Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Vật lí kỹ thuật: Nghiên cứu ứng dụng phương pháp phun phủ nhiệt phân quay đầu phun và hỗ trợ siêu âm chế tạo các phần tử pin mặt trời họ Cux(In,Zn,Sn)Sy

Luận án mô phỏng, tính toán để xác định các thông số công nghệ tối ưu và đánh giá kết quả lắng đọng màng mỏng bằng phươngpháp USPD; nghiên cứu thiết kế hệ lắng đọng màng mỏng bằng phươngpháp phun phủ nhiệt phân hỗ trợ siêu âm quay SSPD (Spin Spray Pyrolisis Deposition); nghiên cứu lắng đọng các lớp chức năng ZnO, CdS, In2S3, Cu2ZnSnS4 và CuInS2 bằng phương pháp SSPD. Mời các bạn cùng tham khảo.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Vật lí kỹ thuật: Nghiên cứu ứng dụng phương pháp phun phủ nhiệt phân quay đầu phun và hỗ trợ siêu âm chế tạo các phần tử pin mặt trời họ Cux(In,Zn,Sn)Sy8.9.Pham Phi Hung, Luong Huu Bac, Luu Thi Lan Anh, Nguyen TuyetNga and Tran Thanh Thai, (2014) Structure and OptoelectronicalProperties of Indium Sulfide Thin Films Prepared by Ultrasonic SprayPyrolysis (USP), Journal of Science & Technology No.99 p.051-053Phạm Phi Hùng, Lương Hữu Bắc, Trần Minh Ngọc, Lưu Thị LanAnh, Nguyễn Tuyết Nga và Võ Thạch Sơn, (2015). Mô phỏng quátrình phun nhiệt phân hỗ trợ siêu âm bằng phương pháp phần tử hữuhạn, Journal of Science & Technology (accepted)BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠOTRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘIPhạm Phi HùngBẰNG ĐỘC QUYỀN SÁNG CHẾ1.Phạm Phi Hùng, Trần Thanh Thái, Lưu Thị Lan Anh và Võ ThạchSơn (2015) “Bộ phận điều khiển đầu rung siêu âm quay và hệ phunphủ nhiệt phân hỗ trợ rung siêu âm quay SUSPD (Spin UltrasonicSpray Pyrolysis Deposition) sử dụng bộ phận này” Chấp nhận đơnhợp lệ, patent pending 1-2015-04798Nghiên cứu ứng dụng phương pháp phun phủ nhiệtphân quay đầu phun và hỗ trợ siêu âm chế tạo cácphần tử pin mặt trời họ Cux(In,Zn,Sn)SyChuyên ngành: Vật lý kỹ thuậtMã số:62520401TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ KỸ THUẬTHà Nội – 2016DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁNCông trình được hoàn thành tại:Trường Đại học Bách khoa Hà NộiNgười hướng dẫn khoa học:1. GS. TS. Võ Thạch Sơn2. PGS. TS. Nguyễn Tuyết Nga1.2.3.Phản biện 1: PGS.TS. Vũ Doãn MiênPhản biện 2: PGS.TS. Mai Anh TuấnPhản biện 3: PGS.TS. Phạm Đức Thắng4.Luận án được bảo vệ trước Hội đồng đánh giá luận án tiến sĩcấp Trường họp tại Trường Đại học Bách khoa Hà Nội5.Vào hồi …….. giờ, ngày ….. tháng ….. năm ………6.Có thể tìm hiểu luận án tại thư viện:1. Thư viện Tạ Quang Bửu - Trường ĐHBK Hà Nội2. Thư viện Quốc gia Việt Nam7.Son Vo Thach, Michel Jouan, Sang Nguyen Xuan, Thoan NguyenHoang and Pham Phi Hung (2008) Growth and Structure of ZincOxide Nanostructured Layer Obtained by Spray Pyrolysis, Springerprceeding in physics 127 p. 171-176.Thoan Nguyen Hoang, Son