý thuyết và các công nghệ để thực hiện các phần tử siêu cao tần trên vật liệu nền như công nghệ EBG, công nghệ DGS và đặc biệt là công nghệ SIW để đưa ra các giải pháp nâng cao chất lượng của các phần tử siêu cao tần trong đài ra đa; Đề xuất giải pháp ứng dụng công nghệ SIW kết hợp với công nghệ EBG và công nghệ DGS để nâng cao chất lượng các bộ lọc thông dải SIWCPW có dải thông rộng, độ chọn lọc cao và kích thước nhỏ.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Kỹ thuật: Nghiên cứu ứng dụng công nghệ vật liệu nền SIW để nâng cao chất lượng một số phần tử siêu cao tần trong đài ra đa 1BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO BỘ QUỐC PHÒNG VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ QUÂN SỰ TRẦN THỊ TRÂMNGHIÊN CỨU ỨNG DỤNG CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU NỀN SIWĐỂ NÂNG CAO CHẤT LƯỢNG MỘT SỐ PHẦN TỬ SIÊU CAO TẦN TRONG ĐÀI RA ĐA Ngành: Kỹ thuật ra đa dẫn đường Mã số : 9520204 TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT HÀ NỘI - 2023 2 CÔNG TRÌNH ĐƯỢC HOÀN THÀNH TẠIVIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ QUÂN SỰ - BỘ QUỐC PHÕNGNgười hướng dẫn khoa học:1. PGS. TS Lê Vĩnh Hà2. TS Dương Tuấn ViệtPhản biện 1: PGS.TS Trịnh Đăng KhánhPhản biện 2: PGS.TS Lê Nhật ThăngPhản biện 3: TS Lê Duy HiệuLuận án được bảo vệ tại Hội đồng đánh giá luận án cấp Viện họp tạiViện Khoa học và Công nghệ quân sự/ Bộ Quốc phòngvào hồi giờ ngày tháng năm …….Có thể tìm hiểu luận án tại thư viện:- Thư viện Viện Khoa học và Công nghệ quân sự/ Bộ Quốc phòng- Thư viện Quốc gia Việt Nam 1 MỞ ĐẦU1. Tính cấp thiết Ngày nay, với sự phát triển ngày càng lớn mạnh của khoa học và côngnghệ đã cho phép nghiên cứu và phát triển các thế hệ truyền thông vô tuyếnđa phương tiện hiện đại băng rộng hay các hệ thống ra đa số với anten mạngpha tích cực và có thể thực hiện nhiều chức năng trong một đài ra đa, như:cảnh giới - dẫn đường, chỉ thị mục tiêu và điều khiển hỏa lực. Vì vậy, vấn đềnghiên cứu thiết kế kỹ thuật và hoàn thiện công nghệ chế tạo các chủng loạiđài ra đa và các phần tử làm việc ở dải sóng siêu cao tần, cải tiến các trang bịvũ khí hiện đại liên quan đến lĩnh vực ra đa mà trong đó, các hệ thống anten –đường truyền, tuyến thu – phát siêu cao tần luôn là bài toán cần thiết. Bàitoán nâng cao chất lượng của các phần tử siêu cao tần luôn được đặt ra đốivới bất kỳ hệ thống ra đa nào. Những vấn đề tồn tại cần phải tiếp tục nghiên cứu để đạt được mụctiêu nâng cao chất lượng các phần tử siêu cao tần trong các hệ thống ra đa: Các nghiên cứu hiện tại về công nghệ vật liệu nền SIW vẫn đang tậptrung vào ứng dụng cho các thiết bị viễn thông ở tần số băng tần Ka, băng tầnV hoặc băng tần Q mà chưa có các nghiên cứu cho dải sóng siêu cao tần chođài ra đa ở dải băng tần C, băng tần S hoặc băng tần X đồng thời cũng chưa đisâu vào nghiên cứu kết hợp của các công nghệ thực hiện trên vật liệu nềnchẳng hạn như kết hợp giữa công nghệ SIW với công nghệ EBG hoặc DGS. Việc thực hiện các phần tử SIW trong dải sóng cm và mm