Vo Thach, Michel Jouan, Sang NguyenXuan, and Pham Phi Hung (2008) Influence of Diffent Posttreatments on the Physical Properties of Sprayed Zinc Oxide ThinFilms, Springer prceeding in physics 127 p. 177-184Lan Anh Luu Thi, Ngoc Minh Le, Duc Hieu Nguyen, Thanh Thai Tran,Phi Hung Pham, Mateus Neto, Ngoc Trung Nguyen and Thach SonVo (2012). Effect of seed layer deposited by spray pyrolysis techniqueon the nanorod strucrural ZnO film, Proc. of the 2012 InternationalConference on Green Technology and Sustainable Developmentp.367-372.Tran Thanh Thai, Pham Phi Hung, Vu Thi Bich and Vo Thach Son(2012). Optical properties of CuInS2 thin films prepared by spraypyrolysis, Communications in Physics Vol. 22, p.59-64Hung P.P, Anh L.T.L, Thai T. T, Hieu N. D, Mateus M.N, Son V. Tand Nga N.T (2012) Structural, morphological and optical propertiesof ultrasonic spray-pyrolysed Cu2ZnSnS4 thin films, The 6th VietnamKorea International Joint Symposium on Advanced Materials andTheir Processing - Hanoi, Vietnam.Tran Thanh Thai, Nguyen Duc Hieu, Luu Thi Lan Anh, Pham PhiHung, Vu Thi Bich and Vo Thach Son, (2013) Fabrication andcharacteristics of full sprayed ZnO/CdS/CuInS2 solar cells, Journal ofthe Korean Physical Society, Vol. 61 No. 9, p. 1494 ~ 1499Phạm Phi Hùng, Vũ Đức Giang, Nguyễn Trung Quân, Nguyễn TuyếtNga (2013) Nghiên cứu chế tạo và tính chất của màng hấp thụCu2ZnSnS4 (CZTS) ứng dụng trong pin mặt trời màng mỏng, Tạp chíKhoa học và Công nghệ No. 89, p.69-725) Đã nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ làm việc đến thông số của cácphần tử PMT trong dải nhiệt độ từ 25 oC đến 45 oC và đã nhận đượccác thông tin hữu ích sau đây: Điện áp hở mạch VOC là thông số có biến đổi lớn nhất khi nhiệt độ làmviệc của PMT CIS thay đổi. VOC giảm từ 2 % đến 4 % khi nhiệt độtăng từ 25 oC đến 45 oC. Mật độ dòng ngắn mạch tăng từ 1 đến 1,5 % khi nhiệt độ tăng từ 25 oCđến 45 oC. Hiệu suất giảm nhẹ từ 0,4 đến 0,8 % khi nhiệt độ tăng trong dải từ 25oC đến 45 oC.6) Đã nghiên cứu sự thay đổi thông số của các phần tử PMT chế tạo theothời gian sử dụng tại các điểm nhiệt độ làm việc khác nhau. Kết quảnghiên cứu này cho thấy: Các phần tử PMT làm việc tại nhiệt độ 25 oC trong thời gian 4 thángđầu hiệu suất chuyển đổi quang điện có dấu hiệu tăng nhẹ và đạt độ ổnđịnh vào tháng thứ 5 đến tháng thứ 6. Ở nhiệt độ 35 oC và 45 oC hiệu suất chuyển đổi quang điện của cácphần tử PMT có sự suy giảm với tốc độ khác nhau. Ở nhiệt độ 35 oCmức độ suy giảm nhỏ nhưng thời gian suy giảm kéo dài trong thời gian4 tháng đầu tiên. Ở nhiệt độ 45 oC mức độ suy giảm của hiệu suấtchuyển đổi quang điện lớn (đạt mức 0,8 % trong tháng đầu tiên) tuynhiên độ ổn định của thông số PMT trong trường hợp này lại sớm đạtđộ ổn định từ tháng thứ 2 trở đi, mức độ suy giảm này nhỏ hơn 0,1 %.7) Đã nghiên ...