sẽ cần sựphát triển của các cấu tr c mới, với mục tiêu giảm kích thước, cải thiện băngthông, và đặc biệt là giảm thiểu t n hao. Chính vì những lý do trên, luận án đặt vấn đề “Nghiên cứu ứng dụngcông nghệ vật liệu nền SIW để nâng cao chất lượng một số phần tử siêucao tần trong đài ra đa”. Nội dung nghiên cứu của Luận án xuất phát từ nhucầu cấp thiết của thực tế, có tính thực tiễn cao trong điều kiện các cơ sở nghiêncứu và sản xuất công nghiệp quốc phòng trong quân đội đang thực hiện các dựán sản xuất và thiết kế các hệ thống ra đa và các khí tài quân sự khác. Nội dungnghiên cứu có tính khoa học và định hướng quan trọng trong việc làm chủ côngnghệ mới về siêu cao tần, đồng thời có khả năng đưa vào ứng dụng trong thực tế 2để thay thế cũng như cải tiến các mô đun, phần tử trong tuyến thu phát của cácđài ra đa quân sự.2. Mục tiêu nghiên cứu  Trên cơ sở nghiên cứu lý thuyết và các công nghệ để thực hiện cácphần tử siêu cao tần trên vật liệu nền như công nghệ EBG, công nghệ DGSvà đặc biệt là công nghệ SIW để đưa ra các giải pháp nâng cao chất lượngcủa các phần tử siêu cao tần trong đài ra đa. Các giải pháp này đều có khảnăng đưa vào ứng dụng trong tuyến cao tần của các đài ra đa quân sự.  Đề xuất giải pháp ứng dụng công nghệ SIW để thực hiện bộ lọcHMSIW có kích thước và suy hao nhỏ, độ chọn lọc cao; bộ di pha SIW 2 lớpcó băng thông rộng, t n hao nhỏ và mức di pha có thể điều chỉnh bằng điệntử; bộ dao động VCO có tạp pha nhỏ sử dụng bộ cộng hưởng SIW gây nhiễuchế độ kép.  Đề xuất giải pháp ứng dụng công nghệ SIW kết hợp với công nghệEBG và công nghệ DGS để nâng cao chất lượng các bộ lọc thông dải SIW-CPW có dải thông rộng, độ chọn lọc cao và kích thước nhỏ.3. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu Đối tượng nghiên cứu: Các giải pháp nhằm nâng cao chất lượng của cácphần tử siêu cao tần như bộ lọc thông dải băng tần S, băng tần C và băng tần X,bộ di pha băng tần X và bộ dao động băng tần X sử dụng trong các đài ra đaquân sự. Phạm vi nghiên cứu:  Nghiên cứu ứng dụng công nghệ SIW để nâng cao chất lượng củacác phần tử siêu cao tần như bộ lọc, bộ di pha, bộ dao động VCO.  Nghiên cứu ứng dụng công nghệ SIW kết hợp với công nghệ EBGvàcông nghệ DGS để nâng cao chất lượng các bộ lọc thông dải.4. Nội dung nghiên cứu  Phân tích t ng quan về công nghệ thực hiện trên chất nền, tìm hiểumột số giải pháp công nghệ thực hiện trên chất nền để nâng cao chất lượngcác phần tử siêu cao tần trong các hệ thống ra đa hiện nay và phân tích t ngquan tình hình nghiên cứu về công nghệ vật liệu nền hiện nay.  Nghiên cứu các giải pháp thực hiện trên công nghệ SIW từ đó đề 3xuất các giải pháp kỹ thuật mới có thể phát triển trong thực tế nhằm nâng caođộ chọn lọc, giảm thiểu t n hao và kích thước cho các bộ lọc HMSIW băngtần S; giảm t n hao cho các bộ di pha SIW 2 lớp băng tần X có băng thôngrộng, t n hao nhỏ và mức di pha có thể điều chỉnh bằng điện tử; giảm tạp phatrong các bộ dao động VCO băng tần X sử dụng bộ cộng hưởng SIW gâynhiễu chế độ kép.  Nghiên cứu các g ...